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Room-temperature continuous-wave operation of GaN-based blue-violet laser diodes with a lifetime longer than 1000h 预览
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作者 Feng Liang Jing Yang +9 位作者 Degang Zhao Zongshun Liu Jianjun Zhu Ping Chen Desheng Jiang Yongsheng Shi Hai Wang Lihong Duan Liqun Zhang Hui Yang 《半导体学报:英文版》 EI CAS CSCD 2019年第2期39-42,共4页
GaN-based continuous-wave operated blue-violet laser diodes(LDs) with long lifetime are demonstrated, which are grown on a c-plane GaN substrate by metal organic chemical vapor deposition with a 10 × 600 μm~2 ri... GaN-based continuous-wave operated blue-violet laser diodes(LDs) with long lifetime are demonstrated, which are grown on a c-plane GaN substrate by metal organic chemical vapor deposition with a 10 × 600 μm~2 ridge waveguide structure.The electrical and optical characteristics of a blue-violet LD are investigated under direct-current injection at room temperature(25 °C). The stimulated emission wavelength and peak optical power of the LD are around 413 nm and over 600 mW, respectively.In addition, the threshold current density and voltage are as small as 1.46 kA/cm~2 and 4.1 V, respectively. Moreover, the lifetime is longer than 1000 hours under room-temperature continuous-wave operation. 展开更多
关键词 GAN-BASED blue-violet laser DIODES long LIFETIME THRESHOLD voltage
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基于cmos反相器的可精确计算延时电路 预览
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作者 崔建国 宁永香 《山西电子技术》 2019年第2期3-5,共3页
CMOS反相器的阈值电压为供电电压的一半,但有-15%~+15%合计30%的运行误差,CMOS反相器之间阈值电压的个体差异,使工程师设计传统RC延时电路时,如果以UC=0.5VCC作为阈值电压设计延时、该电路实际运行所获得的延时与设计初衷之间的误差很大... CMOS反相器的阈值电压为供电电压的一半,但有-15%~+15%合计30%的运行误差,CMOS反相器之间阈值电压的个体差异,使工程师设计传统RC延时电路时,如果以UC=0.5VCC作为阈值电压设计延时、该电路实际运行所获得的延时与设计初衷之间的误差很大,设计参数不能拿来引用。设计一种可以精确计算的延时电路,电路仍以UC=0.5VCC作为阈值电压设计延时,这个延时电路采用了两个RC延时网络和两个反相器串联,每个RC网络产生相同的延时,两个CMOS反相器无论以哪一种有误差的阈值电压运行、最后获得的实际延时都与设计初衷相差无几,参数可以直接拿来引用。 展开更多
关键词 RC延时电路 τ CMOS反相器 阈值电压 设计参数 运行误差
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High-performance InAlGaN/GaN enhancement-mode MOS-HEMTs grown by pulsed metal organic chemical vapor deposition
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作者 张雅超 王之哲 +4 位作者 郭蕊 刘鸽 包为民 张进成 郝跃 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第1期634-638,共5页
