期刊文献+
共找到26篇文章
< 1 2 >
每页显示 20 50 100
磷掺杂石墨相氮化碳的制备及对磺胺噻唑的可见光催化性能研究 预览
1
作者 唐荣 丁任丽 郑诗瑶 《生态与农村环境学报》 CAS CSCD 北大核心 2019年第3期377-384,共8页
以三聚氰胺和甘油磷脂酰胆碱为前驱体,通过水热法和煅烧法联合处理方式制得磷掺杂的石墨相氮化碳(PCN);利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、X射线光电子能谱(XPS)、紫外可见吸收光谱(UV-visDRS)和光致发光光谱(PL)等方法分析了PC... 以三聚氰胺和甘油磷脂酰胆碱为前驱体,通过水热法和煅烧法联合处理方式制得磷掺杂的石墨相氮化碳(PCN);利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、X射线光电子能谱(XPS)、紫外可见吸收光谱(UV-visDRS)和光致发光光谱(PL)等方法分析了PCN的物相组成和光电性质。结果显示,磷掺杂提高了PCN催化剂的比表面积,降低了光生电子空穴的复合率,拓宽了可见光谱的响应范围,同时提高了催化剂的氧化性能。将PCN用于可见光催化降解抗生素磺胺噻唑(ST)时,其降解速率远高于体相石墨相氮化碳(CN),且60%PCN(60%为甘油磷脂酰胆碱与三聚氰胺的质量比)的效果最好;自由基捕获实验结果显示,羟基自由基(·OH)在整个光催化反应中占主导地位。 展开更多
关键词 可见光催化 石墨相氮化碳 磷掺杂 磺胺噻唑
在线阅读 下载PDF
磷掺杂的介孔石墨相氮化碳光催化降解染料 预览
2
作者 彭小明 罗文栋 +4 位作者 胡玉瑛 戴红玲 胡锋平 廖湘悦 王琦 《中国环境科学》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第8期3277-3285,共9页
将三聚氰胺、三聚氰胺聚磷酸盐和SBA-15热共聚成功制备了磷掺杂的介孔石墨类氮化碳(P-mpg-C3N4),并通过场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射光谱(XRD)、傅里叶转换红外光谱(FT-IR)、X射线光电子能谱(XPS)、场发射扫描透射电镜能谱(E... 将三聚氰胺、三聚氰胺聚磷酸盐和SBA-15热共聚成功制备了磷掺杂的介孔石墨类氮化碳(P-mpg-C3N4),并通过场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射光谱(XRD)、傅里叶转换红外光谱(FT-IR)、X射线光电子能谱(XPS)、场发射扫描透射电镜能谱(EDS)和紫外可见光漫反射光谱(UV-vis-DRS)等方法对催化剂形貌结构和光学性能进行了表征.结果表明,磷元素成功地掺杂在氮化碳的结构上,呈均匀分布,相对于石墨相氮化碳(g-C3N4),其比表面积可达198.3m^2/g,并因此提供大量的活性位点而提高光催化活性.P-mpg-C3N4对亮丽春红5R的光催化降解速率是g-C3N4的31.3倍,其光催化性能增强的机理是禁带宽度的减小,可见光吸收范围从440nm延伸到了460nm,其次,改性后的光催化剂能显著抑制光生电子空穴对的复合,从而有更多的活性点位以及活性物种能参与光催化反应过程.循环实验表明,经过5个循环降解后光催化性能仍保持在初始状态的91.67%,表明P-mpg-C3N4具有很好的光催化稳定性. 展开更多
关键词 磷掺杂 介孔 石墨类氮化碳 光催化降解
在线阅读 下载PDF
脉冲激光沉积磷掺杂多晶硅薄膜的压阻性能 预览
3
