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UHVAC同塔双回输电线路表面场强分析 预览
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作者 马爱清 林鹏远 +1 位作者 迟杰 杨喆 《电力系统及其自动化学报》 CSCD 北大核心 2019年第6期143-150,共8页
为了研究特高压同塔双回输电线路分裂导线表面电场分布,本文基于改进的模拟电荷法,通过多步寻优找到模拟电荷在对应子导线内的最佳位置并建模,然后编程计算出分裂导线表面场强。利用该方法计算了浙江-上海段特高压交流输电线路分裂导线... 为了研究特高压同塔双回输电线路分裂导线表面电场分布,本文基于改进的模拟电荷法,通过多步寻优找到模拟电荷在对应子导线内的最佳位置并建模,然后编程计算出分裂导线表面场强。利用该方法计算了浙江-上海段特高压交流输电线路分裂导线的表面场强,并研究了分裂数、子导线半径等对其影响。计算结果表明,本文方法与传统模拟电荷法相比更为准确,可将电位误差控制在0.05%以内;计算得该线路表面最大场强为1783.5kV/m,小于晴天和云雾条件下的起晕场强,但大于雨天条件下的起晕场强;适当增加导线分裂数或增加分裂导线的子导线半径,可明显降低导线表面最大场强。 展开更多
关键词 特高压交流 同塔双回输电线路 改进模拟电荷法 分裂导线 表面场强 多步寻优
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换流阀屏蔽系统表面电场对称多极子曲面边界元法研究
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作者 石雨鑫 王泽忠 赵九才 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第4期1182-1190,共9页
为确保柔性直流换流阀运行时不发生电晕现象,需要合理设计屏蔽系统,控制表面电场,但是屏蔽系统结构复杂,数值求解存在较大困难。为准确快速地计算表面电场,提出了对称多极子曲面边界元法。通过多极子方法加速基于坐标变换的曲面边界元,... 为确保柔性直流换流阀运行时不发生电晕现象,需要合理设计屏蔽系统,控制表面电场,但是屏蔽系统结构复杂,数值求解存在较大困难。为准确快速地计算表面电场,提出了对称多极子曲面边界元法。通过多极子方法加速基于坐标变换的曲面边界元,提高计算速度减少内存占用。通过镜像法将封闭的阀厅问题转换为多平面对称问题,同时利用多极展开系数的对称关系和紧致二叉树结构,进一步加快计算速度。使用球模型和实际屏蔽系统模型,与有限元方法对比验证了该算法的计算精度;与不同方法比较验证了该算法在计算效率上的提升效果。最后应用该算法研究了±160 kV换流阀屏蔽系统表面电场,地面、墙壁对于屏蔽系统表面电场影响明显,随着距离的减小影响变大。此方法可以快速准确地计算屏蔽系统表面电场,是优化设计的有效工具。 展开更多
关键词 换流阀 屏蔽系统 表面电场 对称多极子曲面边界元 镜像法
混合式高压直流断路器空间电场分布
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作者 胡秋玲 范彩云 +3 位作者 韩坤 张志刚 黄永瑞 刘路路 《高电压技术》 CSCD 北大核心 2018年第2期424-431,共8页
