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聚芴类共轭聚合物(PFs)从溶液到薄膜凝聚态演变过程中的定量构效关系
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作者 张昊 黄龙 +4 位作者 李涛 刘宾 白泽明 李小娜 陆丹 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2019年第5期397-405,共9页
聚芴(polyfluorenes,PFs)是一类具有高荧光效率和良好热稳定性的经典蓝光共轭聚合物.本研究组近年来集中于聚芴类共轭聚合物溶液中单链构象-聚集态结构-薄膜凝聚态结构-器件性能间的定量构效关系研究,利用静/动联用激光光散射等表征手段... 聚芴(polyfluorenes,PFs)是一类具有高荧光效率和良好热稳定性的经典蓝光共轭聚合物.本研究组近年来集中于聚芴类共轭聚合物溶液中单链构象-聚集态结构-薄膜凝聚态结构-器件性能间的定量构效关系研究,利用静/动联用激光光散射等表征手段,结合标度率研究方法,对PFs成膜前体溶液复杂的单链和聚集的形态结构进行了系统的研究.结合光谱与电镜等方法,揭示出PFs在溶液中孤立单链、凝聚态结构、β构象及其过渡态结构形成的动力学过程、机理及规律,构建出成膜前体溶液单链构象-薄膜中链构象-器件性能之间的定量构效关系.旨在从高分子本征性质入手,提高其光电效率.本研究不仅对聚芴类高分子,而且对整个共轭聚合物类材料的设计与加工都将具有重要的指导意义. 展开更多
关键词 共轭聚合物 链构象 聚集态结构 光电器件性能 定量构效关系
镉掺杂氧化亚铜薄膜的制备及其光电性能
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作者 赵英杰 伍泳斌 +2 位作者 王晓娟 莫德清 钟福新 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第1期43-50,共8页
采用一步水热法制备镉掺杂的Cu2O薄膜(Cd/Cu2O),分别探讨了制备过程中CuSO4浓度、NaOH浓度、反应时间、反应温度和CdSO4浓度对Cu2O和Cd/Cu2O薄膜光电性能的影响。结果表明,当反应釜中CuSO4浓度为0.114 2 mol/L、NaOH浓度为0.028 6 mol/... 采用一步水热法制备镉掺杂的Cu2O薄膜(Cd/Cu2O),分别探讨了制备过程中CuSO4浓度、NaOH浓度、反应时间、反应温度和CdSO4浓度对Cu2O和Cd/Cu2O薄膜光电性能的影响。结果表明,当反应釜中CuSO4浓度为0.114 2 mol/L、NaOH浓度为0.028 6 mol/L、反应时间为8 h、反应温度为90℃、CdSO4浓度分别为0 mol/L和0.571 4μmol/L时,可在基底Cu片上分别获得光电压为0.366 7 V的Cu2O样品和光电压为0.460 2 V的Cd/Cu2O薄膜样品。紫外可见吸收光谱(UV-Vis)、X射线衍射(XRD)图谱、扫描电子显微镜(SEM)和能谱仪(EDS)表征结果显示,Cu2O的禁带宽度为2.1 eV,而Cd/Cu2O的禁带宽度最小达到1.8 eV;Cd/Cu2O的择优生长面为(111)面,其衍射峰强度比Cu2O明显增强;Cd/Cu2O样品表面与Cu2O对比变得光滑,粒径由Cu2O的1.0~3.0μm减小到Cd/Cu2O的0.3~0.9μm。 展开更多
关键词 水热法 氧化亚铜 光电性能 光电压 Cd掺杂
TiO2纳米管刻蚀生长机理及其光电性能 预览
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作者 孙琼 游迪 +3 位作者 臧韬 吴松浩 洪永 董立峰 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第4期459-467,共9页
采用盐酸将有序排列的TiO2纳米棒刻蚀成纳米管,并推测了生长机理。刻蚀过程中,凹陷沿棒生长方向自上而下由内而外产生,最终形成管式结构。大量纳米线围绕成具有方形空心截面的纳米管,高温下将完全分裂。TiO2纳米管的光电转换效率远高于... 采用盐酸将有序排列的TiO2纳米棒刻蚀成纳米管,并推测了生长机理。刻蚀过程中,凹陷沿棒生长方向自上而下由内而外产生,最终形成管式结构。大量纳米线围绕成具有方形空心截面的纳米管,高温下将完全分裂。TiO2纳米管的光电转换效率远高于纳米棒,最高值(3.26%)出现在140℃刻蚀温度。纳米管比表面积增加和长度缩短分别对光电性能起到正反两方面作用。此外,煅烧导致纳米管断裂和聚集,光生载流子定向转移的难度增加,光电转换效率降低。 展开更多
