期刊文献+
共找到9篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
晶体取向对单晶铝磁致塑性的影响 认领
1
作者 姬鹏云 王均安 +2 位作者 任忠鸣 王江 张园锋 《上海金属》 CAS 北大核心 2020年第1期33-39,共7页
在静磁场中对单晶铝进行了沿<100>、<110>和<111>晶向的拉伸试验,目的是揭示晶体取向对其磁致塑性的影响。结果表明:与无磁场拉伸试验相比,在磁场中拉伸的单晶铝断后伸长率增加,且晶体取向影响其增幅。磁场的作用机制... 在静磁场中对单晶铝进行了沿<100>、<110>和<111>晶向的拉伸试验,目的是揭示晶体取向对其磁致塑性的影响。结果表明:与无磁场拉伸试验相比,在磁场中拉伸的单晶铝断后伸长率增加,且晶体取向影响其增幅。磁场的作用机制为:增加滑移带数量,使位错在更多的滑移面上运动,降低位错的塞积程度和减弱位错间的交互作用,这有利于晶体更充分地变形。此外,沿不同晶向拉伸的试样中位错林密度不同,从而阻碍了可动位错的运动,导致磁致塑性的差异。静磁场能改变弱顺磁性障碍与位错构成的钉扎中心的电子自旋状态,降低位错势垒,使位错更易运动。 展开更多
关键词 单晶铝 晶体取向 滑移带 位错 塑性
在线阅读 下载PDF
脉冲磁场对TC4钛合金微观结构的影响及其机理探究 认领 被引量:5
2
作者 许擎栋 李克俭 +1 位作者 蔡志鹏 吴瑶 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第4期489-495,共7页
研究了脉冲磁场对TC4钛合金微观结构的影响规律,发现经磁感应强度为2 T、脉冲频率为5 Hz、脉冲次数为100次的脉冲磁场处理后,TC4钛合金的位错密度及晶界角度会发生显著变化。XRD测试结果显示,经脉冲磁场处理后TC4钛合金的位错密度提高约... 研究了脉冲磁场对TC4钛合金微观结构的影响规律,发现经磁感应强度为2 T、脉冲频率为5 Hz、脉冲次数为100次的脉冲磁场处理后,TC4钛合金的位错密度及晶界角度会发生显著变化。XRD测试结果显示,经脉冲磁场处理后TC4钛合金的位错密度提高约10.9%。采用EBSD测试得到TC4钛合金微区的KAM分布,发现经脉冲磁场作用后,TC4钛合金的位错密度发生显著变化,具体表现为:晶内位错分布更加均匀,局部高位错密度区消失;晶界附近的位错分布发生变化,同时晶界角度发生改变,小角度晶界减少而重位点阵(CSL)晶界(Σ11)增多。讨论了脉冲磁场对TC4钛合金微观组织影响的可能原因:脉冲磁场引起位错钉扎处的电子能态发生转变,使钉扎处空位或杂质原子易于移动。位错在材料内应力场提供的弹性能作用下更易脱钉扎,从而使得位错分布发生变化,材料微观组织发生改变。 展开更多
关键词 TC4钛合金 脉冲 位错密度 晶界角度 塑性
强磁场对铝基复合材料中位错密度的作用机制 认领
3
作者 王宏明 彭琮翔 +1 位作者 李桂荣 李沛思 《中南大学学报:自然科学版》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期325-330,共6页
通过原位内生颗粒法制备Al2O3和Al3Ti多相增强7055铝基复合材料,Al2O3颗粒粒度,处于纳米级;Al3Ti颗粒粒度处于微米级,颗粒分散均匀,界面湿润性好。在常温下对铝基复合材料进行脉冲强磁场处理,使磁感应强度B控制在1,2,3,4和5 T,研究不同... 通过原位内生颗粒法制备Al2O3和Al3Ti多相增强7055铝基复合材料,Al2O3颗粒粒度,处于纳米级;Al3Ti颗粒粒度处于微米级,颗粒分散均匀,界面湿润性好。在常温下对铝基复合材料进行脉冲强磁场处理,使磁感应强度B控制在1,2,3,4和5 T,研究不同B下复合材料组织特征变化。研究结果表明:处理后试样的有效微应变和位错密度随磁感应强度的升高而增大。当B=5 T时,有效微应变和位错密度的增加趋势明显减缓,有趋近于饱和之势。位错密度的增加并不是磁压强和磁场力的作用,而是磁场诱发磁致塑性效应。磁场影响量子尺度电子和原子的运动,增强原子的扩散速率和位错间的相互作用,降低位错形核的动力学势垒,促进位错大量增殖。但随着微应变的增加,晶体内部的阻力不断增大,位错密度逐步趋于饱和。 展开更多
关键词 铝基复合材料 脉冲 位错 塑性
在线阅读 下载PDF
磁致塑性效应下的位错动力学机制 认领 被引量:9
4
作者 李桂荣 王宏明 +3 位作者 李沛思 高雷章 彭琮翔 郑瑞 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第14期337-346,共10页