Pulsed metal organic chemical vapor deposition was employed to grow nearly polarization matched InAlGaN/GaN heterostructures. A relatively low sheet carrier density of 1.8×1012cm-2, together with a high electron ... Pulsed metal organic chemical vapor deposition was employed to grow nearly polarization matched InAlGaN/GaN heterostructures. A relatively low sheet carrier density of 1.8×1012cm-2, together with a high electron mobility of1229.5 cm2/V·s, was obtained for the prepared heterostructures. The surface morphology of the heterostructures was also significantly improved, i.e., with a root mean square roughness of 0.29 nm in a 2 μm×2 μm scan area. In addition to the improved properties, the enhancement-mode metal–oxide–semiconductor high electron mobility transistors(MOSHEMTs) processed on the heterostructures not only exhibited a high threshold voltage(VTH) of 3.1 V, but also demonstrated a significantly enhanced drain output current density of 669 m A/mm. These values probably represent the largest values obtained from the InAlGaN based enhancement-mode devices to the best of our knowledge. This study strongly indicates that the InAlGaN/GaN heterostructures grown by pulsed metal organic chemical vapor deposition could be promising for the applications of novel nitride-based electronic devices. 展开更多
关键词 InAlGaN ENHANCEMENT-MODE metal–oxide–semiconductor high electron MOBILITY TRANSISTOR THRESHOLD voltage
高k金属栅NMOSFET器件阈值电压调控方法
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作者 刘城 王爱记 +2 位作者 刘自瑞 刘建强 毛海央 《微纳电子技术》 北大核心 2019年第1期13-19,25共8页
实现对器件阈值电压的有效调控是高k金属栅(HKMG)技术面临的一项重要挑战。TiAl薄膜作为n型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)的功函数层被广泛地应用于HKMG结构中以实现对器件阈值电压的调控。实验采用射频(RF)-直流(DC)磁控溅射... 实现对器件阈值电压的有效调控是高k金属栅(HKMG)技术面临的一项重要挑战。TiAl薄膜作为n型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)的功函数层被广泛地应用于HKMG结构中以实现对器件阈值电压的调控。实验采用射频(RF)-直流(DC)磁控溅射的方式沉积TiAl薄膜,通过优化直流功率、射频功率和反应压强工艺参数,实现了对薄膜Ti/Al原子比率的调节,提高了Ti/Al原子比率分布均匀度。基于实验结果,采用后栅工艺流程制造HKMG NMOSFET,讨论不同的Ti/Al原子比率和TiAl层厚度对NMOSFET阈值电压的影响。Ti/Al原子比率增大10%,NMOSFET的阈值电压增加12.6%;TiAl层厚度增加2 nm,NMOSFET的阈值电压下降19.5%。这种方法已经被成功应用于HKMG器件的生产。 展开更多
关键词 高k金属栅(HKMG) 功函数层 磁控溅射 Ti/Al原子比率 阈值电压 n型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)
一种电介质/P-AlGaN叠栅增强型HEMT
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作者 罗俊 郝跃 《微电子学》 CAS 北大核心 2019年第1期119-124,共6页