为提高高压直流断路器阀塔绝缘设计可靠性,针对自主设计的±535 k V混合式高压直流断路器阀塔,采用CREO和ANSYS混合建模技术,搭建直流断路器阀塔的3维模型,并进行静电场求解。对该模型添加阀端间直流耐压试验电压,求解得到组件和屏... 为提高高压直流断路器阀塔绝缘设计可靠性,针对自主设计的±535 k V混合式高压直流断路器阀塔,采用CREO和ANSYS混合建模技术,搭建直流断路器阀塔的3维模型,并进行静电场求解。对该模型添加阀端间直流耐压试验电压,求解得到组件和屏蔽系统的电场;添加阀支架直流耐压试验电压,求解得到阀支架的电场;在电场最大区域添加考察线,考察场强最大值周围空间电场分布规律。求解得到:±535 k V混合式高压直流断路器的最大场强为2.748 k V/mm,位于底层直屏蔽罩的倒角位置;离电极表面20 mm,场强减小至1.4 k V/mm;离电极表面40 mm,场强减小至1 k V/mm;离电极表面100 mm,场强减小至0.5 k V/mm以下。结果表明:±535 k V断路器的整体电场满足电场控制要求值,电极周围空气间隙中场强快速衰减。研究结果为±535 k V混合式高压直流断路器绝缘结构设计提供了可靠支撑,具有重要的借鉴价值。 展开更多
关键词 ±535 KV 混合式高压直流断路器 表面电场 空间电场 绝缘结构 电场分布规律
SF6中环氧绝缘子结构对其闪络特性的影响
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作者 刘琳 李晓昂 +4 位作者 赵军平 张乔根 马超群 梁成军 李志兵 《高压电器》 CSCD 北大核心 2018年第5期26-32,共7页
绝缘子闪络是气体绝缘金属封闭开关的主要故障形式之一,提高绝缘子绝缘耐受水平可有效降低系统故障率。研究表明,洁净条件下的绝缘子闪络主要取决于绝缘子的沿面电场分布,而绝缘子及其屏蔽电极的形状均能够有效调节其沿面电场分布。文... 绝缘子闪络是气体绝缘金属封闭开关的主要故障形式之一,提高绝缘子绝缘耐受水平可有效降低系统故障率。研究表明,洁净条件下的绝缘子闪络主要取决于绝缘子的沿面电场分布,而绝缘子及其屏蔽电极的形状均能够有效调节其沿面电场分布。文中设计并浇注了环氧支柱绝缘子样件,通过改变绝缘子形状、内屏蔽和外屏蔽电极的结构来调控其沿面电场分布;利用了负极性标准雷电波发生装置,实验研究了0.2 MPa SF_6环境下绝缘子的闪络特性;采用有限元分析方法,计算分析了绝缘子沿面电场的最大值。根据实验结果与仿真计算结果,分析得到绝缘子形状、内屏蔽电极形状、外屏蔽电极形状对绝缘子闪络特性的影响规律:凸面绝缘子的沿面电场具有最佳可调性;内屏蔽电极能够增大绝缘子的闪络电压也可以降低绝缘子的闪络电压;外屏蔽电极能够有效均匀电场但可能会缩短绝缘子沿面的有效爬电距离。 展开更多
关键词 GIS 环氧绝缘子 屏蔽电极 闪络电压 SF6 有限元 爬电距离
动态耐压下SOI RESURF器件的二维电场解析模型 预览
5
作者 雍明阳 阳小明 +1 位作者 李天倩 韩旭 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2018年第6期57-62,共6页
在SOI(绝缘衬底上的硅)器件的设计过程中,为使其具有较高的耐压水平,可优化器件的RESURF(降低表面电场)效应。而在实际电路工作过程中,由于SOI RESURF器件承受动态耐压的缘故,衬底深耗尽效应的存在将会导致衬底耗尽区出现,器件的RES... 在SOI(绝缘衬底上的硅)器件的设计过程中,为使其具有较高的耐压水平,可优化器件的RESURF(降低表面电场)效应。而在实际电路工作过程中,由于SOI RESURF器件承受动态耐压的缘故,衬底深耗尽效应的存在将会导致衬底耗尽区出现,器件的RESURF效应将会发生改变,从而使器件的实际耐压性能发生改变。基于此,提出动态耐压下SOI RESURF器件的二维电场解析模型,通过求解相应的二维泊松方程,获取新的表面电场分布表达式。并对动态耐压下器件的击穿特性进行分析,阐述动态耐压下促使器件RESURF效应改善的物理机制。与此同时,依据新的表面电场分布表达式,优化衬底掺杂浓度,以使SOI RESURF器件在各类功率集成电路中具有更好的实用性。最后由仿真分析验证了所提模型的正确性。 展开更多
关键词 SOI 半导体器件 表面电场 数值仿真 二维模型 击穿特性
