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可调谐半导体激光器的瞬时光谱测量方法研究 预览
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作者 安颖 王春磊 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第4期1025-1029,共5页
可调谐半导体激光器在调谐过程中的瞬时光谱特性,如瞬时的波长、调谐率、功率、线型和线宽等参数影响着以激光器为光源的光学测量和光相干通信系统的精度。然而,能够同时测量这些瞬变参数的技术至今未见报道。提出了一个基于时频分析的... 可调谐半导体激光器在调谐过程中的瞬时光谱特性,如瞬时的波长、调谐率、功率、线型和线宽等参数影响着以激光器为光源的光学测量和光相干通信系统的精度。然而,能够同时测量这些瞬变参数的技术至今未见报道。提出了一个基于时频分析的测量半导体激光器在调谐过程中瞬时光谱参数的方法,利用一个短时延外差测量系统,利用激光器瞬时光谱参数与差拍信号瞬时参数的关系,最终获得了半导体激光器在连续电流调谐过程中的瞬时光谱。测量系统采用了10 cm光程差的Mach-Zehnder干涉仪,调谐电流是幅度为20~120 mA、频率是1 kHz的锯齿波,差拍信号可视为直流信号、载波信号与噪声的叠加,按照短时延相干光测量原理,差拍信号中的直流分量幅度的大小反映了激光器输出光信号的功率;载波信号是一种多项式相位信号,由其频率可以推算激光器输出光谱的中心频率或波长;噪声信号则与激光器输出光谱的线型和线宽相关,通过对噪声信号进行时频分析,可以获知激光器在连续电流调谐过程中每一时刻或每个电流下的瞬时线型、线宽。采用了趋势局部均值分解方法对差拍信号进行了准确分离,并对分离信号分别进行处理,同时获知了半导体激光器在调谐过程中的瞬时输出光功率、光波长、调谐率及线型、线宽。在去掉弛豫部分后截取的整周期差拍信号对应的调谐电流60~115 mA变化范围内,半导体激光器(FRL15DDR0A31-18950, Furukawa)瞬时输出光功率变化范围是5.16~10.6 mW,瞬时光波长变化范围为1 579.2~1 579.6 nm;激光器的瞬时调谐率在0.004 8~0.011 5 nm·mA-1范围内单调变化;线宽是852.55~954.95 kHz,呈非线性随机分布。基于短时延、局部均值分解和时频分析方法的瞬时光谱参数测量系统可以准确得到各瞬时光谱参数,测量结果与激光器的静特性相符,且测量系统结构简单,使我们更� 展开更多
关键词 半导体激光器 激光器测量 时频分析 光学信息处理
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基于F-P腔的激光频率稳定传递方法
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作者 李欣怡 李秀飞 全伟 《北京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第4期841-846,共6页
量子传感的发展需要频率高度稳定的激光器为基础,且实现大失谐激光频率稳定通常是提高其精度和灵敏度的关键。针对大失谐激光稳频问题,提出了一种利用法布里-珀罗(F-P)腔传递激光频率稳定性的方法。以饱和吸收稳频法锁定的激光器频率为... 量子传感的发展需要频率高度稳定的激光器为基础,且实现大失谐激光频率稳定通常是提高其精度和灵敏度的关键。针对大失谐激光稳频问题,提出了一种利用法布里-珀罗(F-P)腔传递激光频率稳定性的方法。以饱和吸收稳频法锁定的激光器频率为参考,基于锁相原理,锁定F-P腔长度。利用F-P腔长度这个稳定的参考点,实现目标激光器的频率的精确锁定。实验将目标激光器波长锁定于767. 001 nm,失谐频率为150 GHz,锁定后的频率漂移为1 MHz/h。该方法解决了激光大失谐稳频问题,对工程实践和科学研究有重要意义。 展开更多
关键词 半导体激光器 激光稳频技术 法布里-珀罗(F-P)腔 激光器调谐 调制技术
窄线宽半导体激光器的驱动和温控设计
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作者 司琪 冯丽爽 +1 位作者 王琪伟 侯玉斌 《半导体光电》 CAS 北大核心 2019年第2期295-298,共4页
窄线宽半导体激光器日益广泛的应用对其驱动和温控电路提出了更高的要求。为获得窄线宽、稳定功率并实时可调的激光输出,利用ATLWS200MA103驱动模块和TECA1系列温控模块搭建半导体激光器的驱动和温控电路,对激光器输出的各项性能指标进... 窄线宽半导体激光器日益广泛的应用对其驱动和温控电路提出了更高的要求。为获得窄线宽、稳定功率并实时可调的激光输出,利用ATLWS200MA103驱动模块和TECA1系列温控模块搭建半导体激光器的驱动和温控电路,对激光器输出的各项性能指标进行测试,验证了在该驱动下,激光器线宽可达到5kHz,光功率稳定性达到0.1%。并利用波导谐振腔进行扫频实验,得出驱动电流变化量与激光器中心频率变化量之间的关系表达式。 展开更多
