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基于MOCVD生长材料的高电流密度太赫兹共振隧穿二极管 预览
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作者 车相辉 梁士雄 +5 位作者 张立森 顾国栋 郝文嘉 杨大宝 陈宏泰 冯志红 《电子技术应用》 2019年第8期32-33,39共3页
为获得高功率的太赫兹共振隧穿器件,优化设计了AlAs/InGaAs/AlAs共振遂穿二极管材料结构,在国内首次采用MOCVD设备在半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用接触光刻工艺和空气桥搭接技术,制作了InP基共振遂穿二极管器件。并在室温... 为获得高功率的太赫兹共振隧穿器件,优化设计了AlAs/InGaAs/AlAs共振遂穿二极管材料结构,在国内首次采用MOCVD设备在半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用接触光刻工艺和空气桥搭接技术,制作了InP基共振遂穿二极管器件。并在室温下测试了器件的电学特性:峰值电流密度>400kA/cm2,峰谷电流比(PVCR)>2.4。 展开更多
关键词 共振隧穿二极管 峰值电流密度 峰谷电流比
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基于人工微结构阵列的太赫兹空间调制器研究进展
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作者 张雅鑫 梁士雄 +1 位作者 赵运成 冯志红 《中国科技成果》 2019年第12期23-25,28共4页
本文介绍了国内外太赫兹空间调制器的研究背景,阐述了太赫兹空间调制器的研究意义及应用前景。介绍了基于人工微结构阵列的太赫兹空间调制器的最新研究成果,利用太赫兹波对超材料独特的响应特性,设计出多种具有不同响应模式的人工微结... 本文介绍了国内外太赫兹空间调制器的研究背景,阐述了太赫兹空间调制器的研究意义及应用前景。介绍了基于人工微结构阵列的太赫兹空间调制器的最新研究成果,利用太赫兹波对超材料独特的响应特性,设计出多种具有不同响应模式的人工微结构阵列,分别嵌套高电子迁移率晶体管(HEMT)和相变材料二氧化钒,制备出了基于不同外加激励下的太赫兹空间幅度调制器和相位调制器。其中,太赫兹空间幅度调制器的调制速率可到1Gbps,调制深度可达85%,相位调制器在30GHz以上的带宽内相移量可达130°。上述太赫兹器件的调制性能均处于国际领先水平,极大地提高了透射式太赫兹准光调制器的调制能力。该类器件在太赫兹通信、太赫兹成像等领域具有极大的发展空间。 展开更多
关键词 太赫兹 空间调制器 人工微结构阵列 HEMT 二氧化饥
太赫兹梯度超表面综述 预览
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作者 寇伟 陈婷 +1 位作者 杨梓强 梁士雄 《电子技术应用》 2019年第7期8-13,18共7页
超表面,一种新颖的人工电磁材料,由于厚度可忽略不计,也称二维超材料。由于电磁波的电场或磁场与超表面亚波长单元结构的共振效应使其相位或幅度发生突变,从而经过超表面后出射波矢量场的叠加实现了对电磁波传播特性的调控。与三维超材... 超表面,一种新颖的人工电磁材料,由于厚度可忽略不计,也称二维超材料。由于电磁波的电场或磁场与超表面亚波长单元结构的共振效应使其相位或幅度发生突变,从而经过超表面后出射波矢量场的叠加实现了对电磁波传播特性的调控。与三维超材料相比,超表面拥有损耗低、厚度薄、易于集成等优点,其巨大的应用潜力受到全世界研究人员的关注。太赫兹超表面器件在平面超透镜、涡旋光束、数字编码超表面、全息成像等显示了巨大的潜力和优势。从基本定律出发,总结了几种重要的超表面器件的调控原理和应用领域,并对未来超表面器件的实用价值和前进方向进行展望。 展开更多
关键词 太赫兹 超表面 超材料 相位调控
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射频高效率功率放大器探究 预览
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作者 孔宪辉 《通信电源技术》 2019年第5期60-61,63共3页
随着无线通信系统的持续升级,对射频功率放大器的实际效率提出了全新要求。因此,研究了有效提升射频功率放大器效率的方法。
关键词 射频高效率功率放大器 无线通信 实验
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基于GaAs工艺L波段吸收式低通滤波器研制 预览
