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低压驱动Ⅴ形直线超声电机的设计 认领
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作者 黄卫清 杨成龙 +2 位作者 沈兆琛 安大伟 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第1期91-99,共9页
针对传统Ⅴ形直线超声电机驱动电压较大、驱动电路复杂,在配合变压器驱动时不利于结构微型化的问题,提出了一种利用叠层压电陶瓷驱动的低压Ⅴ形直线超声电机。在对Ⅴ形直线超声电机的运行机理进行理论分析的基础上,设计了基于叠层压电... 针对传统Ⅴ形直线超声电机驱动电压较大、驱动电路复杂,在配合变压器驱动时不利于结构微型化的问题,提出了一种利用叠层压电陶瓷驱动的低压Ⅴ形直线超声电机。在对Ⅴ形直线超声电机的运行机理进行理论分析的基础上,设计了基于叠层压电陶瓷的Ⅴ形振子并进行了夹持装置的结构设计,进一步制作样机并开展了阻抗实验,测试了样机的外输出特性。实验结果表明:电机的驱动频率位于36~38 kHz,在37 kHz,50 Vpp的驱动电压激励下,其最大输出力为25.8 N,最高空载速度为1.221 m/s,可在低压驱动下输出大推力,直线超声电机的驱动性能得到了提高。 展开更多
关键词 超声电机 直线电机 Ⅴ形结构 低压驱动 振子设计
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文章速递基于GaAs PHEMT工艺的60~90GHz功率放大器MMIC 认领
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作者 孟范忠 方园 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2021年第3期193-197,共5页
研制了一款60~90 GHz功率放大器单片微波集成电路(MMIC),该MMIC采用平衡式放大结构,在较宽的频带内获得了平坦的增益、较高的输出功率及良好的输入输出驻波比(VSWR)。采用GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)标准工艺进行了流片,在片测... 研制了一款60~90 GHz功率放大器单片微波集成电路(MMIC),该MMIC采用平衡式放大结构,在较宽的频带内获得了平坦的增益、较高的输出功率及良好的输入输出驻波比(VSWR)。采用GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)标准工艺进行了流片,在片测试结果表明,在栅极电压为-0.3 V、漏极电压为+3 V、频率为60~90 GHz时,功率放大器MMIC的小信号增益大于13 dB,在71~76 GHz和81~86 GHz典型应用频段,功率放大器的小信号增益均大于15 dB。载体测试结果表明,栅极电压为-0.3 V、漏极电压为+3 V、频率为60~90 GHz时,该功率放大器MMIC饱和输出功率大于17.5 dBm,在71~76 GHz和81~86 GHz典型应用频段,其饱和输出功率可达到20 dBm。该功率放大器MMIC尺寸为5.25 mm×2.10 mm。 展开更多
关键词 GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 功率放大器(PA) 平衡式放大器 单片微波集成电路(MMIC) E波段
V形压电直线电机结构优化研究综述 认领
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作者 黄卫清 安大伟 《山西能源学院学报》 2020年第2期88-90,共3页
V形压电直线电机是一种结构简单、响应快速、机械输出性能良好的压电直线电机,目前在深空探测装备的精密驱动、生物医学的细胞微操作和航空航天飞行器的精密控制上得到了广泛应用,V形压电直线电机结构的优化提高了压电直线电机的输出特... V形压电直线电机是一种结构简单、响应快速、机械输出性能良好的压电直线电机,目前在深空探测装备的精密驱动、生物医学的细胞微操作和航空航天飞行器的精密控制上得到了广泛应用,V形压电直线电机结构的优化提高了压电直线电机的输出特性,对拓展压电直线电机的应用领域有着非常重要的意义。文章阐明了V形压电直线电机应用现状以及其研究与应用的必要性,通过分析近年来国内外学者对V形压电电机进行结构优化的技术成果,总结出影响V形压电直线电机输出性能的主要因素,同时对V形压电直线电机的有待进一步探索和研究的问题做出了展望。 展开更多
关键词 V形压电直线电机 运动机理 结构优化 夹持装置
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旋转行波超声电机性能提升技术进展 认领