作者 王思源 王宙 +2 位作者 付传起 骆旭梁 张英利 《材料导报》 CSCD 北大核心 2017年第A02期150-152,156共4页
采用脉冲激光沉积法(PLD)制备磷掺杂多晶硅薄膜,研究磷掺杂分数对多晶硅薄膜压阻性能的影响。结果表明,随着磷掺杂分数增大,多晶硅薄膜的应变系数先增大后减小。在磷掺杂分数为0.3%(质量分数)时,电阻横向应变系数的绝对值达到最大,为24... 采用脉冲激光沉积法(PLD)制备磷掺杂多晶硅薄膜,研究磷掺杂分数对多晶硅薄膜压阻性能的影响。结果表明,随着磷掺杂分数增大,多晶硅薄膜的应变系数先增大后减小。在磷掺杂分数为0.3%(质量分数)时,电阻横向应变系数的绝对值达到最大,为24.3,电阻纵向应变系数的绝对值达到最大,为12.6。横向电阻应变的非线性在1%~2.5%之间,电阻的温度系数为0.05%/℃,应变系数的温度系数为-0.06%/℃。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 多晶硅薄膜 磷掺杂 应变系数
在线阅读 免费下载
磷含量对真空蒸镀磷掺杂多晶硅薄膜的影响 预览 被引量:3
4
作者 骆旭梁 王思源 +2 位作者 王宙 雍帆 付传起 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第2期53-55,84共4页
采用真空蒸镀的方法制备磷掺杂多晶硅薄膜,研究了磷含量对多晶硅薄膜的表面形貌、组织结构、晶粒尺寸及晶化率的影响。结果表明:随着磷掺杂分数的增加,多晶硅薄膜的晶粒尺寸和晶化率表现出先增加后降低的趋势,当磷掺杂分数为1%时... 采用真空蒸镀的方法制备磷掺杂多晶硅薄膜,研究了磷含量对多晶硅薄膜的表面形貌、组织结构、晶粒尺寸及晶化率的影响。结果表明:随着磷掺杂分数的增加,多晶硅薄膜的晶粒尺寸和晶化率表现出先增加后降低的趋势,当磷掺杂分数为1%时,薄膜晶粒尺寸达到最大值,为0.55μm,晶化率为96.82%,且晶粒的均匀性最佳。 展开更多
关键词 真空蒸镀 多晶硅薄膜 磷掺杂 晶化率
在线阅读 免费下载
磷掺杂,Pt/TiO2纳米管阵列光催化还原CO2饱和溶液制燃料气体
5
作者 姜梦培 吴红军 王树 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2016年第7期84-86,共3页
在光照和偏压作用下,浸泡在电解质1mol/L的CO2碳酸氢钠的PN结(PEC)可以生成烃类燃料。当PEC的光电阴极是由pt敏化的半导体的TiO2纳米管阵列,或当光阳极是n型的磷掺杂TiO2纳米管阵列薄膜带隙照明下PEC使CO2转化为碳氢化合物,如CH4、CO... 在光照和偏压作用下,浸泡在电解质1mol/L的CO2碳酸氢钠的PN结(PEC)可以生成烃类燃料。当PEC的光电阴极是由pt敏化的半导体的TiO2纳米管阵列,或当光阳极是n型的磷掺杂TiO2纳米管阵列薄膜带隙照明下PEC使CO2转化为碳氢化合物,如CH4、CO。且上述两种掺杂都使得饱和CO2水溶液中C原子转化为烃类气体的转化率得以提高。此外,又发现磷系TiO2纳米管做阳极时有利于光还原产物对CO选择性的提高,Pt掺杂TiO2纳米管做阴极时有利于光还原产物对CH4选择性的提高。所描述的技术提供了一种独特的方法,利用地球丰富的材料,光催化还原CO2和产生更高阶的碳氢化合物以及合成气的组成成分CO和H2。 展开更多
关键词 TIO2纳米管阵列 P掺杂 光电还原饱和CO2水溶液
玻片基板温度对磷掺杂真空蒸镀多晶硅薄膜的影响 预览
6
作者 迟建华 骆旭梁 +2 位作者 王思源 付传起 王宙 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2015年第12期57-58,共2页