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作者 马文涛 李宏军 《电子技术与软件工程》 2019年第13期62-63,共2页
本文介绍了一种吸收式滤波器的基本结构及原理,在此基础上介绍了吸收式低通滤波器的设计方法,并给出设计实例,设计的L波段吸收式低通滤波器在3G~12G的频率范围内驻波比小于2,12倍频抑制大于40dB,芯片尺寸2.8mm×1mm×0.1mm,较... 本文介绍了一种吸收式滤波器的基本结构及原理,在此基础上介绍了吸收式低通滤波器的设计方法,并给出设计实例,设计的L波段吸收式低通滤波器在3G~12G的频率范围内驻波比小于2,12倍频抑制大于40dB,芯片尺寸2.8mm×1mm×0.1mm,较相同频段的反射式滤波器相比具有宽频带匹配、本底抑制高、寄生通带远等特点,可以满足实际工程的应用。 展开更多
关键词 奇偶模分析 反射系数 吸收式滤波器
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微波组件自动测试系统及其分布式网络化实现 预览
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作者 郑宏斌 《电子技术与软件工程》 2019年第17期88-89,共2页
本文根据微波组件需求,给出了微波组件自动测试系统的硬件设计和软件设计,并根据发展趋势及需求,给出了微波组件自动测试系统的分布式网络化实现。
关键词 微波组件 自动测试系统 开关矩阵 分布式网络化
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基于建立PMO的科研项目管理机制探索与实践 预览
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作者 赵晨安 宋学峰 白锐 《价值工程》 2019年第17期72-74,共3页
随着我国对科研越来越重视,投入不断增加,当前科研机构承接的科研项目呈现来源渠道多、类型差别大、多个项目同时开展等特点,伴随出现项目延期、预算执行偏差较大等问题。针对此类问题,以“分析问题-提出方案-案例实践-结论”的思路,提... 随着我国对科研越来越重视,投入不断增加,当前科研机构承接的科研项目呈现来源渠道多、类型差别大、多个项目同时开展等特点,伴随出现项目延期、预算执行偏差较大等问题。针对此类问题,以“分析问题-提出方案-案例实践-结论”的思路,提出在以项目管理办公室(Project Management Office,PMO)为管理主体基础上,开展科研项目管理的几种方法,供科研管理工作者参考。 展开更多
关键词 项目管理 PMO 科研机构 PDCA循环
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长脉宽、大占空比的GaN高效率功率器件研制 预览
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作者 余若祺 银军 +3 位作者 倪涛 斛彦生 朱紫康 默江辉 《通讯世界》 2019年第3期260-261,共2页
基于自主研发的0.5μm工艺高压GaNHEMT管芯,采用有源器件模型和无源器件模型与大功率内匹配合成技术相结合,成功设计并实现了一款用于长脉宽、大占空比工作的S波段大功率高效率内匹配功率器件,大幅度提升了设计的精确度和效率。本文设... 基于自主研发的0.5μm工艺高压GaNHEMT管芯,采用有源器件模型和无源器件模型与大功率内匹配合成技术相结合,成功设计并实现了一款用于长脉宽、大占空比工作的S波段大功率高效率内匹配功率器件,大幅度提升了设计的精确度和效率。本文设计的功率管在2.7~3.2GHz,脉宽3ms,占空比30%,VDS=28V下实现输出功率大于230W,功率附加效率大于60%,功率增益大于12.6dB的增益指标,具备工程化应用的条件,具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 GAN 内匹配 S波段 功率 高效率
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某型大功率T/R组件热设计 预览
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作者 李秀芳 《通讯世界》 2019年第7期360-361,共2页