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高海拔地区冰雪共存条件下复合绝缘子沿面电场计算 预览 被引量:1
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作者 欧阳宝龙 连莎莎 王永强 《华北电力大学学报:自然科学版》 CAS 北大核心 2016年第6期54-59,共6页
冰雪对电力系统可靠运行构成极大威胁,对覆冰雪复合绝缘子沿面电场分布规律进行研究具有重要工程价值和意义。基于准静态电场有限元方法,提出了雪的三角形模型,开展了冰雪形态对高海拔110 k V复合绝缘子沿面电场的影响研究。通过搭建高... 冰雪对电力系统可靠运行构成极大威胁,对覆冰雪复合绝缘子沿面电场分布规律进行研究具有重要工程价值和意义。基于准静态电场有限元方法,提出了雪的三角形模型,开展了冰雪形态对高海拔110 k V复合绝缘子沿面电场的影响研究。通过搭建高海拔110 k V复合绝缘子二维轴对称模型,研究了冰雪共存条件下雪高度和冰凌长度对沿面电场的影响。结果表明:冰凌长度越长,雪对沿面电场分布的影响越大,雪高度越高,雪表面的电场畸变越严重。 展开更多
关键词 复合绝缘子 高海拔 冰雪共存 沿面电场 准静态电场有限元法
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交直流混合输电线路表面电场的计算方法研究 预览 被引量:2
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作者 史天如 蔡成良 +1 位作者 张耀东 朱昌成 《湖北电力》 2016年第2期19-22,共4页
本文探讨了交直流混合线路中逐步镜像法的计算原理,实例计算结果与Markt-Mengele法计算结果很接近,表明本文采用的计算方法具有较高可信度。在此基础上对比了混合线路与独立线路计算结果的差异,进一步讨论了交直流线路结构对导线表面电... 本文探讨了交直流混合线路中逐步镜像法的计算原理,实例计算结果与Markt-Mengele法计算结果很接近,表明本文采用的计算方法具有较高可信度。在此基础上对比了混合线路与独立线路计算结果的差异,进一步讨论了交直流线路结构对导线表面电场的影响。 展开更多
关键词 混合线路 表面电场 逐步镜像法 Markt-Mengele法 线路结构
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硅橡胶绝缘子含污秽薄层的表面电场计算研究 被引量:2
8
作者 吴广祥 宋凡峰 《电瓷避雷器》 CAS 北大核心 2016年第5期42-47,53共7页
当前的有限元及边界元电场计算方法都无法适用于含薄层污秽的硅橡胶绝缘子表面电场计算问题。为此,提出了一种基于数字图像处理的污秽绝缘子表面电场计算方法,该方法首先对绝缘子图像进行基于提升小波变换进行去噪预处理,接着应用图像... 当前的有限元及边界元电场计算方法都无法适用于含薄层污秽的硅橡胶绝缘子表面电场计算问题。为此,提出了一种基于数字图像处理的污秽绝缘子表面电场计算方法,该方法首先对绝缘子图像进行基于提升小波变换进行去噪预处理,接着应用图像处理技术对M×N大小绝缘子图像二值化处理,利用像素单元实现区域的网格剖分,同时在像素单元基础上建立表面电阻数学模型;然后形成(M×N)2大小的节点导纳矩阵,采取节点电压法对其进行电网络分析,得到污秽绝缘子表面电场分布。计算结果表明,较之其他计算方法,该方法对含污层的硅橡胶绝缘子表面电场计算具有明显优势,对诊断硅橡胶绝缘子的憎水性具有一定意义。 展开更多
关键词 绝缘子 表面电场 提升小波 像素单元 矩阵
特高压六相输电线路工频电场强度计算 预览 被引量:3
9
作者 王艳 王树欢 焦彦军 《中国电力》 CSCD 北大核心 2015年第3期44-49,共6页
