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激发功率对GaInNAs单量子阱材料的光致发光的影响 预览
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作者 莫敏·赛来 奥布力喀斯木·祖农 普拉提·艾合买提 《电子测试》 2018年第8期42-43,48共3页
Ga(In)AsN材料是一种新颖的半导体材料,对其进行适当的n型掺杂后其能带可调,宽度可调范围为0.8-1.4eV,并且与Ge、GaAs衬底材料晶格匹配。这种独特的性能为新型光电器件的研发和应用提供了一个不可取代的候选材料。通过低温(T=10K)... Ga(In)AsN材料是一种新颖的半导体材料,对其进行适当的n型掺杂后其能带可调,宽度可调范围为0.8-1.4eV,并且与Ge、GaAs衬底材料晶格匹配。这种独特的性能为新型光电器件的研发和应用提供了一个不可取代的候选材料。通过低温(T=10K)光致发光方法研究了激发功率密度对GaInNAs/GaAs单层子阱结构光致发光(PL)性能的影响。 展开更多
关键词 化合物半导体 希氮 光致发光 载流子浓度 激子 复合 束缚态
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基于肖特基电流输运模型和扫描分布电阻显微术的窄量子阱载流子浓度表征 预览
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作者 黄文超 王晓芳 +2 位作者 陈效双 薛玉雄 杨生胜 《红外与毫米波学报》 CSCD 北大核心 2018年第6期668-672,共5页
目前对于纳米尺度半导体材料的局域电导与对应载流子浓度关系的描述主要以参数拟合为主。其关系模型主要依赖人工拟合参数,例如理想因子。所以无法从测得局域电导分布来推出载流子浓度分布。为此,提出了一种获取量子阱中载流子浓度的模... 目前对于纳米尺度半导体材料的局域电导与对应载流子浓度关系的描述主要以参数拟合为主。其关系模型主要依赖人工拟合参数,例如理想因子。所以无法从测得局域电导分布来推出载流子浓度分布。为此,提出了一种获取量子阱中载流子浓度的模型。通过小于10 nm分辨的截面扫描分布电阻显微术,测得了GaAs/AlGaAs量子阱(110)截面的局域电导分布。基于实验设置,提出了只含有掺杂浓度参量的实验描述模型。通过模型,由测得的量子阱(掺杂浓度从10^16/cm^3到10^18/cm^3)局域电导分布,推导出了其载流子分布。相对误差在30%之内。 展开更多
关键词 载流子浓度 量子阱 扫描分布电阻显微术 肖特基
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Performance improvement of InGaN/GaN multiple quantum well visible-light photodiodes by optimizing TEGa flow
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作者 黎斌 黄善津 +4 位作者 王海龙 吴华龙 吴志盛 王钢 江灏 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第8期423-428,共6页
(MQW ) InGaN/GaN 多重量的表演很好基于可见光的 Schottky 光电二极管(PD ) 被在 InGaN QW 生长期间优化 TEGa 的来源流动改进。有五对的 InGaN/GaN MQW 的样品被金属在蓝宝石底层上种器官的化学蒸汽免职。从制作 Schottky 障碍 PD,... (MQW ) InGaN/GaN 多重量的表演很好基于可见光的 Schottky 光电二极管(PD ) 被在 InGaN QW 生长期间优化 TEGa 的来源流动改进。有五对的 InGaN/GaN MQW 的样品被金属在蓝宝石底层上种器官的化学蒸汽免职。从制作 Schottky 障碍 PD,越小,被发现那 TEGa 流动,越多降低反向偏爱的漏。光电流能被与使用更低的 TEGa 流动扔 InGaN QW 也提高。1.94 A/W 的高 responsivity 在与优化 TEGa 流动种的 PD 在 470 nm 和 3-V 偏爱被获得。更低的 TEGa 流动使用了扔 InGaN 的分析结果表演可以与改进 InGaN/GaN 接口导致优异水晶的质量,并且不太结构的缺点联系在 MQW 形成的非放射的再结合中心。 展开更多
关键词 INGAN/GAN 多量子阱结构 性能改进 金属有机化学气相沉积法 光电二极管 优化 FLOW 可见光
纤锌矿InGaN staggered量子阱中的激子态和光学性质
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作者 王玉平 耿振铎 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期515-519,共5页
本文将基于有效质量近似下的变分法,理论研究了纤锌矿InGaN/GaN staggered量子阱中的激子态和光学性质.数值结果显示了InGaN量子阱中的量子尺寸和staggered受限垒对束缚于量子阱中的激子态和光学性质有着明显的影响.当阱宽增加时,量子... 本文将基于有效质量近似下的变分法,理论研究了纤锌矿InGaN/GaN staggered量子阱中的激子态和光学性质.数值结果显示了InGaN量子阱中的量子尺寸和staggered受限垒对束缚于量子阱中的激子态和光学性质有着明显的影响.当阱宽增加时,量子受限效应减弱,激子结合能降低,带间发光波长增加.另一方面,当量子阱中staggered受限势增加时,量子受限效应增强,激子结合能升高,带间发光波长降低.本文的理论结果证明了可以通过调节staggered垒高和量子尺寸来调控纤锌矿InGaN staggered量子阱中的激子态和光学性质. 展开更多