本文在改善散热条件的问题上主要研究了组件功率器件的热传导方面的问题.首先在结构布局上,适当拉开发热部件的间距,降低功率单片的结温,保证底面与安装表面之间的接触热阻最小.另外,对工艺进行严格控制,使产生的热量能够及时的传递出去... 本文在改善散热条件的问题上主要研究了组件功率器件的热传导方面的问题.首先在结构布局上,适当拉开发热部件的间距,降低功率单片的结温,保证底面与安装表面之间的接触热阻最小.另外,对工艺进行严格控制,使产生的热量能够及时的传递出去,使芯片能够稳定可靠的工作.最后通过软件进行了热力学仿真,模拟分析了T/R组件的稳态温度分布和散热状况,做到优化设计,保证T/R组件能够可靠工作. 展开更多
关键词 TR组件 散热
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基于相位匹配的高性能吸收型陷波器 预览
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作者 钱丽勋 郑升灵 李宏军 《信息记录材料》 2018年第3期68-69,共2页
介绍了一种高性能吸收型陷波器。此陷波器利用相位匹配方式实现吸收陷波,电路形式可以采用LC集总参数实现,也可以采用微带分布结构实现。LC结构陷波器使用传输线替代高低通LC电路实现相移,减少了元器件数量从而提高了调试效率,利用低Q... 介绍了一种高性能吸收型陷波器。此陷波器利用相位匹配方式实现吸收陷波,电路形式可以采用LC集总参数实现,也可以采用微带分布结构实现。LC结构陷波器使用传输线替代高低通LC电路实现相移,减少了元器件数量从而提高了调试效率,利用低Q值元器件实现了52d B的高陷波深度。微带分布结构陷波器Q值相对较高,具有3d B开口带宽仅3%,陷波深度最高可达60d B,通带衰减小等优点。陷波器采用"Q值补偿"的方式克服了传统陷波器的缺点,为利用低Q值元器件实现高陷波深度提供了新的思路。 展开更多
关键词 陷波器 相位匹配 Q值补偿
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PCMR体声波谐振器多物理场仿真及芯片制作 预览
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作者 钱丽勋 郑升灵 李宏军 《信息记录材料》 2018年第1期35-37,共3页
文章介绍了一种轮廓模式压电谐振器的工作原理,阐述了多物理场的概念并利用多物理场有限元分析方法分析了该谐振器的谐振过程,并利用多物理场原理对压电谐振器结构进行了仿真优化。多物理场仿真可以更加直观,深入的理解PCMR的工作原理... 文章介绍了一种轮廓模式压电谐振器的工作原理,阐述了多物理场的概念并利用多物理场有限元分析方法分析了该谐振器的谐振过程,并利用多物理场原理对压电谐振器结构进行了仿真优化。多物理场仿真可以更加直观,深入的理解PCMR的工作原理和过程。不利用等效电路模型,所以可以准确的找到谐振器各组成部分对谐振器的影响。基于仿真的结果,分别设计了平板型(82.75MHz)和交指型(346.5MHz)轮廓模式谐振器并利用MEMS工艺对其进行了制作。制作的轮廓模式谐振器具有较高的Q值(800),机电耦合系数2%,测试结果和仿真结果基本的吻合。 展开更多
关键词 多物理场仿真 压电轮廓模式谐振器 微型机电系统
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一种L波段宽带双极化大功率T/R组件的设计与实现 预览
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作者 郭立涛 《通讯世界》 2018年第2期49-50,共2页
介绍了一种L波段宽带双极化大功率T/R组件,该T/R组件采用GaN基功率管作为发射末级功率器件,为了降低成本和减小组件的尺寸,设计大功率双极化开关,在末级功率管输出处实现T/R组件的双极化输出。组件发射支路输出功率逸48.5dBm,效率逸35%... 介绍了一种L波段宽带双极化大功率T/R组件,该T/R组件采用GaN基功率管作为发射末级功率器件,为了降低成本和减小组件的尺寸,设计大功率双极化开关,在末级功率管输出处实现T/R组件的双极化输出。组件发射支路输出功率逸48.5dBm,效率逸35%,接收支路增益逸35dB。 展开更多
关键词 T/R组件 大功率 双极化 L波段 设计 宽带 功率器件 极化开关
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基于减高波导的功率合成技术研究 预览
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作者 郭立涛 《通讯世界》 2018年第2期328-329,共2页