关键词 半导体激光器 驱动电路 温控电路 光功率 线宽
调制光栅Y分支可调谐激光器高精准波长调谐特性
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作者 郑胜亨 杨远洪 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期9-16,共8页
搭建了调制光栅Y分支(MGY)可调谐激光器高精准波长调谐系统,实现了粗扫描结合细扫描的高精度波长扫描标定。在此基础上,对MGY激光器输出波长以及内置法布里-珀罗(F-P)标准具的温度漂移特性进行分析,发现MGY激光器输出波长与温度具有良... 搭建了调制光栅Y分支(MGY)可调谐激光器高精准波长调谐系统,实现了粗扫描结合细扫描的高精度波长扫描标定。在此基础上,对MGY激光器输出波长以及内置法布里-珀罗(F-P)标准具的温度漂移特性进行分析,发现MGY激光器输出波长与温度具有良好的线性关系,且其输出波长曲线的斜率不变,截距随温度线性变化。研究了基于外部气体吸收基准的高精准波长校准方法,并进行实验测试。研究结果表明,在-25~+75℃温度范围内,波长扫描范围为40 nm时,所搭建系统的调谐线性度优于0.9999,调谐波长精度优于0.18 pm,准确度优于0.12 pm。 展开更多
关键词 激光器 半导体激光器 光谱分析 光纤光栅解调 波长调谐
高功率半导体激光器低温特性分析 预览
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作者 王明培 张普 +4 位作者 聂志强 刘晖 孙玉博 吴的海 赵宇亮 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第9期8-16,共9页
研制了一套微通道封装结构半导体激光器的低温测试表征系统,实现了对高功率半导体激光器在-60℃~0℃低温范围内的输出功率、电光转换效率和光谱等关键参数稳定可靠的测试表征.采用计算流体力学及数值传热学方法,模拟了无水乙醇、三氯乙... 研制了一套微通道封装结构半导体激光器的低温测试表征系统,实现了对高功率半导体激光器在-60℃~0℃低温范围内的输出功率、电光转换效率和光谱等关键参数稳定可靠的测试表征.采用计算流体力学及数值传热学方法,模拟了无水乙醇、三氯乙烯以及五氟丙烷三种载冷剂的散热性能.模拟结果表明,压降均为0.47 bar时,采用无水乙醇作载冷剂的器件具有最低的热阻(热阻为0.73 K/W)和最好的温度均匀性(中心和边缘发光单元温差为1.45℃).低温测试表征系统采用无水乙醇作为载冷剂,最大可实现0.5 L/min的载冷液体流量,最多能容纳5个半导体激光器巴条同时工作.基于该低温测试表征系统,对微通道封装结构976 nm半导体激光器巴条在6%占空比下的低温特性进行了研究.测试结果表明,载冷剂温度由0℃下降到-60℃,半导体激光器的输出功率由388.37 W提升到458.37 W,功率提升比为18.02%;电光转换效率由60.99%提升到67.25%,效率提升幅度为6.26%;中心波长由969.68 nm蓝移到954.05 nm.器件开启电压增加0.04 V,阈值电流降低3.93 A,串联电阻增加0.18 mΩ,外微分量子效率提高11.84%.分析表明,阈值电流的减小及外微分量子效率的提高,是促使半导体激光器在低温下功率、效率提升的主要因素.研究表明,采用液体微通道冷却的低温工作方式,是实现半导体激光器高输出功率、高电光转换效率的一种有效手段. 展开更多
关键词 半导体激光器 光电测量 低温冷却 微通道 输出功率 电光转换效率
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980nm高功率DBR半导体激光器的设计及工艺
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作者 乔闯 苏瑞巩 +5 位作者 李翔 房丹 方铉 唐吉龙 张宝顺 魏志鹏 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第7期8-12,共5页