基于磁致塑性效应探讨了磁场作用下位错受力和运动机制,对磁场下的位错动力学机制进行了定性和定量分析.选择氧化铝纳米颗粒强化铝基复合材料为实验对象,在不同磁感应强度下(0—3 T范围)对试样进行磁场处理.结果表明,随着磁感应强度增... 基于磁致塑性效应探讨了磁场作用下位错受力和运动机制,对磁场下的位错动力学机制进行了定性和定量分析.选择氧化铝纳米颗粒强化铝基复合材料为实验对象,在不同磁感应强度下(0—3 T范围)对试样进行磁场处理.结果表明,随着磁感应强度增加,位错密度提高,表现出塑性变形特征.分析认为,磁场力不足以驱动位错运动,位错增殖诱因在于磁致塑性效应,即磁场改变了顺磁性位错芯与障碍间自由基对中的电子自旋状态,促使自由基对从强键结合单线态向弱键结合三重态转化,位错穿越障碍时所需能量减小,退钉扎趋势明显;位错运动中的限速环节是位错在障碍处的停留,磁场诱发的电子激发和原子重排速度很快,表现出磁场作用的高效性.磁场起作用的临界磁感应强度约为3 T,低于3 T时磁场作用随磁场强度增加而变得明显,高于3 T后磁场效果会减小.计算得到3 T时位错运动速度是10 3m/s,位错线长度比未加磁场时增加两个数量级,位移与磁感应强度平方和磁场作用时间成正比.实验和理论研究表明磁场具有改善材料塑性变形能力的显著作用. 展开更多
关键词 塑性 位错动力学 变形和塑性 铝基复合材料
在线阅读 下载PDF
第一性原理研究MgZn2相的电子结构及磁性质 认领 被引量:4
5
作者 王宏明 郑瑞 +1 位作者 李桂荣 李沛思 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2015年第11期2143-2151,共9页
运用密度泛函理论的第一性原理计算分析了MgZn,相的电子结构及相关磁性质。能带结构和态密度分析表明Zn4s和Zn4p轨道、Mg3s和Mg3p轨道分别发生sp态杂化,然后杂化态之间相互作用而形成Zn—Mg键;Mulliken布居分布计算显示:Zn1-Mg(Zn... 运用密度泛函理论的第一性原理计算分析了MgZn,相的电子结构及相关磁性质。能带结构和态密度分析表明Zn4s和Zn4p轨道、Mg3s和Mg3p轨道分别发生sp态杂化,然后杂化态之间相互作用而形成Zn—Mg键;Mulliken布居分布计算显示:Zn1-Mg(Zn1是处于晶格边缘的zn原子)和Zn2Mg(Zn2是处于晶格内部的Zn原子)电子云重叠布居数接近0,电子密度分析显示Zn—Mg之间电子密度分布具有明显的定域性。结合上述结果与Zn、Mg原子的电负性差异,确定Zn—Mg键为极性共价键。分态密度(PDOS)分析显示,Zn1-Mg键和Zn2-Mg键的差异主要表现在zn24s轨道在-10~6eV区域对成键的贡献度高于Zn14s轨道,而Zn,如轨道在2—5eV区域对成键的贡献度高于Zn24s轨道。进一步对MgZn2的积分自旋态密度和磁矩计算表明:MgZn2磁性质表现为顺磁性,其磁性主要来源于Zn1-Mg键中的2个自旋相同的未配对电子;MgZn2的顺磁性特性将使Al-Zn-Mg-Cu(7xxx系)高强铝合金产生磁致塑性效应. 展开更多
关键词 MgZn2相 密度泛函理论 态密度 布居分布 性质 塑性
在线阅读 下载PDF
脉冲磁场处理颗粒增强铝基复合材料的组织演变 认领 被引量:8
6
作者 李桂荣 王宏明 +1 位作者 袁雪婷 蔡云 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期397-403,共7页
研究了脉冲磁场冲击处理时固态金属基复合材料的组织演变规律,观察微观组织演变并进行了机制分析。通过熔体直接反应法制备了原位纳米Al2O3颗粒增强7055铝基原位复合材料,颗粒平均粒径42.3 nm,颗粒与基体无明显取向关系,存在较高错配度... 研究了脉冲磁场冲击处理时固态金属基复合材料的组织演变规律,观察微观组织演变并进行了机制分析。通过熔体直接反应法制备了原位纳米Al2O3颗粒增强7055铝基原位复合材料,颗粒平均粒径42.3 nm,颗粒与基体无明显取向关系,存在较高错配度和内应力,处于结构失稳状态。在磁感应强度1 T、2 T和3 T条件下对片状复合材料进行脉冲冲击处理,处理后的试样中位错表现出"高密度、多形貌"特征。计算表明,脉冲磁场的磁压强小于材料的室温屈服强度,塑性变形的主要诱因是磁致塑性效应。此时位错具有顺磁性障碍的特征,磁场降低位错形核能、促进位错运动、提高位错密度并促进内应力释放,位错密度随磁感应强度增加而增加。磁感应强度为3 T时,在得到最大位错密度的同时完全释放内应力。位错形貌呈现出多样化特征,有线型、缠绕型、环型和螺线型等,其中环型位错是位错运动和内应力释放的主要模式,并有助于提高材料强度。在铸态试样中原子排布规则,脉冲磁场冲击处理后出现了错排原子面、原子排列转向、层错和变形孪晶组织,证实了塑性变形的存在。高密度位错运动分离形成了层错,层错动态叠加形成了变形孪晶。 展开更多