为进一步提高多晶硅薄膜的晶化率,采用真空蒸镀法结合金属铝诱导退火处理在玻璃衬底上制备了掺杂磷的多晶硅薄膜。采用扫描电镜、激光拉曼光谱仪等研究了基板温度对磷掺杂多晶硅薄膜的组织、形貌、晶粒尺寸及晶化率的影响。结果表明:... 为进一步提高多晶硅薄膜的晶化率,采用真空蒸镀法结合金属铝诱导退火处理在玻璃衬底上制备了掺杂磷的多晶硅薄膜。采用扫描电镜、激光拉曼光谱仪等研究了基板温度对磷掺杂多晶硅薄膜的组织、形貌、晶粒尺寸及晶化率的影响。结果表明:随基板温度升高,薄膜的晶粒大小和晶化率呈先增大后减小的趋势,基板温度为150℃时,晶粒尺寸显著增大,达0.45μm左右,且具有较高的结晶度,薄膜晶化率可高达94.95%。 展开更多
关键词 多晶硅薄膜 基板温度 磷掺杂 真空蒸镀 晶化率
在线阅读 下载PDF
磷掺杂石墨烯的制备与表征 预览
7
作者 王灿 贾银娟 +1 位作者 刘志成 高焕新 《工业催化》 CAS 2014年第7期510-514,共5页
以氧化石墨烯和三苯基磷为前驱体,利用高温热处理方法制备磷掺杂石墨烯.采用X射线衍射、扫描电镜、透射电镜、选区电子衍射、能量色散谱和X射线光电子能谱对石墨烯的形貌、结构和组成进行表征.结果表明,氧化石墨烯在热处理过程中实现原... 以氧化石墨烯和三苯基磷为前驱体,利用高温热处理方法制备磷掺杂石墨烯.采用X射线衍射、扫描电镜、透射电镜、选区电子衍射、能量色散谱和X射线光电子能谱对石墨烯的形貌、结构和组成进行表征.结果表明,氧化石墨烯在热处理过程中实现原位还原和磷掺杂,合成的磷掺杂石墨烯呈透明褶皱状,含有2~5层石墨层,磷元素以P-C和P-O构型掺杂进石墨烯晶格中.通过控制反应温度可调控产物中磷元素的含量和化学态分布. 展开更多
关键词 催化化学 石墨烯 磷掺杂 热处理
在线阅读 下载PDF
杂质磷对单晶硅微结构疲劳特性的影响--基于Paris公式的分析 预览 被引量:1
8
作者 刘彬 陶俊勇 +2 位作者 张云安 陈循 王晓晶 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第24期86-92,共7页
硅基微机电系统中的单晶硅微结构常工作于循环加载状态,易发生疲劳失效。单晶硅微结构疲劳寿命的分散度较大,难以根据不同掺磷浓度试样的疲劳寿命测试数据对比分析出杂质磷对单晶硅微梁弯曲疲劳特性的影响规律,针对此问题进行研究。... 硅基微机电系统中的单晶硅微结构常工作于循环加载状态,易发生疲劳失效。单晶硅微结构疲劳寿命的分散度较大,难以根据不同掺磷浓度试样的疲劳寿命测试数据对比分析出杂质磷对单晶硅微梁弯曲疲劳特性的影响规律,针对此问题进行研究。设计一种弯曲测试结构,该结构可同时对四根微梁进行疲劳测试;设计一种简易的弯曲测试装置,该装置在满足测试精度的同时有效地控制了成本。用各向异性湿法工艺制备6组不同掺磷浓度的试样,并在常温空气环境中对试样进行弯曲疲劳测试。基于Paris公式建立一种微结构疲劳寿命预测的概率模型,用模型对测试数据进行拟合计算,得到材料常数C和n。C随掺磷浓度降低近3个量级,而n增量较小,表明C的变化占主导。所以疲劳裂纹扩展速率有随掺磷浓度增高而降低,这可为硅基微机电系统的疲劳可靠性设计提供有价值的参考。 展开更多
关键词 微机电系统 单晶硅微梁 弯曲疲劳寿命 掺磷 Paris公式
在线阅读 下载PDF
重掺磷衬底上外延层生长工艺研究 被引量:3
9
作者 高淑红 袁肇耿 赵丽霞 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第8期557-561,共5页
