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Bi(Me)O3-PbTiO3型高温压电陶瓷研究进展 预览
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作者 褚涛 张田才 +4 位作者 张元松 王安玖 王五松 秦洁 胡建松 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2019年第3期283-288,共6页
随着高新技术的应用,对压电陶瓷的使用温度提出了越来越高的要求,进而要求开发具有高居里温度的压电陶瓷。本文主要介绍了Bi(Me)O3-PbTiO3复合钙钛矿结构体系高温压电陶瓷的结构、性能和相关器件设计,以及国内外的研究现状和发展前景。
关键词 居里温度 BMe-PT 改性 钙钛矿结构
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MMIC芯片衰减器的设计与检测 预览
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作者 王聪玲 钟清华 +2 位作者 龙立铨 张铎 张青 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2019年第3期86-90,共5页
本文提供了一种单片微波集成电路(MMIC)芯片衰减器,采用氮化钽薄膜作为电阻材料,利用嵌套掩膜刻蚀技术将芯片衰减器结构一层一层套刻在陶瓷基片上。主要研究了利用氮化钽薄膜电阻制作芯片衰减器的优点,结合HFSS仿真软件,建立3dB和10dB... 本文提供了一种单片微波集成电路(MMIC)芯片衰减器,采用氮化钽薄膜作为电阻材料,利用嵌套掩膜刻蚀技术将芯片衰减器结构一层一层套刻在陶瓷基片上。主要研究了利用氮化钽薄膜电阻制作芯片衰减器的优点,结合HFSS仿真软件,建立3dB和10dB芯片衰减器的有限元模型,并对实物产品进行测试验证。试验结果表明:3dB芯片衰减器在DC20GHz工作频率内有较好的衰减响应,回波损耗在整个宽频带内都小于-20dB,衰减量偏差在DC~12GHz工作频率内小于±0.3dB。10dB芯片衰减器在DC~20GHz工作频率内也有较好的衰减响应,回波损耗在整个宽频带内都小于-19dB,衰减量偏差在DC~12GHz工作频率内小于±0.35dB。 展开更多
关键词 嵌套掩膜刻蚀 HFSS仿真 MMIC芯片衰减器 氮化钽薄膜 回波损耗
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高机械品质因数压电陶瓷材料的研究进展及应用 预览
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作者 褚涛 王五松 +3 位作者 王学杰 张田才 杨桂 翟继卫 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第A01期165-170,共6页
本文从压电陶瓷的物理机理、机械品质因数Qm及其影响因素如晶粒尺寸、晶格常数、畴壁运动、空间电荷等方面详细阐述了高Qm压电陶瓷材料研究的理论基础,随后介绍了高Qm压电陶瓷材料的几种体系及其研究现状。指出了掺杂改性、探索新体系... 本文从压电陶瓷的物理机理、机械品质因数Qm及其影响因素如晶粒尺寸、晶格常数、畴壁运动、空间电荷等方面详细阐述了高Qm压电陶瓷材料研究的理论基础,随后介绍了高Qm压电陶瓷材料的几种体系及其研究现状。指出了掺杂改性、探索新体系和新工艺是提高压电陶瓷材料高Qm的有效途径,并对高Qm压电陶瓷器件进行了简单介绍。 展开更多
关键词 高Qm压电陶瓷 晶格常数 空间电荷 机械品质因数
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Bi(Me)O3-PbTiO3型高温压电陶瓷研究进展 预览
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作者 褚涛 王五松 +4 位作者 张元松 王安玖 张田 秦洁 胡建松 《陶瓷》 CAS 2019年第2期61-65,共5页
随着高新技术的应用,对压电陶瓷的使用温度提出了越来越高的要求,进而要求开发具有高居里温度的压电陶瓷。笔者主要介绍了Bi(Me)O3-PbTiO3复合钙钛矿结构体系高温压电陶瓷的结构、性能和相关器件设计,以及其在国内外的研究现状和发展前景。
关键词 居里温度 BMe-PT 改性 钙钛矿结构
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TiO2的水热生长及其超级电容性能 预览