为提高器件的阈值电压,提出了一种带电介质/P-AlGaN叠栅结构的增强型AlGaN/GaN HEMT。分析了器件阈值电压提高的机理,优化了电介质的介电常数和厚度。结果表明,该增强型AlGaN/GaN HEMT的阈值电压高达8.6V。这个很高的阈值电压值能满足... 为提高器件的阈值电压,提出了一种带电介质/P-AlGaN叠栅结构的增强型AlGaN/GaN HEMT。分析了器件阈值电压提高的机理,优化了电介质的介电常数和厚度。结果表明,该增强型AlGaN/GaN HEMT的阈值电压高达8.6V。这个很高的阈值电压值能满足功率电子系统的安全性需要。 展开更多
关键词 ALGAN/GAN HEMT 增强型 叠栅结构 阈值电压
一种适用于变电站蓄电池组的管理提升方案 预览
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作者 吴疆 潘晓明 +2 位作者 沈卫刚 施峰 肖洋 《电力安全技术》 2019年第2期46-50,共5页
变电站蓄电池组作为变电站紧急状态下的应急电源,其运行环境、特性要求与常见的频繁充放电的蓄电池组有较为明显的区别。根据变电站蓄电池组的运行现状及特性要求,总结了提高变电站蓄电池组使用寿命的方法,并提出了适用于变电站蓄电池... 变电站蓄电池组作为变电站紧急状态下的应急电源,其运行环境、特性要求与常见的频繁充放电的蓄电池组有较为明显的区别。根据变电站蓄电池组的运行现状及特性要求,总结了提高变电站蓄电池组使用寿命的方法,并提出了适用于变电站蓄电池组的充放电管理系统及相应保护方案。 展开更多
关键词 蓄电池组 充放电 阈值电压 欠电
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一种3D NAND闪存负温度系数的读电压基准发生器
7
作者 白连龙 Masao Kuriyama 何洪楷 《微电子学与计算机》 北大核心 2019年第7期12-16,共5页
由于阈值电压(threshold voltage,VTH)的偏移,3DNAND闪存可靠性很容易受到温度变化的影响,这将进一步恶化读取裕度.为了解决这一问题,本文提出了一种具有负温度系数的读电压基准发生器来补偿阈值电压随温度的变化.本文所提出的具有负温... 由于阈值电压(threshold voltage,VTH)的偏移,3DNAND闪存可靠性很容易受到温度变化的影响,这将进一步恶化读取裕度.为了解决这一问题,本文提出了一种具有负温度系数的读电压基准发生器来补偿阈值电压随温度的变化.本文所提出的具有负温度系数的电压电路通过分别调整负温度系数(complementary to absolute temperature,CTAT)电流和零温度系数(zero to absolute temperature,ZTAT)电流,可输出具有相同负温度系数的不同大小的读电压,并通过调制器(regulator)来提高其输出电压的范围.结果表明,所提出的方法可以提供一个可配置的读电压范围为1.5~4.5V. 展开更多
关键词 阈值电压 3DNAND闪存 读电压发生器 负温度系数电流 零温度系数电流 调制器
一种低工艺偏差的低功耗基准电流源
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作者 杨慧明 王耀 范文兵 《微电子学》 CAS 北大核心 2019年第2期168-172,共5页
基于对工艺偏差不敏感的温度补偿机制,提出了一种低工艺偏差的低功耗基准电流源。利用MOS管的阈值电压和片上电阻的温度系数在工艺偏差下较稳定的特性,获得了在不同工艺角下具有良好温度特性的基准电流,减小了工艺偏差对基准电流温度系... 基于对工艺偏差不敏感的温度补偿机制,提出了一种低工艺偏差的低功耗基准电流源。利用MOS管的阈值电压和片上电阻的温度系数在工艺偏差下较稳定的特性,获得了在不同工艺角下具有良好温度特性的基准电流,减小了工艺偏差对基准电流温度系数的影响。采用0.18μm CMOS工艺对电路进行设计与仿真。结果表明,该基准电流源的工作电压范围为1.1~4.0 V。在1.2 V电源电压下,基准电流为23.06 nA。在-40℃~85℃范围内,温度系数为9×10-5/℃,功耗为50 nW,离散系数(σ/μ)为±3.4%。 展开更多
关键词 基准电流源 低功耗 阀值电压 工艺偏差
22 nm FDSOI器件的制备与背偏效应研究
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作者 李亦琨 孙亚宾 +5 位作者 李小进 石艳玲 王玉恒 王昌锋 廖端泉 田明 《微电子学》 CAS 北大核心 2019年第3期431-435,共5页
提出了一种基于后栅极工艺的22 nm全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)器件的制备方法。基于电学测试结果,分析了器件的基本性能,研究了背栅偏压对器件性能的影响。结果表明,器件的开关电流比比较高、亚阈值摆幅较小,符合产业的一般标准。背栅偏压... 提出了一种基于后栅极工艺的22 nm全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)器件的制备方法。基于电学测试结果,分析了器件的基本性能,研究了背栅偏压对器件性能的影响。结果表明,器件的开关电流比比较高、亚阈值摆幅较小,符合产业的一般标准。背栅偏压对长沟道和短沟道器件的阈值电压均有明显的影响。电路设计人员可以根据不同需求,选择工作在正向体偏置(FBB)模式或者反向体偏置(RBB)模式的器件。 展开更多