重掺磷衬底上硅外延片是制作集成电路开关电源的肖特基二极管和场控高频电力电子器件的首选产品。重掺磷衬底外延片可以大幅降低压降中半导体部分引起的压降所占的比例。介绍了重掺磷外延片的一种实用生产技术,在高浓度衬底外延后失配... 重掺磷衬底上硅外延片是制作集成电路开关电源的肖特基二极管和场控高频电力电子器件的首选产品。重掺磷衬底外延片可以大幅降低压降中半导体部分引起的压降所占的比例。介绍了重掺磷外延片的一种实用生产技术,在高浓度衬底外延后失配现象、杂质外扩抑制方法、减少外延过程中衬底磷杂质的挥发等方面进行了研究。在研究的基础上使用CSD公司的EpiPr05000型外延设备进行工艺试验,采用盖帽层分层生长、变流量赶气和低温度生长等工艺条件控制磷杂质的扩散和挥发,从而减少自掺杂效应,获得良好的电阻率均匀性和陡峭的外延层过渡区。试验结果已成功应用于大规模生产,得到了用户认可。 展开更多
关键词 正向压降 磷掺杂 失配 杂质扩散 杂质外扩
Preparation of phosphorus-doped carbon nanospheres and their electrocatalytic performance for 02 reduction 预览
10
作者 Ziwu Liu Feng Peng +3 位作者 Hongjuan Wang Hao Yu Wenxu Zheng Xianyong Wei 《天然气化学杂志:英文版》 EI CAS CSCD 2012年第3期 257-264,共8页
没有任何金属残余的做磷的碳 nanospheres 被综合并且描绘。结果表明做的磷原子能显著地在到转线路的展出高 electrocatalytic 活动,长期的稳定性,和优秀忍耐特别在碱的媒介完成的酸、碱的媒介,和材料为氧减小反应(ORR ) 改进 graphi... 没有任何金属残余的做磷的碳 nanospheres 被综合并且描绘。结果表明做的磷原子能显著地在到转线路的展出高 electrocatalytic 活动,长期的稳定性,和优秀忍耐特别在碱的媒介完成的酸、碱的媒介,和材料为氧减小反应(ORR ) 改进 graphitic 碳的 electrocatalytic 活动。有功能的理论表明了的密度的量力学计算在负责的变化密度和为做 P 的 graphene 表的边疆 orbitals 的精力充沛的特征能便于 ORR。 展开更多
关键词 氧还原反应 磷掺杂 石墨碳 纳米球 电催化性能 电催化活性 制备 密度泛函理论
在线阅读 下载PDF
P掺杂Pd3Fe1/C催化剂及其电催化氧还原活性 预览
11
作者 戴友志 刘进兵 +2 位作者 刘鸿 王毅 宋树芹 《催化学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第7期 1287-1291,共5页
采用化学镀技术制备了P掺杂的Pd3Fe1/C,并考察了其对氧还原的电催化性能.结果表明,制得催化剂的Pd分散性高、粒径分布均匀;P的掺杂降低了Pd3Fe1/C催化剂的Pd-Fe颗粒粒径,提高了Pd3Fe1/C上氧还原的活性,且一定程度上改善了Pd3Fe1/C催化... 采用化学镀技术制备了P掺杂的Pd3Fe1/C,并考察了其对氧还原的电催化性能.结果表明,制得催化剂的Pd分散性高、粒径分布均匀;P的掺杂降低了Pd3Fe1/C催化剂的Pd-Fe颗粒粒径,提高了Pd3Fe1/C上氧还原的活性,且一定程度上改善了Pd3Fe1/C催化剂的稳定性.当Fe/P摩尔比为1/10时,催化剂的性能最佳. 展开更多
关键词 氧还原反应 炭载催化剂 磷掺杂 电催化活性
在线阅读 下载PDF
ECR-PECVD制备n型微晶硅薄膜的研究 预览 被引量:1
12