关键词 光学性质 量子阱 极化场
大功率高效率2μm锑化镓基量子阱激光器 预览 被引量:1
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作者 廖永平 张宇 +6 位作者 杨成奥 黄书山 柴小力 王国伟 徐应强 倪海桥 牛智川 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期672-675,共4页
通过MBE外延系统生长了22μGaSb基A1GaAsSb/InGaSbI型量子阱激光器,并制备了宽面条形波导激光器件,在20℃工作温度下,器件最大连续激射功率达到1.058W,当注入电流为0.5A时,峰值波长为1.977μ,最大能量转换效率为20.2%,在... 通过MBE外延系统生长了22μGaSb基A1GaAsSb/InGaSbI型量子阱激光器,并制备了宽面条形波导激光器件,在20℃工作温度下,器件最大连续激射功率达到1.058W,当注入电流为0.5A时,峰值波长为1.977μ,最大能量转换效率为20.2%,在脉冲频率为1000Hz,占空比为5%的脉冲工作模式下,最大激射功率为2.278W. 展开更多
关键词 大功率 激光二极管 中红外 量子阱
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电子在多量子阱中传输特性分析
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作者 姚惠林 路纲 陈朝辉 《量子光学学报》 北大核心 2015年第3期266-269,共4页
本文通过求解泊松方程、电流连续性方程、载流子传输方程、量子力学波动方程、热传输方程、标量波动方程以及一些描述载流子特性和边界条件等的理论公式来分析多量子体系中电子的分布问题,并用实验的方法证明了理论结果。
关键词 多量子阱 电子分布 量子力学
一种新型量子阱中三次谐波的研究 预览
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作者 郭康贤 张仲敏 《广州大学学报:自然科学版》 CAS 2015年第1期25-30,共6页
在一种新型势阱下,理论上研究了量子阱中三次谐波系数.在有效质量近似下,通过求解薛定谔方程得到了相关波函数和能级,并利用密度矩阵理论和迭代法得到了三次谐波系数的表达式.研究结果表明,三次谐波系数受到新型势阱宽度d和参数U0的强... 在一种新型势阱下,理论上研究了量子阱中三次谐波系数.在有效质量近似下,通过求解薛定谔方程得到了相关波函数和能级,并利用密度矩阵理论和迭代法得到了三次谐波系数的表达式.研究结果表明,三次谐波系数受到新型势阱宽度d和参数U0的强烈影响. 展开更多
关键词 量子阱 三次谐波
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Ag纳米点阵的等离激元对LED的发光增强研究 预览
8
作者 高俊 《常熟理工学院学报》 2015年第4期75-78,共4页
通过研究LED的有源层(量子阱)和Ag纳米点阵的表面等离激元(SPP)、局域等离激元(LSP)的电磁增强效应产生有效的近场耦合(near-field coupling)作用,分析Ag纳米点阵对LED发光增强的影响.研究表明,Ag点阵的SPP、LSP对LED量子阱存... 通过研究LED的有源层(量子阱)和Ag纳米点阵的表面等离激元(SPP)、局域等离激元(LSP)的电磁增强效应产生有效的近场耦合(near-field coupling)作用,分析Ag纳米点阵对LED发光增强的影响.研究表明,Ag点阵的SPP、LSP对LED量子阱存在发光增强作用,在15%左右的Ag点阵覆盖率下可使量子阱发光有约10%的增强.而在更高的覆盖率下,反而出现发光减弱. 展开更多
关键词 等离激元 Ag纳米点阵 量子阱 时间分辨光谱
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Coupling effect of quantum wells on band structure
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作者 陈杰 曾维友 《半导体学报:英文版》 EI CAS CSCD 2015年第10期31-34,共4页
The coupling effects of quantum wells on band structure are numerically investigated by using the Matlab programming language.In a one dimensional finite quantum well with the potential barrier V0,the calculation is p... The coupling effects of quantum wells on band structure are numerically investigated by using the Matlab programming language.In a one dimensional finite quantum well with the potential barrier V0,the calculation is performed by increasing the number of inserted barriers with the same height V b,and by,respectively,varying the thickness ratio of separated wells to inserted barriers and the height ratio of V b to V0.Our calculations show that coupling is strongly influenced by the above parameters of the inserted barriers and wells.When these variables change,the width of the energy bands and gaps can be tuned.Our investigation shows that it is possible for quantum wells to achieve the desired width of the bands and gaps. 展开更多