关键词 TIO2纳米管 刻蚀 生长机理 光电性能
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静电纺丝制备MoS2/TiO2复合纳米纤维材料 预览
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作者 尹斐 刘力旗 +5 位作者 孙侠 刘业玲 肖明月 张翔 李霞 薛庆旺 《聊城大学学报:自然科学版》 2019年第3期68-74,共7页
以TiO2和MoS2为基底的纳米材料在太阳能电池、光电开关、光催化等方面应用广泛,但是单纯的TiO2和MoS2纳米材料还有诸多不足,例如:光致电子和空穴对的转移速度慢,复合率高,导致光催化量子效率低.因此本文通过静电纺丝技术合成TiO2/MoS2... 以TiO2和MoS2为基底的纳米材料在太阳能电池、光电开关、光催化等方面应用广泛,但是单纯的TiO2和MoS2纳米材料还有诸多不足,例如:光致电子和空穴对的转移速度慢,复合率高,导致光催化量子效率低.因此本文通过静电纺丝技术合成TiO2/MoS2复合纳米材料,以改善单一纳米材料的不足.首先,通过超声的方法将多层片状的MoS2固体粉碎变成小片、单层结构,之后加入TiO2的静电纺丝前体溶液中,通过调控静电纺丝的参数,得到MoS2在TiO2纳米管分散的纳米纤维结构.通过调节MoS2浓度,可以有效改善复合材料的形貌,并进一步利用XRD、TEM、SEM、IR等方法对TiO2/MoS2复合纳米材料进行详细表征.本文所制备的纳米复合材料,MoS2均匀镶嵌在TiO2内部,不易脱落,结构稳定,将在太阳能电池、光电开关、光催化等方面有潜在的应用价值. 展开更多
关键词 光电性能 静电纺丝 TiO2/MoS2复合纳米材料
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电流对不同厚度GaN基白光LED可靠性的影响及光电特性研究
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作者 曾繁响 刘倩 熊传兵 《激光杂志》 北大核心 2019年第3期32-35,共4页
制备不同厚度GaN基白光LED芯片为了研究不同厚度的芯片可靠性以及电流对光电特性的影响,应用了加速老化以及积分球测试的方法,对LED进行了电流应力的老化试验和光电性能测试,分析了光电参数在老化过程中的变化情况。实验结果显示,所有... 制备不同厚度GaN基白光LED芯片为了研究不同厚度的芯片可靠性以及电流对光电特性的影响,应用了加速老化以及积分球测试的方法,对LED进行了电流应力的老化试验和光电性能测试,分析了光电参数在老化过程中的变化情况。实验结果显示,所有的芯片随着电流的加大LED出光的相关色温上升,红色比减少;随着GaN基白光LED芯片厚度增加,峰值波长发生蓝移现象而且光通量衰减较快,在短期老化后的结果更为明显。通过对光谱曲线的数据处理,从理论上分析了峰值波长、相关色温和光通量随芯片厚度变化的原因。 展开更多
关键词 GAN基发光二极管 加速老化 积分球测试 光电性能
银掺杂氧化亚铜薄膜的制备及其光电性能
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作者 伍泳斌 赵英杰 +2 位作者 王晓娟 莫德清 钟福新 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第4期291-296,320共7页