设计并制作了非对称大光腔波导结构,利用分布布拉格反射技术,实现了980 nm波段高功率半导体激光器的稳定输出。在实验过程中,采用电子束光刻技术,结合感应耦合等离子刻蚀工艺,利用SiO2作为硬掩模,并通过减小Ar离子的束流来减弱刻蚀过程... 设计并制作了非对称大光腔波导结构,利用分布布拉格反射技术,实现了980 nm波段高功率半导体激光器的稳定输出。在实验过程中,采用电子束光刻技术,结合感应耦合等离子刻蚀工艺,利用SiO2作为硬掩模,并通过减小Ar离子的束流来减弱刻蚀过程中由于物理轰击作用对SiO2硬掩模的消耗,制作出形貌良好、周期为890 nm、占空比为50%的分布布拉格反射器光栅;采用脊型波导激光器的制作工艺,成功制作出分布布拉格反射激光器,当器件注入电流15 A时,该激光器的输出功率高达10.7 W,斜率效率为0.73 W/A,器件阈值电流为0.95 A,中心波长为979.3 nm。该研究为GaAs基DBR半导体激光器的制作与研究提供了新思路。 展开更多
关键词 激光器 半导体激光器 分布布拉格反射器 电子束光刻 高功率
基于直调激光器注入锁定的倍频信号产生
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作者 王帅帅 王菊 +4 位作者 马闯 李天宇 谢田元 于洋 于晋龙 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2019年第4期63-70,共8页
将调制频率为1GHz的正弦波光信号的高阶谐波分量注入直调激光器,信号的光场强度和载流子浓度相互作用形成光电流,光电流经过直调激光器的射频(RF)端口形成微波倍频信号。实验通过检测RF端口的倍频信号功率变化,反馈控制直调激光器的波长... 将调制频率为1GHz的正弦波光信号的高阶谐波分量注入直调激光器,信号的光场强度和载流子浓度相互作用形成光电流,光电流经过直调激光器的射频(RF)端口形成微波倍频信号。实验通过检测RF端口的倍频信号功率变化,反馈控制直调激光器的波长,完成直调激光器的自动锁定,产生无光电探测器的10GHz、12GHz微波倍频信号。对比无自动锁定回路的注入锁定方案,自动锁定产生的微波倍频信号更稳定,其功率波动在10min内稳定在2dB,10kHz处的相位噪声恶化程度控制在2.2dB。微波倍频信号的最高倍频数取决于直调激光器的最高调制速率。 展开更多
关键词 光通信 倍频 注入锁定 半导体激光器 光电检测
450 nm GaN基半导体激光器腔面反射率的优化
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作者 杜维川 康俊杰 +9 位作者 李弋 谭昊 周坤 胡耀 张亮 王昭 郭林辉 高松信 武德勇 唐淳 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第6期204-207,共4页
分析腔面反射率对GaN基半导体激光器斜率效率和输出功率的影响,并对出射波长为450 nm的激光器进行实验验证。结果表明,对于非对称谐振腔结构,通过优化腔面反射率,可以抑制空间烧孔非线性效应,提高器件的微分量子效率和最大输出功率。当... 分析腔面反射率对GaN基半导体激光器斜率效率和输出功率的影响,并对出射波长为450 nm的激光器进行实验验证。结果表明,对于非对称谐振腔结构,通过优化腔面反射率,可以抑制空间烧孔非线性效应,提高器件的微分量子效率和最大输出功率。当前腔面反射率为5%时,斜率效率大于1.3 W·A^-1,并在3 A的连续工作电流下,获得了2.6 W的高功率输出。 展开更多
关键词 激光器 半导体激光器 GAN 腔面反射率 空间烧孔
CVD金刚石热沉封装高功率半导体激光器的热特性
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作者 戴玮 李嘉强 +3 位作者 曹剑 张志忠 张晓卫 杨保和 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第3期227-233,共7页
本文以自支撑CVD金刚石膜作为半导体激光器线阵的封装热沉,从而改进其热特性。首先,以电子辅助化学气相沉积(EACVD)制备自支撑金刚石膜。在沉积工艺中,提出了优化O2流量刻蚀非金刚石相,使金刚石膜品质得到改进,从而提高其导热率。然后,... 本文以自支撑CVD金刚石膜作为半导体激光器线阵的封装热沉,从而改进其热特性。首先,以电子辅助化学气相沉积(EACVD)制备自支撑金刚石膜。在沉积工艺中,提出了优化O2流量刻蚀非金刚石相,使金刚石膜品质得到改进,从而提高其导热率。然后,测试了基于不同氧流量下制备金刚石热沉封装的半导体激光器线阵的电光特性,并对封装器件的热特性进行了分析。结果表明:通入O2流量为每分钟5 sccm时,制备的金刚石热沉导热率可达1 812.3 WK^-1m^-1。O2流量5 sccm制备金刚石热沉的封装器件的斜率效率为1.30 W/A,电光转换效率最大值可达60.6%。在连续波30 A时,该封装器件的光谱红移波长为2.02 nm,器件工作温度降低4.9 K。器件的传热路径热阻降低28.4%,表现出优异的可靠性。 展开更多
关键词 半导体激光器 CVD金刚石热沉 导热率 热特性
关于两种有源光器件及一无源光器件的研究 预览
