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GaN基监光大功率发光二极管的研制 被引量:3
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作者 邹德恕 顾晓玲 +7 位作者 孙重清 张剑铭 董立闽 郭霞 宋颖娉 沈光地 丁成隆 王新潮 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2006年第8期41-43,共3页
采用一种自对准制造工艺和倒装芯片的装配技术,研制出GaN基蓝光大功率发光二极管(1mm×1mm)。其光学参数:总辐射功率143.19mW,光通量8.861m,发光效率7.291m/W,峰值波长462nm,半峰全宽24nm;其电学参数:正向电压3.47V... 采用一种自对准制造工艺和倒装芯片的装配技术,研制出GaN基蓝光大功率发光二极管(1mm×1mm)。其光学参数:总辐射功率143.19mW,光通量8.861m,发光效率7.291m/W,峰值波长462nm,半峰全宽24nm;其电学参数:正向电压3.47V、正向电流350mA。对相关工艺进行了简要讨论。 展开更多
关键词 大功率发光二极管 自对准 倒装
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