作者 张学宇 吴爱民 +3 位作者 冯煜东 胡娟 岳红云 闻立时 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期852-856,共5页
用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)的方法制备了磷掺杂微晶硅薄膜材料。通过Hall,Raman光谱和XRD的测试分析,研究了衬底温度和磷烷流量对掺杂薄膜组织结构和电学性能的影响。根据AFM照片分析了薄膜的表面形貌,进而... 用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)的方法制备了磷掺杂微晶硅薄膜材料。通过Hall,Raman光谱和XRD的测试分析,研究了衬底温度和磷烷流量对掺杂薄膜组织结构和电学性能的影响。根据AFM照片分析了薄膜的表面形貌,进而推测了薄膜的内部组成。实验发现:衬底温度在250℃时,磷烷的加入会大大降低薄膜的晶化率。衬底温度提高到350℃后这种影响明显下降。薄膜的载流子浓度和电导率受薄膜晶化率影响明显,衬底温度的升高对薄膜电学性能提高有较大帮助。 展开更多
关键词 ECR-PECVD 磷掺杂 微晶硅薄膜 霍尔测量
在线阅读 下载PDF
Sr3Al2O6基质中Eu3+的还原 预览 被引量:2
13
作者 陈垚 金应荣 +1 位作者 吕开明 王博 《西华大学学报:自然科学版》 CAS 2010年第4期 79-81,84,共4页
掺磷是一种促进铕离子还原的新方法。本文研究了掺磷量对Sr3Al2O6基质中Eu3+还原的影响,探讨了还原样品中铕离子价态的稳定性。实验表明,磷进入了晶体格位并引起晶格常数改变,调整(NH4)3PO4.3H2O掺入量可以得到仅发出黄绿色光的Sr3Al... 掺磷是一种促进铕离子还原的新方法。本文研究了掺磷量对Sr3Al2O6基质中Eu3+还原的影响,探讨了还原样品中铕离子价态的稳定性。实验表明,磷进入了晶体格位并引起晶格常数改变,调整(NH4)3PO4.3H2O掺入量可以得到仅发出黄绿色光的Sr3Al2O6:Eu荧光材料;虽然掺磷对Eu3+的还原有非常显著的促进作用,但掺磷量足够大时仍不能使Sr3Al2O6基质中的Eu3+完全还原;在高能紫外光照射下,掺磷样品中残余的Eu3+有被还原的趋势,这对于改进铕离子的还原方法有一定的促进作用。 展开更多
关键词 还原 掺磷 铕离子
在线阅读 免费下载
掺磷纳米硅薄膜的制备及介观力学性质与介观接触电阻的研究 被引量:1
14
作者 王君雄 丁建宁 +4 位作者 程广贵 袁宁一 何宇亮 坎标 潘海滨 《真空》 CAS 北大核心 2009年第6期47-50,共4页
采用PECVD法制备的纳米硅薄膜是一种具有特殊性能的人工材料。它是由大量具有纳米量级的硅微晶粒构成,纳米硅晶粒镶嵌在由非晶硅构成网络中,其晶粒所占的体积百分比为Xc=50%,从而决定了其特有的性质。本文通过严格控制薄膜生长的工... 采用PECVD法制备的纳米硅薄膜是一种具有特殊性能的人工材料。它是由大量具有纳米量级的硅微晶粒构成,纳米硅晶粒镶嵌在由非晶硅构成网络中,其晶粒所占的体积百分比为Xc=50%,从而决定了其特有的性质。本文通过严格控制薄膜生长的工艺参数,得到了掺磷纳米硅薄膜,并通过原位纳米力学电学测试系统对其力学和电学性质进行测试,发现掺磷纳米硅薄膜的纳米硬度为5GPa,而其杨氏模量随着压入深度的增加而增大,其接触电阻与薄膜的结构密切相关。这些属性对于纳米硅薄膜微器件的制备具有重要的参考意义。 展开更多
关键词 纳米硅薄膜 掺磷 纳米接触电流 纳米压痕