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作者 徐红艳 《电子测试》 2019年第16期139-140,共2页
本文共介绍了三种光器件,其中包括两件有源光器件和一件无源光器件。文章主要简述了半导体激光器LD、光接收机PIN、以及机械光开关这三种光器件的工作原理,结构和各自适用的环境。在通电和不通电的情况下,不同的光器件会有不同的影响,... 本文共介绍了三种光器件,其中包括两件有源光器件和一件无源光器件。文章主要简述了半导体激光器LD、光接收机PIN、以及机械光开关这三种光器件的工作原理,结构和各自适用的环境。在通电和不通电的情况下,不同的光器件会有不同的影响,它们的灵敏度也会有所区别。 展开更多
关键词 光器件 半导体激光器 光电二极管 机械光开关
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Perspective:optically-pumpedⅢ–Ⅴquantum dot microcavity lasers via CMOS compatible patterned Si(001)substrates 预览
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作者 Wenqi Wei Qi Feng +2 位作者 Zihao Wang Ting Wang Jianjun Zhang 《半导体学报:英文版》 EI CAS CSCD 2019年第10期45-53,共9页
Direct epitaxial growthⅢ–Ⅴquantum dot(QD)structures on CMOS-compatible silicon substrates is considered as one of the most promising approaches to achieve low-cost and high-yield Si-based lasers for silicon photoni... Direct epitaxial growthⅢ–Ⅴquantum dot(QD)structures on CMOS-compatible silicon substrates is considered as one of the most promising approaches to achieve low-cost and high-yield Si-based lasers for silicon photonic integration.However,epitaxial growth ofⅢ–Ⅴmaterials on Si encounters the following three major challenges:high density of threading dislocations,antiphase boundaries and thermal cracks,which significantly degrade the crystal quality and potential device performance.In this review,we will focus on some recent results related to InAs/GaAs quantum dot lasers on Si(001)substrates byⅢ–Ⅴ/Ⅳhybrid epitaxial growth via(111)-faceted Si hollow structures.Moreover,by using the step-graded epitaxial growth process the emission wavelength of InAs QDs can be extended from O-band to C/L-band.High-performance InAs/GaAs QD microdisk lasers with sub-milliwatts threshold on Si(001)substrates are fabricated and characterized.The above results pave a promising path towards the on-chip lasers for optical interconnect applications. 展开更多
关键词 quantum DOTS silicon PHOTONICS EPITAXIAL growth semiconductor lasers
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级联光注入半导体激光器产生超宽带微波频率梳