关键词 全耗尽绝缘体上硅 后栅极工艺 背栅偏压 阈值电压
质子转移反应飞行时间质谱的建立与性能研究
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作者 梁渠 张亚婷 +6 位作者 张强领 邹雪 陈美玲 王鸿梅 黄超群 沈成银 储焰南 《大气与环境光学学报》 CAS CSCD 2019年第4期289-295,共7页
介绍了自主研制的质子转移反应飞行时间质谱的基本结构和性能。首先对数据采集卡甄别离子脉冲的阈值电压进行了优化,结果表明当阈值电压为0.33V时,H3^16O^+(m/z 19)与H3^18O^+(m/z 21)的离子计数比约500:1;然后考察了水团簇离子H3O^+H2O... 介绍了自主研制的质子转移反应飞行时间质谱的基本结构和性能。首先对数据采集卡甄别离子脉冲的阈值电压进行了优化,结果表明当阈值电压为0.33V时,H3^16O^+(m/z 19)与H3^18O^+(m/z 21)的离子计数比约500:1;然后考察了水团簇离子H3O^+H2O(n=0,1,2,3)的分布与漂移管约化电场的关系,结果表明,当约化电场(E/N)为139 Td(1 Td=10^-17 Vcm^2)时,团簇离子得到很好地抑制,质谱观察到的离子主要是H3O^+,其纯度可达99%以上;随后考察了质谱的分辨率,结果表明在m/z=124处,分辨率最好,达到2653;采用不同浓度的乙醇标样对仪器的线性范围和检测限性能进行了测试,结果表明该仪器的线性动态范围可达三个数量级,检测限可达3.8 ppb;最后用该质谱仪检测了实验室空气,得到了实验室空气的质谱图。自主研制的质子转移反应飞行时间质谱可实现对痕量挥发性有机物的实时在线测量,在环境、食品、医学等领域具有重要应用价值. 展开更多
关键词 质子转移反应飞行时间质谱 阈值电压 分辨率 挥发性有机物
Investigation and active suppression of self-heating induced degradation in amorphous InGaZnO thin film transistors
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作者 张东 武辰飞 +6 位作者 徐尉宗 任芳芳 周东 于芃 张荣 郑有炓 陆海 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第1期575-579,共5页
Self-heating effect in amorphous InGaZnO thin-film transistors remains a critical issue that degrades device performance and stability, hindering their wider applications. In this work, pulsed current–voltage analysi... Self-heating effect in amorphous InGaZnO thin-film transistors remains a critical issue that degrades device performance and stability, hindering their wider applications. In this work, pulsed current–voltage analysis has been applied to explore the physics origin of self-heating induced degradation, where Joule heat is shortly accumulated by drain current and dissipated in repeated time cycles as a function of gate bias. Enhanced positive threshold voltage shift is observed at reduced heat dissipation time, higher drain current, and increased gate width. A physical picture of Joule heating assisted charge trapping process has been proposed and then verified with pulsed negative gate bias stressing scheme, which could evidently counteract the self-heating effect through the electric-field assisted detrapping process. As a result, this pulsed gate bias scheme with negative quiescent voltage could be used as a possible way to actively suppress self-heating related device degradation. 展开更多