Electrochemical characteristics of phosphorus doped Si-C composite for anode active material of lithium secondary batteries 预览 被引量:2
15
作者 Jae-Hyun NOH Kwan-Young LEE Joong-Kee LEE 《中国有色金属学会会刊:英文版》 EI CSCD 2009年第4期 1018-1022,共5页
磷做了硅碳合成粒子通过一个 DC 弧血浆火炬被综合。Silane (SiH4 ) 和甲烷(CH4 ) 分别地作为硅和碳的先锋被介绍进反应房间。磷化氢(PH3 ) 被用作磷掺杂物气体。综合粒子的描述被扫描电子执行显微镜学(SEM ) , X 光检查 diffractometr... 磷做了硅碳合成粒子通过一个 DC 弧血浆火炬被综合。Silane (SiH4 ) 和甲烷(CH4 ) 分别地作为硅和碳的先锋被介绍进反应房间。磷化氢(PH3 ) 被用作磷掺杂物气体。综合粒子的描述被扫描电子执行显微镜学(SEM ) , X 光检查 diffractometry (XRD ) , X 光检查光电子光谱学(XPS ) 和体积抵抗力测量。电气化学的性质被周期的测试和电气化学的电压光谱学(EVS ) 调查。在试验性的范围,磷做了合成电极展览提高了的硅碳周期性能比内在的硅和磷做了硅。当做的一个缓冲区矩阵和磷起一个重要作用提高电极的传导性,它能被解释碳的那加入进硅幕,它导致房间的周期表演的改进。 展开更多
关键词 电化学特性 磷掺杂 负极活性材料 磷硅 电池材料 锂离子 X射线光电子能谱 扫描电子显微镜
在线阅读 下载PDF
磷掺杂解决玻璃基TiO2光催化薄膜的钠扩散问题 预览 被引量:2
16
作者 王菁晶 贺蕴秋 郑江 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期 140-143,共4页
采用溶胶-凝胶法在钠钙硅玻璃上制备了纯的和掺磷的TiO2薄膜,分别用AFM、XRD分析了薄膜的表面形貌和晶相组成。磷的掺入降低了TiO2锐钛矿相的结晶度,并且可以与从钠钙硅玻璃基片中扩散至薄膜的钠离子形成磷和钠的化合物,从而降低热... 采用溶胶-凝胶法在钠钙硅玻璃上制备了纯的和掺磷的TiO2薄膜,分别用AFM、XRD分析了薄膜的表面形貌和晶相组成。磷的掺入降低了TiO2锐钛矿相的结晶度,并且可以与从钠钙硅玻璃基片中扩散至薄膜的钠离子形成磷和钠的化合物,从而降低热处理过程中钠离子扩散对TiO2薄膜光催化活性产生的不利影响。利用罗丹明B作为光催化降解物质来表征TiO2薄膜的光催化活性,在相同的实验条件下,纯的TiO2薄膜的降解率为24.3%,掺磷5%的TiO2薄膜的降解率为50.3%。 展开更多
关键词 二氧化钛 磷掺杂 钠扩散 罗丹明B
在线阅读 免费下载
A—Si:H磷掺杂固相效率 预览
17
作者 颜一凡 《湖南大学学报:自然科学版》 EI CAS CSCD 1997年第1期 15-17,28,共4页
证明了a-Si:H磷掺杂固相效率η可表示成磷气相浓度的解析函数,其系数可由磷掺杂饱和极限,悬挂键密度和带尾态电子密度等的实验值决定。
关键词 磷掺杂 固相效率 解析函数
在线阅读 下载PDF
硅基底的 CVD 扩磷工艺研究 预览
18
作者 杨旭 何晓雄 +1 位作者 胡冰冰 马志敏 《合肥工业大学学报:自然科学版》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期192-195,共4页