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作者 蒋鑫 方捻 王陆唐 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2018年第12期330-336,共7页
利用光注入半导体激光器的单周期振荡与多周期振荡状态, 提出了一种级联光注入半导体激光器产生超宽带微波频率梳的方案。将由连续光注入激光器产生的光频率梳注入到另一个从激光器中, 再次利用激光器的光注入效应, 拓宽所产生的微波频... 利用光注入半导体激光器的单周期振荡与多周期振荡状态, 提出了一种级联光注入半导体激光器产生超宽带微波频率梳的方案。将由连续光注入激光器产生的光频率梳注入到另一个从激光器中, 再次利用激光器的光注入效应, 拓宽所产生的微波频率梳带宽。光注入半导体激光器速率方程的数值研究表明, 二次注入时, 选取合适的注入参数, 微波频率梳在幅值变化分别为±2.5dB,±5dB,±10dB范围内, 带宽可达到52,65,97GHz。因此, 所提级联注入方案可以获得平坦的超宽带微波频率梳。 展开更多
关键词 激光光学 半导体激光器 光注入 单周期振荡 多周期振荡 微波频率梳
Electrically pumped metallic and plasmonic nanolasers
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作者 Martin T Hill 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第11期158-166,共9页
Square microcavity semiconductor lasers
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作者 杨跃德 翁海中 +2 位作者 郝友增 肖金龙 黄永箴 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第11期176-185,共10页
应用于蝶形封装半导体激光器的TEC驱动系统 预览
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作者 熊平戬 周弟伟 《山西电子技术》 2018年第4期38-41,共4页
光通信使用的半导体激光器需要工作在恒温状态下,蝶形封装激光器集成了TEC模块,本文设计了一种TEC驱动系统,利用不同占空比的方波信号驱动MOSFET,控制TEC的电压和电流,最终使激光器工作在恒温状态。通过理论计算和电路仿真,验证... 光通信使用的半导体激光器需要工作在恒温状态下,蝶形封装激光器集成了TEC模块,本文设计了一种TEC驱动系统,利用不同占空比的方波信号驱动MOSFET,控制TEC的电压和电流,最终使激光器工作在恒温状态。通过理论计算和电路仿真,验证了系统方案的可行性。 展开更多
关键词 TEC 自动温度控制 半导体激光器 蝶形封装
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半导体激光器输出混沌光的自相关性及其带宽研究 被引量:1
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作者 李增 冯玉玲 姚治海 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2018年第2期288-295,共8页
提出一种可用于降低半导体激光器(SL)输出混沌光的自相关性并增加其带宽的方案。该方案将具有单路相位调制光反馈的SL作为主激光器,将具有双路滤波光反馈的SL作为从激光器,并将主激光器输出的激光注入到从激光器中。数值研究了抽运... 提出一种可用于降低半导体激光器(SL)输出混沌光的自相关性并增加其带宽的方案。该方案将具有单路相位调制光反馈的SL作为主激光器,将具有双路滤波光反馈的SL作为从激光器,并将主激光器输出的激光注入到从激光器中。数值研究了抽运因子、外光注入系数和主从激光器之间的频率失谐对从激光器输出混沌光的自相关性及其带宽的影响。结果表明:在所选的参数条件下,该方案能有效地降低从激光器输出混沌光的自相关性并增加其带宽,混沌激光带宽的极大值达到18.45GHz。 展开更多
关键词 激光器 半导体激光器 混沌激光 自相关性 带宽 延时特性
注入锁定半导体锁模激光器的时序抖动特性 预览
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作者 徐玉兰 林中晞 +2 位作者 林琦 陈景源 苏辉 《光子学报》 CSCD 北大核心 2018年第9期26-33,共8页