为研究特高压六相输电线路表面电场和空间电场的特性,参考特高压同塔双回输电线路杆塔结构,计算设计特高压六相输电系统杆塔典型尺寸并选取分裂导线型号.在此基础上,考虑分裂导线中各子导线间的相互影响,计算特高压六相输电导线表面最... 为研究特高压六相输电线路表面电场和空间电场的特性,参考特高压同塔双回输电线路杆塔结构,计算设计特高压六相输电系统杆塔典型尺寸并选取分裂导线型号.在此基础上,考虑分裂导线中各子导线间的相互影响,计算特高压六相输电导线表面最大场强和线路下距地面1m处的空间电场分布,并将计算值与相应电压等级的同塔双回线路进行比较,结果表明特高压六相输电导线表面场强和线路下距地面1m处的空间电场均优于同塔双回线路.故特高压六相输电线路具有更好的环保性能. 展开更多
关键词 六相输电 特高压 表面电场 空间电场 分裂导线
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一款800VVDMOS终端结构的设计 预览 被引量:3
10
作者 刘铭 冯全源 +1 位作者 陈晓培 庄圣贤 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2015年第6期66-69,共4页
设计了一款800 V VDMOS终端结构,采用场限环(FLR)与场板(FP)相结合的方式,在场限环上添加多晶硅场板与金属场板,有效地降低了表面电场峰值。通过调整终端结构,在135μm的有效终端长度上实现了848 V的击穿电压,最大表面电场为2.... 设计了一款800 V VDMOS终端结构,采用场限环(FLR)与场板(FP)相结合的方式,在场限环上添加多晶硅场板与金属场板,有效地降低了表面电场峰值。通过调整终端结构,在135μm的有效终端长度上实现了848 V的击穿电压,最大表面电场为2.34×105 V/cm,小于工业界判断器件击穿场强标准(2.5×105 V/cm),且电场分布比较均匀,终端结构的稳定性和可靠性高。 展开更多
关键词 终端结构 场限环 场板 结深 表面电场 击穿电压
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黄壤表面电场作用下Cu2+与Zn2+的吸附/解吸动力学研究
11
作者 许佰乐 贾增强 +1 位作者 李睿 李航 《环境科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第5期1483-1490,共8页
利用静态恒流法研究了黄壤表面电场作用下Cu2+与Zn2+的吸附/解吸动力学.结果发现:考虑黄壤表面电场作用下,Cu2+和Zn2+的吸附实验呈现初期强吸附作用下的零级动力学过程和一定时间之后弱吸附作用下的一级动力学过程,与理论预期一致;在Cu2... 利用静态恒流法研究了黄壤表面电场作用下Cu2+与Zn2+的吸附/解吸动力学.结果发现:考虑黄壤表面电场作用下,Cu2+和Zn2+的吸附实验呈现初期强吸附作用下的零级动力学过程和一定时间之后弱吸附作用下的一级动力学过程,与理论预期一致;在Cu2+和Zn2+的解吸实验中,只有前期出现了弱吸附作用下的一级动力学过程,实验结果与理论预期存在差别,原因在于专性吸附的Cu2+、Zn2+很难被解吸下来;在交换/吸附实验中,Cu2+的吸附速率值和平衡吸附量均大于Zn2+,且Cu2+-K+体系的表面电化学参数φ0、σ0、E0均大于Zn2+-K+体系中的对应值,证明了黄壤颗粒表面对Cu2+的吸附作用强于Zn2+;在交换/解吸实验中,Zn2+的解吸速率值和平衡解吸量均大于Cu2+,Zn2+-K+体系的表面电化学参数φ0、σ0、E0均大于Cu2+-K+体系中的对应值,证明Zn2+-K+体系中Zn2+的解吸作用比Cu2+-K+体系中的Cu2+解吸作用强. 展开更多
关键词 黄壤 表面电场 吸附 解吸 动力学
一种800V深阱多浮空场环终端结构设计 被引量:1
12
