期刊文献+
共找到4篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
利用劳埃镜干涉测量压电陶瓷的压电系数 预览
1
作者 单声宇 严琪琪 +1 位作者 解晓雯 陈彦 《物理实验》 2018年第7期51-54,共4页
利用劳埃镜干涉测量了压电陶瓷的横向压电系数d31,将平面反射镜安装在压电陶瓷的一端,当压电陶瓷在外加横向电场的作用下产生微米量级的纵向形变时,劳埃镜干涉条纹间距将发生相应的变化,从而放大了压电陶瓷的微小形变.通过相机采集干涉... 利用劳埃镜干涉测量了压电陶瓷的横向压电系数d31,将平面反射镜安装在压电陶瓷的一端,当压电陶瓷在外加横向电场的作用下产生微米量级的纵向形变时,劳埃镜干涉条纹间距将发生相应的变化,从而放大了压电陶瓷的微小形变.通过相机采集干涉条纹的位置与条纹间距的相关信息,并运用Matlab程序对其进行分析,得到压电陶瓷在不同驱动电压下对应的形变量,计算出该材料的压电系数. 展开更多
关键词 压电陶瓷 横向压电系数 逆压电效应 劳埃镜 微小位移
在线阅读 免费下载
力电多场鼓包法测定PZT铁电薄膜的横向压电系数 预览
2
作者 何元东 孙长振 +5 位作者 毛卫国 毛贻齐 张宏龙 陈彦飞 裴永茂 方岱宁 《材料导报》 CSCD 北大核心 2017年第15期139-144,共6页
为表征Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3(PZT)薄膜的横向压电性能,以纯力场鼓包测试模型和铁电薄膜材料压电方程为基础,推导了PZT铁电薄膜的力电耦合鼓包本构模型。采用溶胶-凝胶法制备了PZT铁电薄膜,并通过化学腐蚀法获得PZT薄膜鼓... 为表征Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3(PZT)薄膜的横向压电性能,以纯力场鼓包测试模型和铁电薄膜材料压电方程为基础,推导了PZT铁电薄膜的力电耦合鼓包本构模型。采用溶胶-凝胶法制备了PZT铁电薄膜,并通过化学腐蚀法获得PZT薄膜鼓包样品。在外加电压为0~14V的条件下进行鼓包测试。结果表明,在纯力场作用下,PZT薄膜的弹性模量和残余应力分别为91.9GPa和36.2MPa;随着电压从2V变化到14V,PZT薄膜的横向压电系数d31从-28.9pm/V变化到-45.8pm/V。本工作所发展的力电耦合鼓包测试技术及力电耦合鼓包本构模型为评价铁电薄膜材料的横向压电性能提供了一种有效的分析方法。 展开更多
关键词 横向压电系数 鼓包测试 力电耦合本构 锆钛酸铅薄膜
在线阅读 免费下载
高性能PZT陶瓷双晶片制备及猫中耳拾音实验研究 预览
3
作者 康厚墉 吴拥真 +3 位作者 迟放鲁 郭少波 高娜 潘铁政 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期691-694,共4页
制备横向压电系数d31高达-480pC/N和居里温度Tc达280℃的高性能PZT压电陶瓷材料,再制成厚0.3mm、宽1.0mm和长度分别为3.5、4.0和4.5mm的压电双晶片(PCBE),结合前置放大器制成声电换能器,将其植入猫耳内并测试PCBE耦合于听骨链上的声... 制备横向压电系数d31高达-480pC/N和居里温度Tc达280℃的高性能PZT压电陶瓷材料,再制成厚0.3mm、宽1.0mm和长度分别为3.5、4.0和4.5mm的压电双晶片(PCBE),结合前置放大器制成声电换能器,将其植入猫耳内并测试PCBE耦合于听骨链上的声学信号拾取能力.结果表明:制备的PCBE具有良好的声-电换能性能;三种长度的PCBE均可全部植入猫耳鼓室,拾取体外20~20000Hz声信号可获得较平坦的频响曲线,长度为4.5mm的PCBE拾取信号最佳,最大输出达-13.16dB(0dB输入,1.5kHz时).证实PZT压电双晶片可以制成鼓室内全植入式传声器。 展开更多
关键词 压电陶瓷双晶片 横向压电系数 声电换能 中耳
在线阅读 下载PDF
提高压电微探针表面信息读取电荷灵敏度的方法 预览 被引量:1
4
作者 吴绍勇 许晓慧 +2 位作者 吴亚雷 赵钢 褚家如 《纳米技术与精密工程》 EI CAS CSCD 2008年第4期 249-253,共5页
分析了基于原子力显微镜(AFM)探针阵列的超高密度信息存储中压电方式读取纳米数据坑的电荷灵敏度,从探针结构设计的角度指出通过改连上电极钝化层的设计可以使电荷灵敏度提高约50%;在读取电路中引入直流偏置电压,通过提高锆钛酸铅... 分析了基于原子力显微镜(AFM)探针阵列的超高密度信息存储中压电方式读取纳米数据坑的电荷灵敏度,从探针结构设计的角度指出通过改连上电极钝化层的设计可以使电荷灵敏度提高约50%;在读取电路中引入直流偏置电压,通过提高锆钛酸铅(PZT)薄膜的等效横向压电系数d31进一步提高电荷灵敏度.利用硅片悬臂梁上溶胶-凝胶法制备的PZT薄膜,基于正压电效应实验验证了施加直流偏置电压对d31的提高作用.直流偏压从0V增加到10V时,等效横向压电系数d31从-48pC/N提高到-120pC/N. 展开更多
关键词 超高密度信息存储 压电薄膜 电荷灵敏度 等效横向压电系数
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部 意见反馈