关键词 耦合效应 量子阱 带结构 程序设计语言 数值研究 计算表 分离式 厚度比
High power laser diodes of 2μm AlGaAsSb/InGaSb type I quantum-wells
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作者 廖永平 张宇 +5 位作者 邢军亮 魏思航 郝宏玥 王国伟 徐应强 牛智川 《半导体学报:英文版》 EI CAS CSCD 2015年第5期50-53,共4页
2 /zm AlGaAsSb/InGaSb type-Ⅰ quantum-well high-power laser diodes(LDs) are grown using molecular beam epitaxy.Stripe-type waveguide single LD(single emitter) and array LD(four emitters) devices without facet coatings... 2 /zm AlGaAsSb/InGaSb type-Ⅰ quantum-well high-power laser diodes(LDs) are grown using molecular beam epitaxy.Stripe-type waveguide single LD(single emitter) and array LD(four emitters) devices without facet coatings are fabricated.For the single LDs(single emitter) device,the maximum output power under continuous wave(CW) operation is 0.5 W at 10℃ with a threshold current density of 150 A/cm~2 and a slope efficiency of 0.17 W/A,the output powers under the pulse mode in the 5%duty cycles are much higher,up to 0.98 W.For the array LD devices,the maximum output powers are 1.02 W under the CW mode and 3.03 W under the pulse mode at room temperature. 展开更多
关键词 激光二极管 高功率 量子阱 最大输出功率 阈值电流密度 涂层设备 脉冲模式 外延生长
新型低维结构锑化物红外探测器的研究与挑战 被引量:2
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作者 王国伟 徐应强 牛智川 《中国科学:物理学、力学、天文学》 CSCD 北大核心 2014年第4期368-389,共22页
红外光电探测器已经历了半个多世纪的发展,先后出现了机械扫描式单元及线列探测器和凝视型红外焦平面探测器两代探测器技术,并形成了一个庞大的红外探测器器件家族.近年来人们逐渐提出了以高探测率、大面阵、低成本、多光谱为技术特... 红外光电探测器已经历了半个多世纪的发展,先后出现了机械扫描式单元及线列探测器和凝视型红外焦平面探测器两代探测器技术,并形成了一个庞大的红外探测器器件家族.近年来人们逐渐提出了以高探测率、大面阵、低成本、多光谱为技术特点的第三代红外探测器概念.锑化物红外探测材料以其具备的优越光电性能:量子效率高,暗电流小,微带带隙可调,均匀性高、成本低等,成为第三代红外焦平面探测器的最优选材料.本文回顾了近年来国内外第三代红外探测器材料与器件的研究发展历程,重点阐明了锑化物II类超晶格红外探测材料在技术上的优势及其国内外发展现状.通过分析个多个重点研究机构的技术发展历程,阐明了锑化物材料与器件研究的发展趋势,面临的挑战以及今后数年内该领域的研究重点. 展开更多
关键词 锑化物 6 1A族材料 II类超晶格 红外探测器 焦平面 量子阱
带间级联激光器:从原始概念到实际器件 预览 被引量:1
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作者 楊瑞青 李路 江宇超 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2014年第4期169-190,共22页
本文讨论了带间级联激光器中相关的概念,材料体系和生长,器件制造,量子阱结构和物理过程,回顾了它们从原始的概念到实际器件的发展历程。介绍了最近的进展和目前的状态,并讨论了带间级联激光器的未来前景。
关键词 中红外 量子阱 二极管激光器 锑化物 二类异质结
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非对称ZnO/ZnMgO双量子阱内量子效率的提高 预览 被引量:1
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作者 尚开 张振中 +6 位作者 李炳辉 徐海阳 张立功 赵东旭 刘雷 王双鹏 申德振 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期872-876,共5页