作者 汪德波 冯全源 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2015年第2期249-252,共4页
在多浮空场环理论的基础上,采用深阱多浮空场环技术,在200μm的终端长度上实现了一种击穿电压为931V的VDMOS终端保护环结构。此终端硅表面各环电场均匀,最大表面电场强度为2.42e5V/cm,在相同条件下,该终端结构的耐压比普通多浮空场环终... 在多浮空场环理论的基础上,采用深阱多浮空场环技术,在200μm的终端长度上实现了一种击穿电压为931V的VDMOS终端保护环结构。此终端硅表面各环电场均匀,最大表面电场强度为2.42e5V/cm,在相同条件下,该终端结构的耐压比普通多浮空场环终端结构提升了34.15%,有效提高了终端效率。 展开更多
关键词 终端 击穿电压 表面电场
阶梯AlGaN外延新型Al0.25Ga0.75N/GaN HEMTs器件实验研究 预览
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作者 袁嵩 段宝兴 +5 位作者 袁小宁 马建冲 李春来 曹震 郭海军 杨银堂 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第23期255-261,共7页
本文报道了作者提出的阶梯AlGaN外延层新型AlGaN/GaN HEMTs结构的实验结果.实验利用感应耦合等离子体刻蚀(ICP)刻蚀栅边缘的AlGaN外延层,形成阶梯的AlGaN外延层结构,获得浓度分区的沟道2DEG,使得阶梯AlGaN外延层边缘出现新的电场峰,... 本文报道了作者提出的阶梯AlGaN外延层新型AlGaN/GaN HEMTs结构的实验结果.实验利用感应耦合等离子体刻蚀(ICP)刻蚀栅边缘的AlGaN外延层,形成阶梯的AlGaN外延层结构,获得浓度分区的沟道2DEG,使得阶梯AlGaN外延层边缘出现新的电场峰,有效降低栅边缘的高峰电场,从而优化了AlGaN/GaN HEMTs器件的表面电场分布.实验获得了阈值电压-1.5V的新型AlGaN/GaN HEMTs器件.经过测试,同样面积的器件击穿电压从传统结构的67V提高到新结构的106V,提高了58%左右;脉冲测试下电流崩塌量也比传统结构减少了30%左右,电流崩塌效应得到了一定的缓解. 展开更多
关键词 ALGAN/GAN 表面电场 击穿电压 电流崩塌
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盆式绝缘子存在自由金属颗粒时的电场分析及其对沿面闪络的影响 预览 被引量:8
14
作者 高有华 王彩云 +2 位作者 刘晓明 王珊 齐安智 《电工电能新技术》 CSCD 北大核心 2015年第8期56-61,共6页
为研究气体绝缘全封闭式组合电器(GIS)中盆式绝缘子表面存在自由金属颗粒时的沿面电场分布及其对沿面闪络的影响,建立了800kV盆式绝缘子三维结构模型,采用有限元法对盆式绝缘子存在大小、位置及形状不同的自由金属颗粒时分别在工频电... 为研究气体绝缘全封闭式组合电器(GIS)中盆式绝缘子表面存在自由金属颗粒时的沿面电场分布及其对沿面闪络的影响,建立了800kV盆式绝缘子三维结构模型,采用有限元法对盆式绝缘子存在大小、位置及形状不同的自由金属颗粒时分别在工频电压、雷电冲击电压及快速暂态过电压(VFTO)作用下的电场进行了分析。给出了不同情况下盆式绝缘子的沿面电场分布、沿面法向和切向电场强度分布曲线及电场强度最大值。通过与不存在缺陷时的闪络场强作对比分析,为GIS的绝缘设计提供参考。 展开更多
关键词 盆式绝缘子 金属颗粒 沿面电场 闪络
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影响特高压直流输电线路表面电场的因素及分析 预览
15
作者 马力 王珍雪 +1 位作者 叶会英 朱君瑶 《郑州大学学报:工学版》 CAS 北大核心 2015年第2期89-93,共5页