介绍了减高波导在小体积内实现大功率合成的方法,以减高波导与微带合成相结合的方法,对X波段的100W功率放大器进行了研究设计,该放大器具有尺寸小、功率大、合成效率高等优点。先通过威尔金森功分器进行中功率合成,然后通过减高波导进... 介绍了减高波导在小体积内实现大功率合成的方法,以减高波导与微带合成相结合的方法,对X波段的100W功率放大器进行了研究设计,该放大器具有尺寸小、功率大、合成效率高等优点。先通过威尔金森功分器进行中功率合成,然后通过减高波导进行大功率合成,提高了合成效率。采用ADS和ANSOFT对合成器进行了仿真和优化,有效的减小了放大器的尺寸。测试结果表明,在X波段1.8G带宽内,功率逸100W,放大器效率逸20%,顶降臆0.3dB,在现有的同频段功率放大器中具有较好的性能。 展开更多
关键词 减高波导 功率合成 合成效率 顶降
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RF微谐振器研究进展 预览
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作者 杨亮 郑升灵 《数字技术与应用》 2018年第6期50-51,53共3页
基于MEMS工艺的AlN压电轮廓模式体波微谐振技术,结构和工艺类似FBAR,但具有频率范围更宽、更高的Q值、体积更小的特点。本文就对该微谐振器国内外发展现状、原理及结构特点、应用前景进行了综合性阐述,并对技术发展遇到的挑战性进行了... 基于MEMS工艺的AlN压电轮廓模式体波微谐振技术,结构和工艺类似FBAR,但具有频率范围更宽、更高的Q值、体积更小的特点。本文就对该微谐振器国内外发展现状、原理及结构特点、应用前景进行了综合性阐述,并对技术发展遇到的挑战性进行了分析。 展开更多
关键词 压电 体声波 轮廓模式 MEMS微谐振器
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8~12μm红外图像生成装置 预览 被引量:1
15
作者 王宏杰 钱丽勋 +2 位作者 李卓 王欣 林栩凌 《红外与毫米波学报》 CSCD 北大核心 2017年第4期466-470,共5页
介绍了一种将可见光图像转换为红外图像的装置.装置的核心器件是利用MEMS工艺制作的可见光/红外图像转换芯片.红外图像生成装置包括可见光图像生成系统、可见光/红外图像转换系统以及红外图像投影光学系统三部分.红外图像生成装置产生... 介绍了一种将可见光图像转换为红外图像的装置.装置的核心器件是利用MEMS工艺制作的可见光/红外图像转换芯片.红外图像生成装置包括可见光图像生成系统、可见光/红外图像转换系统以及红外图像投影光学系统三部分.红外图像生成装置产生的红外图像辐射波段覆盖8-12μm,分辨率达到了20 lp/mm,可模拟温度范围为20-150℃,图像非均匀性小于5%,几何畸变小于3%. 展开更多
关键词 红外图像生成技术 半实物仿真 光学微电子机械加工器件
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半导体激光器线阵列封装应力研究 预览
16
作者 房玉锁 闫立华 +4 位作者 王媛媛 任永学 沈牧 徐会武 安振峰 《世界有色金属》 2017年第2期180-181,183共3页
本文主要研究了在808nm半导体激光器线阵列封装中,不同焊料(In焊料和Sn63Pb37焊料)封装应力对激光器光谱的影响。两种焊料制作线阵列,铟焊料阵列平均半宽为2.1nm,锡63铅37焊料阵列半宽为2.8nm。在经过电流21A、温度22±3℃、时间... 本文主要研究了在808nm半导体激光器线阵列封装中,不同焊料(In焊料和Sn63Pb37焊料)封装应力对激光器光谱的影响。两种焊料制作线阵列,铟焊料阵列平均半宽为2.1nm,锡63铅37焊料阵列半宽为2.8nm。在经过电流21A、温度22±3℃、时间16h老化后,铟焊料阵列波长漂移为0.1nm,锡63铅37焊料阵列坡长漂移为0.7nm。实验结果证明了铟焊料封装应力小于锡铅焊料的应力。 展开更多
关键词 半导体 封装应力 激光器
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焊料体系对高功率半导体激光器性能的影响 预览
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作者 房玉锁 李成燕 +3 位作者 牛江丽 王媛媛 任永学 安振峰 《世界有色金属》 2017年第3期142-144,共3页
本文主要研究了808nm高功率半导体激光器采用In焊料和AuSn焊料封装器件,对器件光电参数以及工作寿命的影响。结果显示In焊料封装器件功率高于AuSn焊料封装器件,In焊料封装器件波长比AuSn焊料封装器件短。而在工作寿命方面,AuSn焊料封装... 本文主要研究了808nm高功率半导体激光器采用In焊料和AuSn焊料封装器件,对器件光电参数以及工作寿命的影响。结果显示In焊料封装器件功率高于AuSn焊料封装器件,In焊料封装器件波长比AuSn焊料封装器件短。而在工作寿命方面,AuSn焊料封装器件占有明显优势,经过500小时老化,结果显示In焊料封装器件功率退化严重,而AuSn焊料封装器件功率稳定。 展开更多