在c-plane面蓝宝石衬底上生长了ZnO/Zn0.85Mg0.15O非对称双量子阱,其内量子效率相对于对称量子阱有了显著的提高。ZnO/Zn0.85Mg0.15O的10周期对称量子阱和5周期非对称双量子阱都是利用等离子体辅助分子束外延技术制备的。ZnO/Zn0.85Mg0... 在c-plane面蓝宝石衬底上生长了ZnO/Zn0.85Mg0.15O非对称双量子阱,其内量子效率相对于对称量子阱有了显著的提高。ZnO/Zn0.85Mg0.15O的10周期对称量子阱和5周期非对称双量子阱都是利用等离子体辅助分子束外延技术制备的。ZnO/Zn0.85Mg0.15O非对称双量子阱的内量子效率提高至对称阱的1.56倍。时间分辨光谱和光致发光谱测试结果证实,在ZnO/Zn0.85Mg0.15O非对称双量子阱中存在从窄阱到宽阱的激子隧穿过程,这是内量子效率提高的主要原因。 展开更多
关键词 ZNO 量子阱 激子隧穿 内量子效率
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电子束泵浦氧化锌基量子阱的斯塔克效应 预览
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作者 尚开 张振中 +6 位作者 李炳辉 徐海阳 张立功 赵东旭 刘雷 王双鹏 申德振 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第10期1270-1274,共5页
在不同功率密度的电子束泵浦条件下,对ZnO/Zn0.85Mg0.15O非对称双量子阱的荧光光谱进行了研究,并采用蒙特卡罗仿真模拟对测试结果进行了分析。模拟的结果和实验结果高度吻合。观测到了不随穿透深度变化的阱区发光峰红移,证明表面电荷... 在不同功率密度的电子束泵浦条件下,对ZnO/Zn0.85Mg0.15O非对称双量子阱的荧光光谱进行了研究,并采用蒙特卡罗仿真模拟对测试结果进行了分析。模拟的结果和实验结果高度吻合。观测到了不随穿透深度变化的阱区发光峰红移,证明表面电荷积累引起了量子限域斯塔克效应。 展开更多
关键词 ZNO 量子阱 电子束泵浦 量子限域斯塔克效应
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电子束泵浦ZnO/ZnMgO量子阱的最佳激发电压 预览
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作者 尚开 张振中 +6 位作者 李炳辉 徐海洋 张立功 赵东旭 刘雷 王双鹏 申德振 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期692-697,共6页
对不同加速电压电子束泵浦下的ZnO/Zn0.85Mg0.15O量子阱的荧光光谱进行了研究。样品利用分子束外延技术在蓝宝石衬底上生长。激子隧穿使非对称双量子阱的激发效率相对于对称阱有了明显提高。非对称阱的结构设计使最佳激发电压从对称阱的... 对不同加速电压电子束泵浦下的ZnO/Zn0.85Mg0.15O量子阱的荧光光谱进行了研究。样品利用分子束外延技术在蓝宝石衬底上生长。激子隧穿使非对称双量子阱的激发效率相对于对称阱有了明显提高。非对称阱的结构设计使最佳激发电压从对称阱的7 kV降低到了更适合器件小型化的5 kV。 展开更多
关键词 ZNO 量子阱 电子束泵浦 激子隧穿
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自组织GaN小岛的InGaN/GaN量子阱白光发射
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作者 杨晓东 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期154-159,共6页
成功地控制了自组织三维GaN小岛的外延生长,在其上面可形成多个非极性小面侧壁。以此作为一个理想的基底,在非极性小面上设计制备了InGaN/GaN多量子阱发光有缘层结构。通过透射电子显微镜(TEM)制样和微观结构分析,确定了GaN小岛... 成功地控制了自组织三维GaN小岛的外延生长,在其上面可形成多个非极性小面侧壁。以此作为一个理想的基底,在非极性小面上设计制备了InGaN/GaN多量子阱发光有缘层结构。通过透射电子显微镜(TEM)制样和微观结构分析,确定了GaN小岛的生长特性和小面形成特性,并利用阴极荧光光谱对InGaN/GaN多量子阱的发光特性进行比较和讨论。结果表明,单一岛可有效实现混合白色发光(蓝色、绿色和红色),经过确认发现,半极性小面上的InGaN/GaN量子阱结构为明亮多色发光的主要区域。进一步小面构成的量子阱结构控制,可有效地调整白光质量,并对新一代白光照明提供新的方向。 展开更多
关键词 材料 GaN岛 量子阱 微观结构 发光特性 白光
Resistance of LEDs Based on AIGalnP Heterostructures to Irradiation by Fast Neutrons 预览
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作者 Gradoboev Alexander V Orlova Ksenia N. Asanov Ivan A 《化学与化工:英文版》 2013年第5期409-413,共5页
关键词 异质结构 LED 中子辐照 基础 光输出功率 电阻 电子注入 电流密度
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Spatial control based quantum well intermixing in InP/InGaAsP structures using ICP