采用水热法以Cu片为基底,Cu(NO3)2为铜源,十二烷基苯磺酸钠(SDBS)为添加剂,通过调节Ag+浓度,制备不同Ag掺杂Cu2O(Ag/Cu2O)薄膜。研究了样品的光电性能及电容-电压特性等,并用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和能谱仪(EDS)对其晶体... 采用水热法以Cu片为基底,Cu(NO3)2为铜源,十二烷基苯磺酸钠(SDBS)为添加剂,通过调节Ag+浓度,制备不同Ag掺杂Cu2O(Ag/Cu2O)薄膜。研究了样品的光电性能及电容-电压特性等,并用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和能谱仪(EDS)对其晶体结构、形貌及组成进行了表征。结果表明,当体系中Ag+浓度为0.03 mmol/L时,Ag/Cu2O薄膜的光电性能最佳,光电压和光电流密度分别为0.458 5 V和3.011 mA·cm^-2,比Cu2O薄膜分别提高了0.205 1 V和1.359 mA·cm^-2;Ag/Cu2O薄膜的载流子浓度达到3.10×10^20 cm^-3,比Cu2O薄膜提高了2.38×10^20 cm^-3。XRD,SEM和EDS结果显示,Ag/Cu2O薄膜的结晶性比Cu2O薄膜好,但其粒径有所增大,Ag/Cu2O薄膜中Ag元素的原子数分数为0.13%。 展开更多
关键词 水热法 氧化亚铜 光电性能 AG掺杂 载流子浓度
太阳能电池用FTO/NTO复合薄膜的研究 预览
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作者 辛荣生 林钰 +1 位作者 李慧灵 苏雷生 《河南教育学院学报:自然科学版》 2019年第1期59-62,共4页
采用磁控溅射法在玻璃衬底上制备了FTO/NTO复合薄膜.通过紫外可见光谱(UV-vis)、双电测四探针仪和电化学工作站对薄膜的光电性能进行表征,测量并分析了NTO阻挡层(兼作传输层)厚度改变对FTO/NTO复合薄膜组装器件光电性能的影响.实验结果... 采用磁控溅射法在玻璃衬底上制备了FTO/NTO复合薄膜.通过紫外可见光谱(UV-vis)、双电测四探针仪和电化学工作站对薄膜的光电性能进行表征,测量并分析了NTO阻挡层(兼作传输层)厚度改变对FTO/NTO复合薄膜组装器件光电性能的影响.实验结果表明:阻挡层厚度的变化能改变光生载流子的寿命,当NTO薄膜厚度为90 nm时,光生载流子寿命最高,阻挡层抑制光生载流子复合的效果最好;FTO/NTO复合薄膜的可见光透过率可达84%以上,同时能满足正向电子传输的导电要求. 展开更多
关键词 磁控溅射 FTO/NTO复合薄膜 NTO薄膜厚度 阻挡层 光电性能
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衬底温度对共溅射法制备TZO薄膜光电性能的影响
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作者 何双赐 钟志成 +2 位作者 魏彦锋 汪竞阳 张旭明 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2019年第1期108-111,共4页
以金属Ti和ZnO陶瓷作为溅射靶材,采用直流和射频双靶磁控共溅射方法在玻璃衬底上制备Ti掺杂ZnO(TZO)透明导电薄膜,探究了衬底温度对薄膜光电性能的影响。采用扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计和四探针... 以金属Ti和ZnO陶瓷作为溅射靶材,采用直流和射频双靶磁控共溅射方法在玻璃衬底上制备Ti掺杂ZnO(TZO)透明导电薄膜,探究了衬底温度对薄膜光电性能的影响。采用扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计和四探针测试仪对薄膜微观形貌、结构及光电性能进行了表征和分析。结果表明:制备的TZO薄膜均具有C轴取向生长的六角纤锌矿结构,衬底温度为350℃时TZO薄膜结晶质量最好,电阻率最小,为2.78×10^-3Ω·cm,品质因子最高,达到334.1S/cm。所有薄膜样品在波长380~780nm区间平均透过率大于91%,随着衬底温度的升高,TZO薄膜的吸收边出现了蓝移。 展开更多
关键词 TZO薄膜 共溅射 衬底温度 光电性能
沉积时间对Sn-Mg共掺ZnO薄膜光电性能的影响
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作者 王玉新 崔潇文 +4 位作者 臧谷丹 赵帅 李真 王磊 丛彩馨 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期123-128,共6页