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作者 汪瑶 何絮 +5 位作者 黄秋安 庞锦标 何创创 王学杰 Marchenkov V V 杨昌平 《湖北大学学报:自然科学版》 CAS 2019年第2期153-158,共6页
以FTO玻璃为衬底,采用水热法制备针状TiO2电极材料.利用XRD、SEM、EDS对TiO2电极材料结构和成分进行分析,并用电化学工作站对其电容性能进行测量.结果表明:经H2SO4溶液和电化学循环处理后,TiO2电极材料从白色转变成蓝色物质,导电性大幅... 以FTO玻璃为衬底,采用水热法制备针状TiO2电极材料.利用XRD、SEM、EDS对TiO2电极材料结构和成分进行分析,并用电化学工作站对其电容性能进行测量.结果表明:经H2SO4溶液和电化学循环处理后,TiO2电极材料从白色转变成蓝色物质,导电性大幅上升,比电容也随之显著提高,从0.657F/g上升到49.14F/g,CV曲线表明TiO2电极材料经电循环后出现从赝电容到双电层电容的转变. 展开更多
关键词 TIO2 超级电容器 水热法 电循环处理 H2SO4处理
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高压超大容量有机电解质片式钽电容器高温稳定性试验 预览
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作者 田东斌 龙道学 +1 位作者 潘齐凤 张选红 《电子器件》 CAS 北大核心 2019年第4期811-814,共4页
高压超大容量有机固体电解质片式钽电容器是适应新一代电子信息技术而开发的一种新型电容器。但行业内规定高低温(-55℃,125℃)容量变化±30%,严重限制了其在一些特殊领域的应用。通过对电介质化成工艺的调整,以及添加电介质和聚合... 高压超大容量有机固体电解质片式钽电容器是适应新一代电子信息技术而开发的一种新型电容器。但行业内规定高低温(-55℃,125℃)容量变化±30%,严重限制了其在一些特殊领域的应用。通过对电介质化成工艺的调整,以及添加电介质和聚合物膜界面的后处理等方法有效改善了高温容量的稳定性,并通过一系列可靠性试验验证,电容器的容量变化率ΔC/C不超过20%,漏电流的稳定性也得到显著改善,从而满足了此类产品在特殊环境的使用要求。 展开更多
关键词 高压超大容量钽电容器 有机电解质 高温稳定性 界面处理
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电极/表面接触与SrTiO3陶瓷片介电性能的关系 预览
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作者 加晶晶 董浩 +4 位作者 石大为 黄秋安 何创创 庞锦标 杨昌平 《湖北大学学报:自然科学版》 CAS 2019年第2期132-136,共5页
理论上,SrTiO3(以下简称STO)晶界层电容器介电常数取决于陶瓷片的晶粒大小、导电性、晶界绝缘层的厚度和介电常数.但对实际的STO晶界层陶瓷电容器研究发现,金属电极与STO陶瓷片的表面接触对电容器的电容和介电常数也有很大影响.研究表明... 理论上,SrTiO3(以下简称STO)晶界层电容器介电常数取决于陶瓷片的晶粒大小、导电性、晶界绝缘层的厚度和介电常数.但对实际的STO晶界层陶瓷电容器研究发现,金属电极与STO陶瓷片的表面接触对电容器的电容和介电常数也有很大影响.研究表明,当电极/STO为非欧姆接触时,STO陶瓷片的电容和介电常数较小;当电极/STO为欧姆接触时,STO陶瓷片电容器的电容和介电常数增大.采用Ag浆制作电极时,通过调整烧制Ag电极的温度和时间,当T=880℃,t=3.5h时,STO电容器的介电性能达到最佳,εr=22850,tgδ=1.0%. 展开更多
关键词 SRTIO3 晶界层电容 介电性能 电极/半导体界面接触 欧姆接触
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SrTiO3晶界层电容陶瓷的介电性能与晶粒大小的关系 预览
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作者 李慧娟 董浩 +3 位作者 石大为 何创创 庞锦标 杨昌平 《湖北大学学报:自然科学版》 CAS 2019年第2期137-141,146共6页