文章利用化学气相沉积(CVD)扩磷的方法,在单晶硅基底上进行扩磷工艺研究。采用X射线光电子能谱分析扩磷硅基底,通过原子力显微镜观察扩磷时间和温度对硅基底表面形貌的影响,并利用半导体特性测试仪研究扩磷时间和温度对硅基底 I-V... 文章利用化学气相沉积(CVD)扩磷的方法,在单晶硅基底上进行扩磷工艺研究。采用X射线光电子能谱分析扩磷硅基底,通过原子力显微镜观察扩磷时间和温度对硅基底表面形貌的影响,并利用半导体特性测试仪研究扩磷时间和温度对硅基底 I-V 特性的影响。结果表明,扩磷温度和时间对硅基底的表面粗糙度和晶粒的平均尺寸影响较大,扩磷时间越长、温度越高,硅基底的电学特性越明显。 展开更多
关键词 硅基底 扩磷工艺 表面形貌 化学气相沉积 chemical VAPOUR depo-sition(CVD)
在线阅读 免费下载
掺磷马铃薯淀粉热解碳微球的制备及其电化学性能 预览 被引量:1
19
作者 燕溪溪 李奕怀 +3 位作者 汪玲玲 吴敏昌 乔永民 王利军 《上海第二工业大学学报》 2014年第4期283-288,共6页
为了提高硬炭材料在大电流下快速充放电性能,以马铃薯淀粉为原料、磷酸为掺杂剂,在N2气氛下1000?C热解制得马铃薯淀粉基炭材料。通过热重分析(TG, Thermal Gravimetric Analysis)、扫描电子显微镜(SEM, Scanning Electron Mcroscop... 为了提高硬炭材料在大电流下快速充放电性能,以马铃薯淀粉为原料、磷酸为掺杂剂,在N2气氛下1000?C热解制得马铃薯淀粉基炭材料。通过热重分析(TG, Thermal Gravimetric Analysis)、扫描电子显微镜(SEM, Scanning Electron Mcroscope)、X射线衍射仪(XRD, X-Ray Diffraction)等测试手段对所得样品进行了详细的表征。测试结果表明:在1000?C下,磷酸的掺杂对马铃薯淀粉热解碳有一定的影响,掺杂质量分数为2%的磷酸炭化得到的样品具有比较好的球形形貌和较大的嵌锂容量。恒流充放电结果显示出样品良好的大电流充放电性能和良好的倍率性能,10C放电时,样品可逆容量达到了0.1C放电(267.78 mA · h/g)时的42.1%,且0.1C放电时首次效率达到了59.61%。 展开更多
关键词 锂离子电池 马铃薯淀粉 磷掺杂 高倍率充放电
在线阅读 下载PDF
PH3/SiH4气流量比对N型a-Si:H薄膜微观结构与电学性能的影响
20
作者 董丹 时惠英 +2 位作者 蒋百灵 鲁媛媛 张岩 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第12期1668-1673,共6页
采用等离子体增强化学气相沉积法制备了不同PH3/SiH4气流量比条件F的N型a-Si:H系列薄膜,研究了PH3/SiH4气流量比对N型a-Si:H薄膜微结构和电学性能的影响:同时,对最优PH3/SiH4气流量比条件下的N型a-Si:H薄膜进行了真空退火处理... 采用等离子体增强化学气相沉积法制备了不同PH3/SiH4气流量比条件F的N型a-Si:H系列薄膜,研究了PH3/SiH4气流量比对N型a-Si:H薄膜微结构和电学性能的影响:同时,对最优PH3/SiH4气流量比条件下的N型a-Si:H薄膜进行了真空退火处理,以研究薄膜晶体结构的改变对其性能的影响。结果表明:随着PH3/SiH4气流量比的增加,N型a-Si:H薄膜的非晶结构没有实质改变,但其电学性能得到明显改善;在最佳的PH3/SiH4气流量比为1.5%时制备的薄膜,经真空退火处理后,N型a-Si:H薄膜的有序度明显提高,电阻率比退火前降低3个数量级。退火处理对薄膜的晶体结构影响较大,从而对薄膜电学性能的改善更为显著。 展开更多
关键词 磷掺杂氢化非晶硅薄膜 磷掺杂比 退火 载流子浓度 电阻率
上一页 1 2 下一页 到第
使用帮助 返回顶部 意见反馈