采用超声喷雾热解法在石英玻璃衬底上,在衬底温度为440℃,喷嘴到衬底距离为4 cm,掺杂原子(Zn∶Mg∶Sn)比例为97.6∶2∶0.4,载气流量为0.8 L/min的固定条件下,制备了不同薄膜沉积时间(5 min、7 min、9 min、11 min)的Sn-Mg共掺的ZnO薄膜... 采用超声喷雾热解法在石英玻璃衬底上,在衬底温度为440℃,喷嘴到衬底距离为4 cm,掺杂原子(Zn∶Mg∶Sn)比例为97.6∶2∶0.4,载气流量为0.8 L/min的固定条件下,制备了不同薄膜沉积时间(5 min、7 min、9 min、11 min)的Sn-Mg共掺的ZnO薄膜。并用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、光致发光谱(PL)、紫外可见分光光度计(UV-VIS)、薄膜测厚仪(SCG-10)和伏安特性曲线(I-V)对薄膜的结构、表面形貌、发光性能、透过率、膜厚和电学性能进行了一系列表征。当沉积时间为7 min时,XRD表明,薄膜的(101)峰强度最大,择优取向明显。SEM图显示薄膜表面致密光滑,颗粒均匀,尺寸最大且形貌最佳。PL谱在372 nm处的发射峰强度最大,峰形最尖锐,所有薄膜的透过率在可见光区域都超过了80%,表现出了很好的光透过性能。从薄膜的I-V特性曲线可计算出此时的电阻最小,导电性能最佳。 展开更多
关键词 超声喷雾热解法 Sn-Mg共掺 ZNO薄膜 沉积时间 光电特性
Meso-四(对-甲基苯基)卟啉金属络合物的光电性质研究 预览
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作者 田俊强 张晓娟 +1 位作者 操礼龙 魏义男 《化工时刊》 CAS 2019年第4期5-8,40共5页
本文采用Adler法合成Meso-四(对-甲基苯基)卟啉(TMPP),采用两步法合成Meso-四(对-甲基苯基)金属卟啉(TMPP-Mn/Fe/Co/Ni/Cu/Zn),利用红外光谱、紫外-可见光谱和荧光光谱对它们进行结构表征及光性能研究分析,并用循环伏安特性试验法进行... 本文采用Adler法合成Meso-四(对-甲基苯基)卟啉(TMPP),采用两步法合成Meso-四(对-甲基苯基)金属卟啉(TMPP-Mn/Fe/Co/Ni/Cu/Zn),利用红外光谱、紫外-可见光谱和荧光光谱对它们进行结构表征及光性能研究分析,并用循环伏安特性试验法进行电化学性质研究分析。 展开更多
关键词 Meso-四(对-甲基苯基)卟啉 金属卟啉 表征 光电性能
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化学制备硫化铅芯片的光电性能研究 预览
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作者 邹红军 张翔 +1 位作者 魏小梅 杨剑 《电子工艺技术》 2019年第1期54-57,共4页
把具有一定光电性能的硫化铅芯片封装在不同结构的外壳中,就构成了各种各样的硫化铅红外探测器。通过化学沉淀的方法制作硫化铅芯片,并且对硫化铅芯片进行了温度处理。经过一段时间的存放后测试硫化铅芯片的表面形态、物质构成、内部结... 把具有一定光电性能的硫化铅芯片封装在不同结构的外壳中,就构成了各种各样的硫化铅红外探测器。通过化学沉淀的方法制作硫化铅芯片,并且对硫化铅芯片进行了温度处理。经过一段时间的存放后测试硫化铅芯片的表面形态、物质构成、内部结构和晶体生长方向等。根据测量结果研究了硫化铅芯片不同的微观结构对其光谱和光电性能的影响,确定了提高硫化铅芯片光电性能的研究方向。 展开更多
关键词 硫化铅芯片 化学沉淀 微观结构 光电性能
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H2对Al-Si-GNP共掺杂ZnO透明导电薄膜性能的影响 预览
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作者 丁春华 汪国庆 +1 位作者 段光申 姜宏 《海南大学学报:自然科学版》 CAS 2019年第1期1-5,共5页