采用二次烧结法制备SrTiO3(STO)多晶陶瓷,研究瓷片介电性能与烧结温度和晶粒大小的关系.实验结果表明,STO晶粒尺寸随烧结的温度呈现先升高后下降的变化,相应的介电常数与晶粒变化类似,即随着温度升高先升后降.在保证还原性气体比例不变... 采用二次烧结法制备SrTiO3(STO)多晶陶瓷,研究瓷片介电性能与烧结温度和晶粒大小的关系.实验结果表明,STO晶粒尺寸随烧结的温度呈现先升高后下降的变化,相应的介电常数与晶粒变化类似,即随着温度升高先升后降.在保证还原性气体比例不变的条件下,STO瓷片的介电性能在1440℃烧结2h时达到最佳,介电常数为24000,损耗在0.02左右,温度系数小于20%.该结果基本达到Ⅲ类瓷技术标准,可广泛用于低频高介电路中. 展开更多
关键词 SrTiO3介电陶瓷 晶界层电容 介电常数 二次烧结法
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薄膜桥点火电阻器的制备与仿真 预览
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作者 朱雪婷 魏栩曼 +2 位作者 温占福 王利凯 张铎 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2018年第6期45-48,共4页
采用金属Ni Cr合金箔作为电阻材料,用光刻技术在玻纤板上制备薄膜桥点火电阻器,研究了薄膜桥点火电阻器的发火性能,并结合Ansys仿真软件,建立薄膜桥点火电阻器的有限元模型,模拟了1.5 A、5 ms发火条件下电阻体的电压分布及温度分布情况... 采用金属Ni Cr合金箔作为电阻材料,用光刻技术在玻纤板上制备薄膜桥点火电阻器,研究了薄膜桥点火电阻器的发火性能,并结合Ansys仿真软件,建立薄膜桥点火电阻器的有限元模型,模拟了1.5 A、5 ms发火条件下电阻体的电压分布及温度分布情况。试验结果表明:此种薄膜桥点火电阻器具有良好的发火性能。仿真结果表明,施加电载荷时热量主要集中在薄膜桥桥区中心处。 展开更多
关键词 点火电阻器 Ni Cr合金箔 光刻技术 ANSYS仿真 发火性能 薄膜桥
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浸渍银浆对固体钽电解电容器阴极导电特性的影响 预览
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作者 庞锦标 杨康 +2 位作者 何创创 居奎 杨邦朝 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2018年第8期56-60,共5页
为了得到满足低ESR固体钽电解电容器要求的浸渍银浆,研究了银粉粒径、银含量、有机添加剂表面改性剂与浸渍银浆导电及附着性能的关系,以及浸渍银浆改性对固体钽电解电容器中浸渍银浆阻抗的影响。结果表明,当片状银粉的平均粒径在4~8μm... 为了得到满足低ESR固体钽电解电容器要求的浸渍银浆,研究了银粉粒径、银含量、有机添加剂表面改性剂与浸渍银浆导电及附着性能的关系,以及浸渍银浆改性对固体钽电解电容器中浸渍银浆阻抗的影响。结果表明,当片状银粉的平均粒径在4~8μm,银含量达到50%(质量分数)时可以得到较低的电阻率,电阻率为2.4×10^-5Ω·cm,满足阻抗和浸渍要求;在浸渍银浆使用之前,电容芯预浸渍单烷氧基钛酸酯偶联剂,有利于银层与石墨层之间的附着,并且在浸渍银浆中添加10%(质量分数)石墨浆可降低界面电阻至6 mΩ。 展开更多
关键词 固体钽电解电容器 浸渍银浆 片状银粉 阻抗 浸渍 界面电阻
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提高钽电容器储存稳定性的机理分析及试验研究 预览
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作者 田东斌 潘齐凤 +1 位作者 张选红 彭永燃 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2019年第4期94-100,共7页
钽电容器的存储稳定性是电子整机与装配非常关心的问题,也是当前研究的热点之一。通过总结分析钽电容器应用中出现频次较高的几个问题,结合模压封装材料的吸潮特性和潮气吸收及扩散理论,重点解释了存在潮气情况下钽电容器在温冲、回流... 钽电容器的存储稳定性是电子整机与装配非常关心的问题,也是当前研究的热点之一。通过总结分析钽电容器应用中出现频次较高的几个问题,结合模压封装材料的吸潮特性和潮气吸收及扩散理论,重点解释了存在潮气情况下钽电容器在温冲、回流焊等操作中的失效机理。尝试用一种新的钽电容器包封材料和包封方法提高其耐潮能力,并通过各种严酷的试验和85℃-85%RH-2000h寿命试验检验。结果表明该材料和工艺对提高钽电容器的存储稳定性具有非常大的作用。 展开更多
关键词 钽电容器 吸潮 防潮封装 耐存储性 稳定性
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