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拉曼光谱在第三代半导体材料测试领域的应用 预览
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作者 付丙磊 张争光 王志越 《电子工业专用设备》 2018年第4期42-45,65共5页
对第三代半导体GaN材料体系的拉曼光谱测试进行了综述,并展望了其在第三代半导体无损检测领域的应用前景。
关键词 拉曼光谱 GAN 无损检测
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碳化硅材料及器件的制造装备发展现状 预览 被引量:3
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作者 高德平 付丙磊 +3 位作者 贾净 颜秀文 刘玄博 周哲 《电子工艺技术》 2017年第4期190-192,211共4页
当前碳化硅产业的快速发展对装备国产化提出了更高的要求,迫切需要通过借鉴国外先进技术,进行产学研结合的协同创新,全面提升研发、制造能力,满足市场要求,推动我国宽禁带半导体产业的自主可控发展。对当前碳化硅材料及器件制造装备的... 当前碳化硅产业的快速发展对装备国产化提出了更高的要求,迫切需要通过借鉴国外先进技术,进行产学研结合的协同创新,全面提升研发、制造能力,满足市场要求,推动我国宽禁带半导体产业的自主可控发展。对当前碳化硅材料及器件制造装备的国内外现状、主要技术难点进行了综述,并对其发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 碳化硅 制造装备 宽禁带半导体
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集成电路制造工艺技术现状与发展趋势 预览 被引量:6
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作者 周哲 付丙磊 +3 位作者 王栋 颜秀文 高德平 王志越 《电子工业专用设备》 2017年第3期34-38,73共6页
对当前集成电路制造工艺的主要挑战、研究现状进行了综述,并对其发展趋势进行了展望。
关键词 集成电路 摩尔定律 特征尺寸 制造工艺
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载流子分布对GaN基LED频率特性的影响 预览
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作者 吴春晖 朱石超 +4 位作者 付丙磊 刘磊 赵丽霞 王军喜 陈宏达 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期347-352,共6页
分别在直流偏置和交流偏置下,对大功率GaN基LED的电学和光学特性进行了研究。结果显示,通过改变靠近P型层的量子垒(也就是最后一个量子垒)中的In组分可以调控有源区中的载流子分布。有源区内积累的电子会引起负电容效应。而通过降... 分别在直流偏置和交流偏置下,对大功率GaN基LED的电学和光学特性进行了研究。结果显示,通过改变靠近P型层的量子垒(也就是最后一个量子垒)中的In组分可以调控有源区中的载流子分布。有源区内积累的电子会引起负电容效应。而通过降低有源区量子垒的势垒高度,可以改善LED中载流子传输特性,并实现载流子复合速率及通信调制带宽20%的提高。这个工作将有助于理解GaN基LED中载流子分布对频率特性的影响,并为设计适用于可见光通信的大功率高速LED奠定基础。 展开更多
关键词 氮化镓 发光二极管 可见光通信 调制带宽 载流子分布
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基于ANSYS分析的某型红外瞄准镜优化设计 预览
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作者 王明超 周哲 温庆荣 《激光与红外》 CSCD 北大核心 2017年第5期557-561,共5页
红外瞄准镜工作在高强度、高频率的应力冲击环境,如果设计中不采取相应的防护措施,产品可能出现可靠性问题。本文使用ANSYS软件,对某型红外瞄准镜进行有限元仿真,侧重于冲击瞬态分析,通过数据分析发现不足和缺陷,同时提出解决方案,优化... 红外瞄准镜工作在高强度、高频率的应力冲击环境,如果设计中不采取相应的防护措施,产品可能出现可靠性问题。本文使用ANSYS软件,对某型红外瞄准镜进行有限元仿真,侧重于冲击瞬态分析,通过数据分析发现不足和缺陷,同时提出解决方案,优化产品设计,满足了产品的环境适应性。 展开更多
关键词 有限元仿真分析 红外瞄准镜 减震
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碲镉汞薄膜减薄损伤的扫描电镜研究 预览
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作者 许秀娟 周哲 +2 位作者 折伟林 付伟 李春领 《红外》 CAS 2017年第8期19-22,共4页
对由碲镉汞薄膜减薄工艺导致的损伤层的研究至关重要.采用扫播电镜研究了碲镉汞薄膜经减薄工艺后的损伤层,荻得了非當有价值的实验结果.结果对由碲镉汞薄膜减薄工艺形成损伤层的认识和后续的工艺优化具有非常重要的指导意义.
关键词 碲镉汞 减薄 损伤层 扫描电镱透射电镜
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