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作者 安大伟 张建辉 +2 位作者 宁青双 黄卫清 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第5期1109-1115,共7页
为推动旋转行波超声电机的发展及其在精密驱动领域的应用,综述了其性能提升技术研究进展并分析了现阶段尚且存在的技术问题。首先,从定子行波的合成、质点椭圆运动轨迹、接触界面的摩擦驱动等方面论述了传统旋转行波超声电机的运行机理... 为推动旋转行波超声电机的发展及其在精密驱动领域的应用,综述了其性能提升技术研究进展并分析了现阶段尚且存在的技术问题。首先,从定子行波的合成、质点椭圆运动轨迹、接触界面的摩擦驱动等方面论述了传统旋转行波超声电机的运行机理。然后,从结构优化和新材料应用角度综述了旋转行波超声电机的发展及其局限性;从温升控制角度阐释了温度变化对超声电机性能的影响并介绍了现有解决方案;论述了变预压力对谐振频率漂移的耦合影响,并指出了目前研究存在的不足;从双行波驱动角度分析了超声电机发展过程中的重大突破,概况了其研究历程及可行的发展方向。最后,归纳了旋转行波超声电机亟待解决的技术难题,并建议了解决方案。 展开更多
关键词 超声电机 性能提升 温升 频率漂移 双行波
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基于GaAs pHEMT的W波段多通道发射前端MMIC研究 认领
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作者 王雨桐 方园 +6 位作者 林勇 汪璐 陈艳 卢军廷 郑俊平 李明 《微波学报》 CSCD 北大核心 2020年第S01期222-224,共3页
基于GaAs赝配型高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺,研制了一款96-105GHz的四通道发射多功能芯片,完成信号的多通道倍频放大。电路由Ka、W两个不同频段的功率放大器,一个三倍频器和一个单刀四掷(SP4T)开关构成。测试结果表明,输入频率32-35G... 基于GaAs赝配型高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺,研制了一款96-105GHz的四通道发射多功能芯片,完成信号的多通道倍频放大。电路由Ka、W两个不同频段的功率放大器,一个三倍频器和一个单刀四掷(SP4T)开关构成。测试结果表明,输入频率32-35GHz,输入功率0dBm情况下,在输出频率96-105GHz频段内,该四通道发射前端芯片输出功率大于6.5dBm,输入电压驻波比小于1.6:1,输出电压驻波比小于2.5:1。其中,电路为5V和-5V供电;开关控制电压为-5V/0V。芯片尺寸为5.90mm×2.15mm×0.07mm。 展开更多
关键词 GaAs PHEMT 倍频器 功率放大器 单刀四掷开关
F频段三倍频放大多功能芯片设计与实现 认领
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作者 吴洪江 王雨桐 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第10期762-766,789共6页
基于InP高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款F频段三倍频放大多功能芯片。将三倍频器与驱动放大器级联,实现了F频段三倍频放大的单片集成。前端三倍频器电路由输入匹配电路、输入低通滤波电路、并联二极管对、输出高通滤波电路与... 基于InP高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款F频段三倍频放大多功能芯片。将三倍频器与驱动放大器级联,实现了F频段三倍频放大的单片集成。前端三倍频器电路由输入匹配电路、输入低通滤波电路、并联二极管对、输出高通滤波电路与输出匹配电路构成,通过反向并联二极管对实现三次倍频,在优化匹配前后级电路的同时,通过输入低通滤波器与输出高通滤波器滤除三次谐波外的基波与各次谐波。后端所级联的驱动放大器采用四级管芯级联的双电源拓扑结构来提高增益及输出功率。测试结果表明,输入频率为30~47 GHz、输入功率为15 dBm时,输出频率为90~141 GHz,输出功率大于6 dBm,输入回波损耗小于-13 dB,输出回波损耗小于-6 dB。芯片尺寸为4.40 mm×1.60 mm×0.07 mm。 展开更多
关键词 多功能芯片 微波单片集成电路(MMIC) InP高电子迁移率晶体管(HEMT) F频段 倍频器 放大器
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