以玻璃为基底,采用射频磁控溅射法制备了Al2O3、SiO2、氧化石墨烯(GNP)共掺杂氧化锌(GASZO)透明导电薄膜.考察了在Ar(流量不变)中H2流量对薄膜制备的影响.采用X射线衍射仪(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)等对薄膜形貌、结构进行了表征.结果... 以玻璃为基底,采用射频磁控溅射法制备了Al2O3、SiO2、氧化石墨烯(GNP)共掺杂氧化锌(GASZO)透明导电薄膜.考察了在Ar(流量不变)中H2流量对薄膜制备的影响.采用X射线衍射仪(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)等对薄膜形貌、结构进行了表征.结果表明薄膜晶相为纤锌矿结构、呈c轴择优取向;Scherrer公式计算发现增加H2量,可以减小薄膜的平均晶粒尺寸;H2流量对薄膜内应力影响较大.此外,还采用四探针测试仪、紫外—可见分光光度计(UV-Vis)等对薄膜的光电性能进行了表征.当Ar流量为70 sccm、H2占溅射气氛1. 00%时,薄膜具有最低电阻率7. 746×10-4Ω·cm;适量的H2流量可以提高玻璃在近紫外区的透过率;镀膜后样品在可见光区的平均透过率为90%左右. 展开更多
关键词 射频磁控溅射 共掺杂 ZNO薄膜 光电性能
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新型层状多阴离子化合物Bi3O3SeBr的晶体结构和物理性质 预览
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作者 雷萌 尹从岭 雷秀云 《有色金属科学与工程》 CAS 2019年第3期34-40,共7页
采用传统高温固相法合成了Bi3O3SeBr,采用粉末衍射、第一性原理计算、漫反射光谱和光电性能测试,系统研究了Bi3O3SeBr的晶体结构和物理性质.结果表明:Bi3O3SeBr为四方晶系,空间群为P4/nmm,晶胞参数a=3.92284(6)A,c=20.23814(3)A.其晶体... 采用传统高温固相法合成了Bi3O3SeBr,采用粉末衍射、第一性原理计算、漫反射光谱和光电性能测试,系统研究了Bi3O3SeBr的晶体结构和物理性质.结果表明:Bi3O3SeBr为四方晶系,空间群为P4/nmm,晶胞参数a=3.92284(6)A,c=20.23814(3)A.其晶体结构中包含有3种原子层:Bi2O2层,Se离子层和Br离子双层.Se离子层和Br离子双层位于Bi2O2层中间,形成Bi2O2Se和BiOBr结构单元.Bi3O3SeBr可以看做是由Bi2O2Se和BiOBr结构单元沿着c方向共用Bi2O2层而组成的.Bi3O3SeBr为间接带隙的n-型半导体,间接带隙为0.42eV.价带顶部的能态是由Se4p能带所决定,而导带底的能态主要由Bi6p能带构成.在可见光照射下Bi3O3SeBr表现出稳定的光电性能,其光生电流密度为0.70μA/cm^2,高于Bi2O2Se,在光电探测领域具备一定应用前景. 展开更多
关键词 晶体结构 粉末衍射 层状结构 光电性能 多阴离子化合物
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磁控溅镀法制备Al掺杂ZnO薄膜的特性分析
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作者 孙彦清 娄本浊 黄朝军 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2019年第3期485-490,共6页
以射频磁控溅镀法在柔性聚碳酸酯基板上成长Al掺杂ZnO薄膜,利用XRD、AES、霍尔效应测试仪及单色分光计测量分析Al靶功率对薄膜光电特性的影响.XRD分析表明所有薄膜的衍射峰皆以(002)面为主,Al靶功率为25 W时(002)面衍射峰强度最大,此时... 以射频磁控溅镀法在柔性聚碳酸酯基板上成长Al掺杂ZnO薄膜,利用XRD、AES、霍尔效应测试仪及单色分光计测量分析Al靶功率对薄膜光电特性的影响.XRD分析表明所有薄膜的衍射峰皆以(002)面为主,Al靶功率为25 W时(002)面衍射峰强度最大,此时薄膜结晶性最佳;AES分析表明随着Al靶功率的增大,Al含量由0 at.%增至18.01 at.%,Zn含量则由72.51 at.%降至38.39 at.%,而O含量没有太大变化,这说明Al可以取代ZnO中Zn的位置;霍尔效应测量表明Al靶功率为25 W时电阻率最小,约为7.75×10^-4Ω·cm,而载子浓度及其迁移率则达到最大,分别约为9.35×10^20 cm^-3与8.64 cm^2/(V·s);分光计测量表明薄膜在可见光区的平均透射率可约达90%以上,说明本研究制备的Al掺杂ZnO薄膜是具有高透射率的透明导电薄膜. 展开更多
关键词 透明导电薄膜 ZNO薄膜 AL掺杂 柔性基板 射频磁控溅镀 光电特性