关键词 AMORPHOUS INGAZNO thin-film transistor SELF-HEATING effect THRESHOLD voltage shift PULSED negative gate BIAS
Research for radiation-hardened high-voltage SOI LDMOS 预览
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作者 Yanfei Li Shaoli Zhu +2 位作者 Jianwei Wu Genshen Hong Zheng Xu 《半导体学报:英文版》 EI CAS CSCD 2019年第5期41-45,共5页
Based on the silicon-on-insulator(SOI) technology and radiation-hardened silicon gate(RSG) process, a radiation-hardened high-voltage lateral double-diffused MOSFET(LDMOS) device is presented in this paper. With the g... Based on the silicon-on-insulator(SOI) technology and radiation-hardened silicon gate(RSG) process, a radiation-hardened high-voltage lateral double-diffused MOSFET(LDMOS) device is presented in this paper. With the gate supply voltage of 30 V, the LDMOS device has a gate oxide thickness of 120 nm, and the RSG process is effective in reducing the total ionizing dose(TID) radiation-induced threshold voltage shift. The p-type ion implantation process and gate-enclosed layout topology are used to prevent radiation-induced leakage current through a parasitic path under the bird’s beak and at the deep trench corner,and the device is compatible with high-voltage SOI CMOS process. In the proposed LDMOS, the total ionizing dose radiation degradation for the ON bias is more sensitive than the OFF bias. The experiment results show that the SOI LDMOS has a negative threshold voltage shift of 1.12 V, breakdown voltage of 135 V, and off-state leakage current of 0.92 pA/μm at an accumulated dose level of 100 krad(Si). 展开更多
关键词 radiation-hardened RGS total ion dose threshold voltage shift
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基于FDSOI的TFET和MOSFET总剂量效应仿真
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作者 陈治西 刘强 +4 位作者 任青华 刘晨鹤 赵兰天 俞文杰 闵嘉华 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第6期464-470,487共8页
对基于全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)的隧穿场效应晶体管(TFET)器件和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件进行了总剂量(TID)效应仿真,基于两种器件不同的工作原理,研究了总剂量效应对两种器件造成的电学影响,分析了辐照前后TFET和MOS... 对基于全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)的隧穿场效应晶体管(TFET)器件和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件进行了总剂量(TID)效应仿真,基于两种器件不同的工作原理,研究了总剂量效应对两种器件造成的电学影响,分析了辐照前后TFET和MOSFET的能带结构、载流子密度等关键因素的变化。仿真结果表明:两种器件在受到较大辐射剂量时(1 Mrad (Si)),TFET受辐射引起的固定电荷影响较小,仍能保持较好的开关特性、稳定的阈值电压;而MOSFET则受固定电荷的影响较大,出现了背部导电沟道,其关态电流增加了几个数量级,开关特性发生了严重退化,阈值电压也严重地向负电压偏移。此外,TFET的开态电流会随着辐照剂量的增加而减小,这与MOSFET的表现恰好相反。因此TFET比MOSFET有更好的抗总剂量效应能力。 展开更多