导线表面电场是特高压直流(UHVDC)输电线路无线电干扰、可听噪声以及电晕损失的决定因素,为此准确计算导线表面电场强度显得格外重要.国内外对表面电场的影响因素分析较少,本文以模拟电荷法为基础,以每个子导线内部设置12个模拟电荷为... 导线表面电场是特高压直流(UHVDC)输电线路无线电干扰、可听噪声以及电晕损失的决定因素,为此准确计算导线表面电场强度显得格外重要.国内外对表面电场的影响因素分析较少,本文以模拟电荷法为基础,以每个子导线内部设置12个模拟电荷为例,针对线路的分裂导线数、子导线分裂间距、子导线横截面积、导线对地高度及极导线间距等影响因素进行分析.运用MATLAB语言编写程序,对模型进行计算仿真,得出每个变量对表面电场的定量影响,为工程架设中选择导线结构参数提供重要的理论依据. 展开更多
关键词 表面电场 模拟电荷法 因素分析
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一款600V VDMOS终端结构的设计 被引量:4
16
作者 胡玉松 冯全源 陈晓培 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2014年第6期129-132,共4页
设计了一款600V VDMOS功率器件的终端保护环结构,采用场限环与复合场板相结合的方式降低硅表面的电场峰值,且表面电场分布均匀.在159μm终端长度上仿真实现了670V的耐压,表面电场最大值为2.36e5V*cm-1,提高了终端的可靠性;工艺简单,同... 设计了一款600V VDMOS功率器件的终端保护环结构,采用场限环与复合场板相结合的方式降低硅表面的电场峰值,且表面电场分布均匀.在159μm终端长度上仿真实现了670V的耐压,表面电场最大值为2.36e5V*cm-1,提高了终端的可靠性;工艺简单,同时没有增加额外的掩膜与步骤. 展开更多
关键词 功率器件 终端 表面电场 耐压
具有N型缓冲层REBULF Sup er Junction LDMOS 被引量:1
17
作者 段宝兴 曹震 +1 位作者 袁小宁 杨银堂 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第22期283-288,共6页
针对功率集成电路对低损耗LDMOS (lateral double-diffused MOSFET)类器件的要求,在N型缓冲层super junction LDMOS (buffered SJ-LDMOS)结构基础上,提出了一种具有N型缓冲层的REBULF (reduced BULk field) super junction LDMO... 针对功率集成电路对低损耗LDMOS (lateral double-diffused MOSFET)类器件的要求,在N型缓冲层super junction LDMOS (buffered SJ-LDMOS)结构基础上,提出了一种具有N型缓冲层的REBULF (reduced BULk field) super junction LDMOS结构。这种结构不但消除了N沟道SJ-LDMOS由于P型衬底带来的衬底辅助耗尽效应问题,使super junction的N区和P区电荷完全补偿,而且同时利用REBULF的部分N型缓冲层电场调制效应,在表面电场分布中引入新的电场峰而使横向表面电场分布均匀,提高了器件的击穿电压。通过优化部分N型埋层的位置和参数,利用仿真软件ISE分析表明,新型REBULF SJ-LDMOS的击穿电压较一般LDMOS提高了49%左右,较文献提出的buffered SJ-LDMOS结构提高了30%左右。 展开更多
关键词 击穿电压 表面电场
一款75V功率场效应管失效分析与改进
18
作者 汪德波 冯全源 陈晓培 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期829-832,共4页