关键词 半导体激光器 焊料
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提高瞬态红外设备检测GaNHEMT结温准确度的方法 预览 被引量:2
18
作者 翟玉卫 梁法囯 +3 位作者 刘岩 郑世棋 乔玉娥 刘霞美 《中国测试》 北大核心 2017年第5期20-25,共6页
用高空间分辨率测温技术与瞬态红外设备测温结果结合的方法提高瞬态红外设备对GaN HEMT结温检测 的准确度.对 GaN HEMT随脉冲工作条件的结温变化规律进行分析,证明脉冲条件下器件各个位置的瞬时温度与平 均温度呈线性关系;依据上述关系... 用高空间分辨率测温技术与瞬态红外设备测温结果结合的方法提高瞬态红外设备对GaN HEMT结温检测 的准确度.对 GaN HEMT随脉冲工作条件的结温变化规律进行分析,证明脉冲条件下器件各个位置的瞬时温度与平 均温度呈线性关系;依据上述关系,采用各个位置的平均温度(高空间分辨率)对瞬态红外设备检测结果进行修正,有 效提高瞬态红外设备检测GaN HEMT时的准确度.用有限元仿真结果验证上述方法的准确性.根据该方法,用高空 间分辨率的显微红外测温结果对瞬态红外设备测温结果进行修正,实现2.8滋 m空间分辨率的瞬态温度检测.该方法 可以有效提高瞬态红外设备检测GaN HEMT结温结果的准确度. 展开更多
关键词 热学 瞬态红外 结温 脉冲条件 空间分辨率
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4H-SiC高压肖特基二极管研制
19
作者 王永维 李永平 +2 位作者 王勇 吴昊 李玲 《智能电网》 2017年第8期786-789,共4页
采用多重场限环终端实现了一种高压4H-SiC肖特基二极管。基于Medici仿真计算结果,并利用两环简化模型结构,给出了耐压5 800 V终端结构各个场限环之间的优化间距。终端整体仿真结果表明:该优化结构通过将耗尽区边界扩展,很好地抑制了结... 采用多重场限环终端实现了一种高压4H-SiC肖特基二极管。基于Medici仿真计算结果,并利用两环简化模型结构,给出了耐压5 800 V终端结构各个场限环之间的优化间距。终端整体仿真结果表明:该优化结构通过将耗尽区边界扩展,很好地抑制了结边缘部分的电场集中效应,击穿时所有场限环的峰值电场基本相同,达到了优化设计的目的。通过流片验证,采用该终端结构设计的4H-SiC肖特基势垒二极管击穿电压大于5 500 V,达到理想值的90%以上,充分验证了该终端设计方法的可行性。 展开更多
关键词 碳化硅 肖特基势垒二极管 多重场限环
基于GaAs E/D PHEMT工艺的6~10 GHz多功能MMIC 被引量:1
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作者 张滨 杨柳 +3 位作者 谢媛媛 李富强 魏洪涛 方园 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期180-185,共6页
采用Ga As衬底增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D PHEMT)工艺研制了一款6~10 GHz多功能微波单片集成电路(MMIC)。其集成了4个单刀双掷开关、6 bit数控移相器、6 bit数控衰减器、3个放大器和14 bit并口驱动电路。测试结果表明... 采用Ga As衬底增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D PHEMT)工艺研制了一款6~10 GHz多功能微波单片集成电路(MMIC)。其集成了4个单刀双掷开关、6 bit数控移相器、6 bit数控衰减器、3个放大器和14 bit并口驱动电路。测试结果表明:接收支路增益大于8 d B,1 d B压缩点输出功率大于3 d Bm;发射支路增益大于1 d B,1 d B压缩点输出功率大于8 d Bm。移相64态均方根误差小于3°,衰减64态均方根误差小于1 d B。在工作频带内接收和发射两种状态下,输入输出驻波比均小于1.5∶1。经过版图优化后,芯片尺寸为3.5 mm×5.1 mm。该多功能MMIC可用于微波收发组件,对传输信号进行幅相控制。 展开更多
关键词 多功能微波单片集成电路(MMIC) 增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/DPHEMT) 单刀双掷(SPDT)开关 数控移相器 数控衰减器 数字驱动器
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