钙钛矿太阳能电池用Cu2ZnSnS4空穴传输薄膜制备综合实验设计 预览
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作者 朱磊 赵宇龙 +4 位作者 陈辉 宋健 邢政 顾修全 强颖怀 《教育教学论坛》 2019年第3期270-272,共3页
为了让材料科学与工程类本科生了解和掌握光伏转换原理和光伏器件的制备,将Cu2ZnSnS4纳米材料的合成及其光伏应用研究引入到实验教学中,设计了基于Cu2ZnSnS4为空穴传输材料的钙钛矿太阳能电池的制备工艺及其光电性能研究的综合实验。该... 为了让材料科学与工程类本科生了解和掌握光伏转换原理和光伏器件的制备,将Cu2ZnSnS4纳米材料的合成及其光伏应用研究引入到实验教学中,设计了基于Cu2ZnSnS4为空穴传输材料的钙钛矿太阳能电池的制备工艺及其光电性能研究的综合实验。该实验操作简单,有助于提高学生实验兴趣及动手能力,可作为材料类专业的综合性实验项目. 展开更多
关键词 Cu2ZnSnS4 钙钛矿太阳能电池 空穴传输材料 光电性能
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由芳香羧酸构筑的系列Ni(Ⅱ)配合物的合成、结构及光电性能 预览
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作者 贠吉星 胡志莉 +7 位作者 李禹蒙 金晶 陈冲 鄢欣 刘永华 丁榆 迟玉贤 牛淑云 《高等学校化学学报》 CSCD 北大核心 2018年第10期2161-2169,共9页
采用水热法设计合成了6个基于芳香羧酸的Ni(Ⅱ)配合物:[Ni(pz)4(H 2O)2]52H 2btc5H 2O(1),{[Ni 2(pz)8(btec)]54H 2O}n(2),{[Ni(H 2btec)(phen)]0x0E0xFF瘙0x01簚0x0F2H 2O}n(3),[Ni(Hbdc)2(pz)4](4),{{[Ni 3(bdc)3(pz)12]·}2H 2O}... 采用水热法设计合成了6个基于芳香羧酸的Ni(Ⅱ)配合物:[Ni(pz)4(H 2O)2]52H 2btc5H 2O(1),{[Ni 2(pz)8(btec)]54H 2O}n(2),{[Ni(H 2btec)(phen)]0x0E0xFF瘙0x01簚0x0F2H 2O}n(3),[Ni(Hbdc)2(pz)4](4),{{[Ni 3(bdc)3(pz)12]·}2H 2O}n(5)和[Ni(bdc)(pz)2(H 2O)]n(6)(pz=吡唑,H 3btc=1,3,5-苯三甲酸,{H 4btec=1,2,4,5-苯四甲酸,}phen=1,10-邻菲罗啉,H 2bdc=邻苯二甲酸).通过单晶X射线衍射、红外光谱(IR)、紫外-可见-近红外吸收光谱、元素分析、粉末X射线衍射(XRD)和表面光电压光谱(SPS)对其进行了结构和性质表征.6个配合物的金属Ni(Ⅱ)中心呈五或六配位.配合物1和4具有完全由氢键网联成的2D超分子结构;配合物2和3是通过采取单齿/桥双齿配位模式的btec 4-构筑的2D配位骨架结构;配合物5和6是由采取单齿/螯合双齿配位模式的bdc 2-构筑的1D配位骨架结构,并由氢键连接成2D结构.6个配合物在紫外和可见光诱导下均呈现出一定的光-电转换性能.当对配合物施加外加电场时,6个配合物的光电响应因配合物组成、结构键连方式以及配体种类的不同而呈现规律性变化. 展开更多
关键词 芳香羧酸 Ni(Ⅱ)配合物 晶体结构 光物理性质 光电性能
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4,5-二苯基-2-(9-苯基-9H-3-咔唑基)-1H-咪唑的合成及其性能 预览
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作者 彭化南 林娜 +3 位作者 吴丽丹 肖琳 叶红德 郑劼 《合成化学》 CAS CSCD 北大核心 2018年第10期753-756,共4页