关键词 隧穿场效应晶体管(TFET) 总剂量(TID)效应 开关特性 能带结构 阈值电压
高阈值电压低界面态增强型Al2O3/GaN MIS-HEMT
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作者 李茂林 陈万军 +6 位作者 王方洲 施宜军 崔兴涛 信亚杰 刘超 李肇基 张波 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第4期265-269,290共6页
采用高温热氧化栅极凹槽刻蚀工艺并结合高温氮气氛围退火技术,制备出了高阈值电压的硅基GaN增强型Al2O3/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMT)。采用高温热氧化栅极凹槽刻蚀工艺刻蚀AlGaN层,并在AlGaN/GaN界面处自动终止... 采用高温热氧化栅极凹槽刻蚀工艺并结合高温氮气氛围退火技术,制备出了高阈值电压的硅基GaN增强型Al2O3/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMT)。采用高温热氧化栅极凹槽刻蚀工艺刻蚀AlGaN层,并在AlGaN/GaN界面处自动终止刻蚀,可有效控制刻蚀的精度并降低栅槽表面的粗糙度。同时,利用高温氮气退火技术能够修复Al2O3/GaN界面的界面陷阱,并降低Al2O3栅介质体缺陷,因此能够减少Al2O3/GaN界面的界面态密度并提升栅极击穿电压。采用这两项技术制备的硅基GaN增强型Al2O3/GaN MIS-HEMT具有较低的栅槽表面平均粗糙度(0.24 nm)、较高的阈值电压(4.9 V)和栅极击穿电压(14.5 V)以及较低的界面态密度(8.49×10^11 cm^-2)。 展开更多
关键词 增强型Al2O3/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMT) 阈值电压 界面态 热氧化 退火
电阻负载型NMOS反相器输出低电平优化 预览
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作者 刘春艳 李媛 《微处理机》 2019年第2期26-29,共4页
反相器是几乎所有数字集成电路设计的核心,然而在针对反相器设计的大量研究当中,对于电阻负载型NMOS反相器的参数对NMOS反相器在性能上的影响,很少被报道。基于此,利用Silvaco TCAD半导体器件仿真软件全面系统地分析了电阻型负载NMOS反... 反相器是几乎所有数字集成电路设计的核心,然而在针对反相器设计的大量研究当中,对于电阻负载型NMOS反相器的参数对NMOS反相器在性能上的影响,很少被报道。基于此,利用Silvaco TCAD半导体器件仿真软件全面系统地分析了电阻型负载NMOS反相器器件参数,包括衬底掺杂浓度,栅氧化层厚度,晶体管导电沟道宽长比,电阻RL的阻值等,研究其对反相器输出低电平性能的影响。仿真结果表明,增加衬底掺杂浓度和P^+区掺杂浓度可以改变阈值电压,优化电路的输出电平;增大栅氧化层的厚度也可同样实现对电阻型NMOS反相器输出电平的优化。 展开更多
关键词 阈值电压 栅氧化层厚度 掺杂浓度 导电沟道宽长比 瞬态特性
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高k+SiO2栅FD-SOI MOSFET阈值电压和DIBL效应的分析及建模
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作者 万璐绪 杨建国 +3 位作者 柯导明 吴笛 杨菲 陈甜 《中国科学:信息科学》 CSCD 北大核心 2019年第3期342-360,共19页
文章提出了高k+SiO2栅FD-SOI(fully depleted silicon-on-insulator)MOSFET,开发了它的二维亚阈值区前栅表面电势、阈值电压和DIBL(drain induced barrier lowing)效应计算模型.本文根据器件的结构和不同的介电常数,将亚阈值区的FD-SOI ... 文章提出了高k+SiO2栅FD-SOI(fully depleted silicon-on-insulator)MOSFET,开发了它的二维亚阈值区前栅表面电势、阈值电压和DIBL(drain induced barrier lowing)效应计算模型.本文根据器件的结构和不同的介电常数,将亚阈值区的FD-SOI MOSFET分成若干个不同的矩形等效源,构建了这个多角形区域的Poisson方程和Laplace方程的二维边界值问题,然后用分离变量法和特征函数展开法求出了模型的二维解.计算结果表明,高k+SiO2栅能有效地抑制高k介电常数产生的FD-SOI MOSFET阈值电压退化,DIBL效应加重,以及FIBL效应.由于这个模型列出的是线性代数方程组,它的计算开销小,因此这个半解析模型既可以用于FD-SOI MOSFET的模拟和仿真,又可用做电路模拟器的器件模型. 展开更多