采用简化的孤子微扰模型方程组,研究了注入锁定时被动锁模半导体激光器的时序抖动噪声特性.研究发现,当注入锁定的耦合系数为10^-3 ps^-1时,在100 kHz到10 GHz的频率范围内,从锁模激光器的时序抖动噪声可从自由运转情况下的皮秒量级(3.8... 采用简化的孤子微扰模型方程组,研究了注入锁定时被动锁模半导体激光器的时序抖动噪声特性.研究发现,当注入锁定的耦合系数为10^-3 ps^-1时,在100 kHz到10 GHz的频率范围内,从锁模激光器的时序抖动噪声可从自由运转情况下的皮秒量级(3.83 ps)下降至几十飞秒.还讨论了主从锁模激光器的稳态相位差、注入耦合系数、线宽增强因子等参数对时序抖动噪声特性的影响.计算结果表明,时序抖动对稳态相位差不敏感,而耦合系数的变化对其则有显著影响;此外,线宽增强因子越小,时序抖动噪声越小. 展开更多
关键词 时序抖动噪声 注入锁定 被动锁模 半导体激光器
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马赫-曾德尔干涉仪对抑制延时特征的作用机理研究
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作者 吴天安 张晓旭 +1 位作者 张胜海 兰淑静 《中国激光》 CSCD 北大核心 2018年第5期12-21,共10页
双光反馈和双光注入作为抑制光反馈混沌激光器延时特征峰的两种重要方案,本质上都是通过马赫-曾德尔干涉仪对延时特征峰进行抑制。总结了两种方案中干涉仪对延时特征峰的抑制规律,系统分析了干涉仪在抑制延时特性中的作用与机理。当干... 双光反馈和双光注入作为抑制光反馈混沌激光器延时特征峰的两种重要方案,本质上都是通过马赫-曾德尔干涉仪对延时特征峰进行抑制。总结了两种方案中干涉仪对延时特征峰的抑制规律,系统分析了干涉仪在抑制延时特性中的作用与机理。当干涉仪的两臂接近相等时,两路混沌激光的电场强度和相位具有较强的相关性,光的叠加以相干叠加为主,混沌激光的延时特征峰随τd(由于干涉仪两臂存在光程差产生的时间延迟)呈周期性变化;当干涉仪的两臂臂长相差较大且不成比例时,两路混沌激光的电场强度和相位的相关性降低甚至消失,光的叠加为非相干叠加,但是对延时特征峰的抑制仍由干涉项决定,主延时特征峰不随τd变化,同时产生新的延时特征峰。 展开更多
关键词 激光光学 混沌 半导体激光器 马赫-曾德尔干涉仪 延时特征峰
半导体激光器的物理特性分析及研究
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作者 张鹏 《激光杂志》 北大核心 2018年第12期106-110,共5页
当前半导体激光器的物理特性分析方法忽略了稳态温升曲线的负面影响,获取的测量参数不准确,影响半导体激光器的热特性分析效果,提出新的半导体激光器的热特性分析方法。采用时间常数谱法获取半导体激光器热容的Foster热学模型,基于Caue... 当前半导体激光器的物理特性分析方法忽略了稳态温升曲线的负面影响,获取的测量参数不准确,影响半导体激光器的热特性分析效果,提出新的半导体激光器的热特性分析方法。采用时间常数谱法获取半导体激光器热容的Foster热学模型,基于Cauer热学模型对全部热阻、热容实施叠加操作得到积分结构函数与微分结构函数,采用半导体激光器结构函数处理稳态温升曲线,提取热流路径不同材料的升温作用,采用有效热阻计算公式获取热阻值,获取半导体激光器的热阻测量结果;根据热阻测量结果计算半导体激光器的光功率,实验结果表明,本文方法能够准确分析半导体激光器的物理特性分析。 展开更多
关键词 半导体激光器 结构函数 热特性 测量 热阻 光转换效率
碳化硅封装高功率半导体激光器散热性能研究 被引量:2
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作者 倪羽茜 井红旗 +3 位作者 孔金霞 王翠鸾 刘素平 马骁宇 《中国激光》 CSCD 北大核心 2018年第1期7-11,共5页
为研究基于碳化硅(SiC)陶瓷封装的高功率半导体激光器的散热性能, 将其与常用的氮化铝(AlN)陶瓷进行对比, 使用基于结构函数法的热阻仪分别测量SiC和AlN封装F-mount器件的热阻值, 得到SiC器件的总热阻约为3.0 ℃·W^-1, AlN的约... 为研究基于碳化硅(SiC)陶瓷封装的高功率半导体激光器的散热性能, 将其与常用的氮化铝(AlN)陶瓷进行对比, 使用基于结构函数法的热阻仪分别测量SiC和AlN封装F-mount器件的热阻值, 得到SiC器件的总热阻约为3.0 ℃·W^-1, AlN的约为3.4 ℃·W^-1, SiC器件的实测热阻值比AlN器件低14.7%, 实验结果表明SiC过渡热沉具有较好的散热性能。实验进一步测试了两种过渡热沉封装器件的输出性能, 在16 A连续电流注入时, 915 nm波段的SiC器件单管输出功率为15.9 W, AlN为15 W, 测试结果显示SiC封装的器件具有更高的功率输出水平。 展开更多
关键词 激光器 半导体激光器 碳化硅 热阻 结构函数法 氮化铝
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