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作者 赵建宜 郭剑 +2 位作者 黄晓东 周宁 刘文 《半导体学报》 EI CAS CSCD 2012年第10期134-137,共4页
<正>This paper presents a new method based on spatial controlling in quantum well intermixing in InP/InGaAsP structures using ICP technology.The degree of bandgap energy shift in the same wafer can be controlled... <正>This paper presents a new method based on spatial controlling in quantum well intermixing in InP/InGaAsP structures using ICP technology.The degree of bandgap energy shift in the same wafer can be controlled flexibly using masks with different duty ratios.With an optimal condition including ICP-RIE etching depth, SiO2 deposition,and RTA process,five different degrees of blue-shift with maximum of 75 nm were obtained in the same sample.The result shows that our method is an effective way to fabricate monolithic integration devices, especially in multi-bandgap structures. 展开更多
关键词 INGAASP 量子阱混杂 带隙结构 空间控制 INP ICP CP技术 蚀刻深度
Spin Splitting in Different Semiconductor Quantum Wells
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作者 郝亚非 《理论物理通讯:英文版》 SCIE CAS CSCD 2012年第6期 1071-1075,共5页
我们理论上调查当外部电场和磁场不在时在四 undoped 切开不对称的量井的旋转。切开的纺纱的量井几何学依赖与 Rashba 被学习,联合的 Dresselhaus 纺纱轨道包括了。结果证明量的结构很好在切开的纺纱起一个重要作用。Rashba 和在四口... 我们理论上调查当外部电场和磁场不在时在四 undoped 切开不对称的量井的旋转。切开的纺纱的量井几何学依赖与 Rashba 被学习,联合的 Dresselhaus 纺纱轨道包括了。结果证明量的结构很好在切开的纺纱起一个重要作用。Rashba 和在四口不对称的量井切开的 Dresselhaus 旋转是相当不同的。区别的起源在这个工作被讨论。 展开更多
关键词 半导体量子阱 自旋分裂 非对称量子阱 自旋轨道耦合 外加电场 量子结构 磁场 几何
Tunneling-induced ultraslow bright and dark solitons in quantum wells
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作者 樊双莉 石义萍 +1 位作者 张红军 孙辉 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第11期237-241,共5页
We show the formation of tunneling-induced ultraslow bright and dark solitons in an asymmetric double-quantumwell structure based on the tunneling induced transparency.In this semiconductor structure,the pump field is... We show the formation of tunneling-induced ultraslow bright and dark solitons in an asymmetric double-quantumwell structure based on the tunneling induced transparency.In this semiconductor structure,the pump field is replaced by the electron-tunneling coupling,which can be modulated by a static electric field.With appropriate conditions,we demonstrate by modulating the intensity of the static electric field that the interplay between the group velocity dispersion and the self-Kerr nonlinearity results in the generation of dark and bright solitons with ultraslow group velocity. 展开更多
关键词 量子阱结构 电子隧道 暗孤子 KERR非线性 群速度色散 亮区 半导体结构 相互作用
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