关键词 复合材料 塑性 组织演变 脉冲
交变磁场对多晶纯铝位错密度及显微硬度的影响 认领
7
作者 詹同军 何盛亚 +3 位作者 李永成 玄伟东 任忠鸣 李传军 《上海金属》 CAS 北大核心 2020年第1期95-99,共5页
研究了交变磁场对退火的形变多晶纯铝位错密度及显微硬度的影响。结果表明:在交变磁场中退火后纯铝试样的衍射峰半高宽(FWHM)及显微硬度增加,且半高宽及显微硬度随磁感应强度的增加而增加。交变磁场产生的磁压和位错芯膨胀效应对位错密... 研究了交变磁场对退火的形变多晶纯铝位错密度及显微硬度的影响。结果表明:在交变磁场中退火后纯铝试样的衍射峰半高宽(FWHM)及显微硬度增加,且半高宽及显微硬度随磁感应强度的增加而增加。交变磁场产生的磁压和位错芯膨胀效应对位错密度的影响很小。位错密度的变化主要归因于磁致塑性效应的作用,即:在交变磁场作用下,位错芯与障碍物之间的相互作用由低能态的单重态转变为高能态的三重态,位错更容易从钉扎处逃逸,促进位错运动。这一效应导致形变纯铝的XRD衍射峰变宽,位错密度增加,硬度提高。 展开更多
关键词 交变 纯铝 显微硬度 位错密度 塑性效应
在线阅读 下载PDF
脉冲强磁场处理对TC4钛合金显微组织及力学性能的影响 认领 被引量:7
8
作者 李桂荣 李月明 +1 位作者 王芳芳 王宏明 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期330-337,共8页
研究在脉冲强磁场处理条件下磁感应强度(B=2T、3T和4T)对TC4钛合金材料显微组织和力学性能的影响。结果表明:随着日值从2T增加到4T,α相体积分数从49%增加到59%,表明磁场诱发了从β到α的相变。经过磁场处理后,位错密度增加,当... 研究在脉冲强磁场处理条件下磁感应强度(B=2T、3T和4T)对TC4钛合金材料显微组织和力学性能的影响。结果表明:随着日值从2T增加到4T,α相体积分数从49%增加到59%,表明磁场诱发了从β到α的相变。经过磁场处理后,位错密度增加,当B=3T时,位错密度达到最大值,较未处理试样增加了4.8倍;当B=4T时,位错密度有所减小,这是由于磁致塑性效应和位错堆积效应共同作用的结果。经过磁场处理后,合金的强度提高了,当占B=3T时,合金强度最高达到1330MPa,较未处理试样的1236MPa提高7.6%;当B=4T时,合金强度为1265MPa,增幅2.3%,合金伸长率为15.66%,较处理前样品的伸长率提高4.8%,实现材料强度和塑性的同步提高,这与位错强化机制和α相的数量、分布和形貌有关。 展开更多
关键词 TC4钛合金 塑性效应 脉冲强 力学性能
在线阅读 下载PDF
强脉冲磁场冲击处理对铝基复合材料塑性的影响机制 认领 被引量:5
9
作者 王宏明 李沛思 +2 位作者 郑瑞 李桂荣 袁雪婷 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期291-298,共8页
铝基复合材料在加入颗粒相之后,延伸率和塑性变形能力明显降低.为改善其塑性变形能力,通过对比强脉冲磁场冲击处理前后试样内部组织和残余应力的变化特征,研究了磁致塑性效应对铝基复合材料塑性变形能力的影响机理.结果表明:当磁... 铝基复合材料在加入颗粒相之后,延伸率和塑性变形能力明显降低.为改善其塑性变形能力,通过对比强脉冲磁场冲击处理前后试样内部组织和残余应力的变化特征,研究了磁致塑性效应对铝基复合材料塑性变形能力的影响机理.结果表明:当磁感应强度从2T变化到4T时,铝基复合材料中位错密度显著增加,4T时的位错密度是未加磁场时的3.1倍;3T,30个脉冲处理后的复合材料中残余应力值从未加磁场时的41MPa减小为-1MPa.从原子尺度来看,强磁场导致了磁致塑性效应,从而引起了位错的运动,并促进了位错的退钉扎和可移动位错数量的增加;从材料内部整体结构变化来看,磁场加速了材料内应力的释放速率,降低了材料内部的残余应力,从而改善了铝基复合材料的塑性变形能力. 展开更多
关键词 塑性效应 微观组织演变 铝基复合材料 强脉冲
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部 意见反馈