对一款75V功率场效应管失效芯片进行了分析。通过TCAD软件进行数值仿真,验证失效原因。在终端长度不变的前提下,获得具有两个场限环的终端结构,基本满足电场可靠性小于2.5×10^5 V/cm的要求。设计了三个场限环终端结构,击穿电压提高... 对一款75V功率场效应管失效芯片进行了分析。通过TCAD软件进行数值仿真,验证失效原因。在终端长度不变的前提下,获得具有两个场限环的终端结构,基本满足电场可靠性小于2.5×10^5 V/cm的要求。设计了三个场限环终端结构,击穿电压提高至94.7V,硅表面最大电场为2.17×10^5 V/cm,小于临界电场2.2×10^5 V/cm,降低了最大碰撞电离率,提高了器件的可靠性。 展开更多
关键词 功率场效应管 失效分析 表面电场 碰撞电离率 可靠性
阶梯AlGaN外延新型Al0.25Ga0.75N/GaNHEMTs击穿特性分析 被引量:1
19
作者 段宝兴 杨银堂 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期360-365,共6页
为了优化AlGaN/GaN HEMTs器件表面电场,提高击穿电压,本文首次提出了一种新型阶梯AlGaN/GaN HEMTs结构.新结构利用AlGaN/GaN异质结形成的2DEG浓度随外延AlGaN层厚度降低而减小的规律,通过减薄靠近栅边缘外延的AlGaN层,使沟道2DEG浓度分... 为了优化AlGaN/GaN HEMTs器件表面电场,提高击穿电压,本文首次提出了一种新型阶梯AlGaN/GaN HEMTs结构.新结构利用AlGaN/GaN异质结形成的2DEG浓度随外延AlGaN层厚度降低而减小的规律,通过减薄靠近栅边缘外延的AlGaN层,使沟道2DEG浓度分区,形成栅边缘低浓度2DEG区,低的2DEG使阶梯AlGaN交界出现新的电场峰,新电场峰的出现有效降低了栅边缘的高峰电场,优化了AlGaN/GaN HEMTs器件的表面电场分布,使器件击穿电压从传统结构的446 V,提高到新结构的640 V.为了获得与实际测试结果一致的击穿曲线,本文在GaN缓冲层中设定了一定浓度的受主型缺陷,通过仿真分析验证了国际上外延GaN缓冲层时掺入受主型离子的原因,并通过仿真分析获得了与实际测试结果一致的击穿曲线. 展开更多
关键词 ALGAN GAN 表面电场 击穿电压 异质结
多层均压结构可加工陶瓷真空沿面耐电特性的实验与仿真研究 被引量:2
20
作者 张冠军 黄学增 +3 位作者 田杰 詹江杨 穆海宝 马新沛 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2013年第22期148-154,共7页
真空中沿固体绝缘材料表面的闪络电压通常远低于绝缘材料自身及相同长度真空间隙的击穿电压,这一现象极大地限制了高压真空设备的发展。将一种具有优良可加工性能和良好耐电性能的可加工陶瓷引入真空绝缘领域,结合工程实际中的绝缘堆结... 真空中沿固体绝缘材料表面的闪络电压通常远低于绝缘材料自身及相同长度真空间隙的击穿电压,这一现象极大地限制了高压真空设备的发展。将一种具有优良可加工性能和良好耐电性能的可加工陶瓷引入真空绝缘领域,结合工程实际中的绝缘堆结构,加工制作了多层均压结构;在纳秒脉冲电压下对不同多层均压结构的样品进行了真空沿面耐电性能的测试,并分析了不同均压结构对样品沿面电场和电子运动轨迹的影响。结果表明:多层均压结构样品的耐压强度要高于圆柱形样品,且其闪络场强随着绝缘层与金属层比例的增大有增大的趋势,径向电场随该比例的增大而减小;使用圆台形绝缘子组成多层均压绝缘结构时,电子难以与样品表面发生碰撞,闪络的稳定性得到了一定程度的提高。 展开更多
关键词 真空 可加工陶瓷 多层均压 沿面电场 电子运动轨迹 闪络场强
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