关键词 高k+SiO2栅 FD-SOI MOSFET 阈值电压 DIBL效应 二维模型
高性能非平面沟道场效应晶体管 预览
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作者 张茂林 郭宇锋 +3 位作者 李曼 陈静 田涛 童祎 《应用科技》 CAS 2018年第1期51-55,60共6页
半导体器件的高速化、集成化要求其特征尺寸不断缩小,不可避免地导致短沟道效应,从而使得器件性能退化。提出了一种非平面沟道晶体管,利用二维半导体器件仿真软件SILVACO对其阈值电压退化、亚阈值特性和衬底电流进行了研究,并通过... 半导体器件的高速化、集成化要求其特征尺寸不断缩小,不可避免地导致短沟道效应,从而使得器件性能退化。提出了一种非平面沟道晶体管,利用二维半导体器件仿真软件SILVACO对其阈值电压退化、亚阈值特性和衬底电流进行了研究,并通过能带图、电势分布图和电场分布图探讨了其物理机理。研究表明非平面沟道晶体管可以很好地抑制阈值电压退化,改善器件的亚阈值特性,降低漏电流和衬底电流,提高击穿电压,从而抑制短沟道效应,提高器件的可靠性。 展开更多
关键词 短沟道效应 场效应晶体管 非平面沟道 阈值电压 亚阈值特性
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聚氧乙烯脱水山梨醇单油酸酯对聚合物网络液晶电光特性的影响 预览
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作者 牧启辉 郭玉强 +3 位作者 高亮 马红梅 朱吉亮 孙玉宝 《液晶与显示》 CSCD 北大核心 2018年第5期381-388,共8页
聚合物网络液晶一般有较大的阈值电压和饱和电压,有明显的迟滞效应,所以降低阈值电压与饱和电压,降低迟滞效应和增加对比度是研究的主要目标。表面活性剂的使用可以有效减小聚合物网络与液晶的相互作用,从而降低聚合物网络对液晶分子的... 聚合物网络液晶一般有较大的阈值电压和饱和电压,有明显的迟滞效应,所以降低阈值电压与饱和电压,降低迟滞效应和增加对比度是研究的主要目标。表面活性剂的使用可以有效减小聚合物网络与液晶的相互作用,从而降低聚合物网络对液晶分子的锚定能,来达到降低阈值电压与饱和电压的效果。本文通过在聚合物网络液晶里掺入不同比例的表面活性剂(聚氧乙烯脱水山梨醇单油酸酯:TWEEN 80),来研究表面活性剂对聚合物网络液晶电光特性的影响。实验结果表明:在聚合物网络液晶里增加该种表面活性剂的比例达到10∶1时,阈值电压可以降低11倍以上,饱和电压降低5倍以上,对比度有一个大的提高,迟滞效应也得到很大的改善。本文结果对提高PNLC的电光特性有重要的指导意义。 展开更多
关键词 聚合物网络液晶 表面活性剂 阈值电压 饱和电压 迟滞效应
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基于IGBT特征量的结温在线提取方法对比分析 预览
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作者 唐林 李中华 《电气传动》 北大核心 2018年第4期75-80,共6页
以电力电子装置设计与可靠性对其核心部件IGBT器件的结温在线提取需求为牵引,对IGBT器件结温在线提取方法进行了理论与仿真分析,主要包括:阈值电压、集射极饱和压降和关断时间结温在线提取方法的灵敏度、增量百分比及其实现在线提取的... 以电力电子装置设计与可靠性对其核心部件IGBT器件的结温在线提取需求为牵引,对IGBT器件结温在线提取方法进行了理论与仿真分析,主要包括:阈值电压、集射极饱和压降和关断时间结温在线提取方法的灵敏度、增量百分比及其实现在线提取的可行性,为实现电力电子装置中结温在线提取奠定了坚实基础。 展开更多
关键词 阈值电压 集射极饱和压降 关断时间 灵敏度 结温在线提取
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一种不共地系统的电压门限监控电路 预览
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作者 邢亚第 《微处理机》 2018年第3期60-64,共5页
对不共地系统的电压进行门限监控通常采用线性光耦与模拟数字转换器方案,但该法所需元器件成本高,系统资源消耗大,只适用于对被监控电压有实时线性需求的场合。鉴于此,设计一种利用稳压管与普通光耦代替ADC与线性光耦的方案,以大幅降低... 对不共地系统的电压进行门限监控通常采用线性光耦与模拟数字转换器方案,但该法所需元器件成本高,系统资源消耗大,只适用于对被监控电压有实时线性需求的场合。鉴于此,设计一种利用稳压管与普通光耦代替ADC与线性光耦的方案,以大幅降低核心元器件的价格,使电路结构更加紧凑。对后端MCU端口的占用由原先的N路降低为仅仅1路,无须再考虑ADC设备的位数,省去了控制单元的运算和比较过程,同时降低了编程难度,提高了执行效率。在电路结构的构建之外,也对元器件的参数选取进行讨论,针对不同降额使用要求,对元器件参数的选取进行了修正。 展开更多
关键词 隔离系统 光耦 门限电压 电压监控 降额使用
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