以联苯甲酰、对溴苯甲醛和乙酸铵为原料,经缩合反应制得2-(4-溴苯基)-4,5-二苯基咪唑(1),1与N-苯基-3-咔唑硼酸经Suzuki偶联反应合成了-种具有D-p-A结构的新型咪唑衍生物4,5-二苯基-2-(9-苯基-9H-3-咔唑基)-1H-咪唑(2),其结构经... 以联苯甲酰、对溴苯甲醛和乙酸铵为原料,经缩合反应制得2-(4-溴苯基)-4,5-二苯基咪唑(1),1与N-苯基-3-咔唑硼酸经Suzuki偶联反应合成了-种具有D-p-A结构的新型咪唑衍生物4,5-二苯基-2-(9-苯基-9H-3-咔唑基)-1H-咪唑(2),其结构经^1HNMR,^13CNMR,IR和MS(EI)表征,采用FL,UV-Vis,循环伏安法(CV)和理论计算对2的光电性能进行了研究,结果表明:2的最大吸收波长为302nm和326nm,荧光发射波长为395nm和412nm,HOMO和LUMO轨道能级分别为5.35eV和2.14eV。 展开更多
关键词 咪唑 咔唑 SUZUKI偶联 合成 光学性能
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磁控溅射Nb掺杂TiO2薄膜的研究
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作者 辛荣生 苏雷生 +1 位作者 林钰 姚志强 《真空科学与技术学报》 CSCD 北大核心 2018年第6期521-526,共6页
用射频/直流溅射法研制了铌掺杂TiO2透明导电薄膜。实验结果表明:Nb以正五价态掺入TiO2晶格中,随着Nb掺杂量的逐渐增加,薄膜的电阻率出现先降后升的变化,在掺杂溅射功率为40 W时,薄膜电阻率降至7.3×10-4Ω·cm,可见光透过率高... 用射频/直流溅射法研制了铌掺杂TiO2透明导电薄膜。实验结果表明:Nb以正五价态掺入TiO2晶格中,随着Nb掺杂量的逐渐增加,薄膜的电阻率出现先降后升的变化,在掺杂溅射功率为40 W时,薄膜电阻率降至7.3×10-4Ω·cm,可见光透过率高达86%以上。并且,Nb掺杂使TiO2薄膜的吸收限产生了蓝移,随着Nb掺杂量的增加,薄膜蓝移程度逐渐增大,说明该TiO2薄膜为n型掺杂。研究认为,控制Nb掺杂量达最佳时,使晶格中产生较多的载流子,以及良好晶体结构产生较大的载流子迁移率,能使Nb掺杂TiO2透明导电薄膜的性能参数得到有效改善。 展开更多
关键词 磁控溅射 Nb掺杂 TIO2薄膜 结构 光电性能
Ag电极对钙钛矿太阳能电池性能的影响
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作者 闫春花 刘志勇 +8 位作者 贾福金 车俐佳 谷朝辉 郭艳群 曾琳 白传易 鲁玉明 范峰 蔡传兵 《化工新型材料》 CSCD 北大核心 2018年第7期185-190,共6页
采用两步浸泡法制备了不含有PbI2的CH3NH3PbI3钙钛矿型光吸收材料。通过真空热蒸镀制备了钙钛矿太阳能电池银背电极并观察分析了热蒸发条件对银电极的影响,进而探讨了银电极对钙钛矿太阳能电池光电性能的影响。研究发现快速沉积银电极... 采用两步浸泡法制备了不含有PbI2的CH3NH3PbI3钙钛矿型光吸收材料。通过真空热蒸镀制备了钙钛矿太阳能电池银背电极并观察分析了热蒸发条件对银电极的影响,进而探讨了银电极对钙钛矿太阳能电池光电性能的影响。研究发现快速沉积银电极会影响其与空穴传输层的接触,增加串联电阻,减小电荷抽取面积。另外通过暗电流曲线与光照条件下的J-V曲线对比发现,热蒸镀银电极时较强的辐射对钙钛矿电池的有机层造成了损害。 展开更多
关键词 钙钛矿层 热蒸发电流 银电极 光电性能
高压下光电材料结构相变及物理性能的研究进展 被引量:1
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作者 李莎莎 张刚华 曾涛 《机械工程材料》 CSCD 北大核心 2018年第6期1-6,共6页
高压技术能够有效调节光电材料的晶格和电子态,是调控光电材料物理性能的可行手段及合成新光电材料的重要方法。概述了国内外光电材料的高压研究现状,介绍了高压作用对光电材料晶体结构、电子构型及物理性能的影响,分析了高压下光吸收... 高压技术能够有效调节光电材料的晶格和电子态,是调控光电材料物理性能的可行手段及合成新光电材料的重要方法。概述了国内外光电材料的高压研究现状,介绍了高压作用对光电材料晶体结构、电子构型及物理性能的影响,分析了高压下光吸收、电导率及光电性能的增强机制,探讨了压力诱导结构相变与物理性能的内在联系。展望了光电材料高压研究的发展。 展开更多
关键词 光电材料 晶体结构 物理性能 高压
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